Электроника ва радиотехника кафедраси

ИМСлар яратишнинг технологик жараёни

• МДЯ (МОЯ) ИС асосий элементи бўлиб МДЯ (МОЯ) транзистори хизмат қилади.
• Биполяр ИС элементларини улар кристал орқали алоқа қилмасликлари учун бир биридан изоляция қилиш керак бўлади. МДЯ (МОЯ) элементлари бир биридан изоляция қилишни талаб этмайди. Бу унинг биполяр ИС га қараганда унинг афзаллиги ҳисобланади.
• Охирги вақтда подложка (таглик) материали сифатида арсенид-галлий кенг тарқалди. Ушбу асосдаги яримўтказгичли микросхемаларда актив элемент сифатида бошқарилувчи металл-яримўтказгич ўтишли майдоний транзисторлар (МЕЯ) хизмат қилади.

ИМСлар яратишнинг технологик жараёни

• Замонавий яримўтказгичли ИС кристалларининг ўлчамлари 20 х 20 мм2 га етди, ИС фрагментларининг ўлчамлари эса 10 ва 100 микрометрни ташкил этади.

ИМСлар яратишнинг технологияси

ИМСлар яратишнинг технологияси

ИМСлар яратишнинг технологияси

Яримўтказгич ИМСлар яратишда технологик жараён ва операциялар

• Яримўтказгич ИМСлар тайёрлаш учун асосий материал бўлган - кремний монокристал қуймалари олишдан бошланади. (Чохральский усули)
• Ҳосил бўлган кремний қуймаси n– ёки р–турли электр ўтказувчанликка эга бўлади.
• Қуйма узунлиги 150 см, диаметри эса 150 мм ва ундан катта бўлиши мумкин.
• Зонали эритиш усулида монокристал ифлослантирувчи киритмалардан қўшимча тозаланади.

Яримўтказгич ИМСлар яратишда технологик жараён ва операциялар

• Эпитаксия. Эпитаксия жараёни асос сиртида унинг кристалл тузилишини такрорловчи юпқа монокристал ишчи қатламлар ҳосил қилиш учун ишлатилади.
• Газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n– ёки р–турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал қатламлар ҳосил қилиш имконини беради.
• Термик оксидлаш. Термик оксидлаш – кремний сиртида оксид (SiO2) қатлам (парда) ҳосил қилиш мақсадида сунъий йўл билан оксидлашдан иборат жараён. У юқори (1000÷1200) 0С температураларда кечади.