0,04 200 8 В.
I E R1 R2 Rн R2 Rн 10 50 200 50
200 50 0,11 А.
По закону Ома
Uвых
I R2 Rн
R2 Rн 0,1 200 50
200 50 4,4 В.
Пример 1.2
В схеме измерительного моста (рисунок 1.2) определить ток I и
напряжение Uab, если
E 10 В,
Rx 15 кОм,
R1 50
Ом,
R2 5 кОм,
R3 200
Ом.
Решение
Определим эквивалентное сопротивление
Rэкв
R1 R3 R2 Rx R1 R3 R2 Rx
R1 R3 R2 Rx
50 2005 103 15 103
50 200 5 103 15 103
I
247
Ом.
R2
Rx
Рисунок 1.2 – Измерительный мост
Ток I вычислим по формуле
I E
Rэкв
10
247 40,5
мА.
Напряжение U1 – по формуле
U1 ER1 R1 R3 10 50
50 200 2,0 В.
Напряжение U2 – по формуле
U2 ER2 R2 Rx 10 5 10
3
5 103 15 103
2,5 В.
Uab U1 U2
2,0 2,5 0,5 В.
Задачи для решения
Источник напряжения с
Uист 12
В нагружен на сопротивле-
ние Rн 100 Ом. Вычислить ток через нагрузку Iн и напряжение на
нагрузке Uн, если сопротивление источника: а)
Rист 0,2
Ом; б)
Rн 200
Ом.
Напряжение холостого хода аккумуляторной батареи равно
12 В. При соединении с нагрузкой потребляющей 10 А, напряжение батареи уменьшается до 11,7 В. Определить внутреннее сопротивле- ние батареи.
В схеме измерительного моста (рисунок 1.2) определить ток I
и напряжение Uab, если
E 10 В,
Rx 0
Ом,
R1 50
Ом,
R2 5 кОм,
R3 200
Ом.
В схеме измерительного моста (рисунок 1.2) определить ток I
и напряжение Uab, если
E 10 В,
Rx ,
R1 50
Ом,
R2 5 кОм,
R3 200
Ом,
Вольтметр на номинальное напряжение
Uном 3
В имеет
внутреннее сопротивление
RV 400
Ом (рисунок 1.3). Определить
сопротивления добавочных резисторов, которые необходимо под- ключить к вольтметру, чтобы расширить пределы измерения до 15 и 75 В.
75 В 15 В 3 В +
Рисунок 1.3 – Схема расширения пределов измерения вольтметром
Миллиамперметр на номинальный ток
Iном 30
мА имеет
нормированное падение напряжения
U 75
В. Определить внутрен-
нее сопротивление прибора. Какое сопротивление должен иметь наружный шунт к этому прибору для расширения предела измерения
по току до I 3 А.
Вольтметр с входным сопротивлением 100 кОм использу- ется для измерения напряжения в схеме, приведенной на рисунке 1.1.
Найти напряжение, показываемое вольтметром, если E 10 В;
R1 5
кОм;
R2 10
кОм;
Rн 20
кОм. Отличается ли это напряже-
ние от напряжения, которое показал бы идеальный вольтметр?
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ № 2
Расчет схем с полупроводниковыми диодами и транзисторами
Примеры решения задач
Пример 2.1 Обратный ток полупроводникового диода
I0 1 мкА
при температуре
T 300
К. Определить сопротивление диода посто-
янному току R0 и его дифференциальное сопротивление rд при пря-
мом напряжении U 150 мВ. Решение
Определим ток диода I по формуле
I I0
eU T
1, (2.1)
где T
– тепловой потенциал,
T kT
q , k – постоянная Больцмана,
T kT q T 11600 300 11600 25,86.
I 1106 e150103
25,86103
1 326,5 106 А.
Сопротивление диода постоянному току
R0 U I 150 10 326,5 10 460
3 6
Ом.
Дифференциальное сопротивление определим, разрешая (2.1) от- носительно U и дифференцируя его:
rд dU dI T I I0 25,86 10 326,5 10 110 79,32 Ом.
3 6 6
Пример 2.2 Определить ток I, текущий в схеме (рисунок 2.1), и напряжение на диоде Uд. Известна вольт-амперная характеристика
диода (рисунок 2.2), E 6 В; R 75 Ом.
VD 80
60
I, мА
40
R 30
20
10
00
2 4 6
U, В
ний
Решение
Искомые параметры определяются из решения системы уравне-
E U д IR;
I
д
f U ,
где первое уравнение системы – уравнение нагрузочной прямой; вто- рое – вольт-амперная характеристика диода.
Для решения задачи используем графоаналитический метод. По- строим нагрузочную прямую по двум точкам (точкам ее пересечения с осями координат). Напряжение холостого хода Uхх – это точка пере-
сечения нагрузочной прямой с осью абсцисс I 0,
Uхх
E 6 В.
Ток короткого замыкания Iкз – точка пересечения прямой с осью ор-
динат Uд 0 , Iкз E R 6 75 80 мА.
Определяемые значения тока I и напряжения Uд лежат на пересе- чении вольт-амперной характеристики и нагрузочной прямой:
I 67
мА;
U 0,6
мВ.
Пример 2.3 Транзистор имеет параметры:
h11б
25
Ом;
h12б
2 104
; h21б
0,98;
h22б 1
мкСм. Определить все физические
параметры T-образной схемы замещения.
Решение
Указанные параметры соответствуют включению транзистора с ОБ. Такому включению соответствует T-образная схема замещения с дифференциальными параметрами , rэ, rб, rк:
h21б 0,98;
rб h12б
h22б
2 104
106
200
Ом;
rэ h11б
1 h21б
h22б
25 2 10 4 1 0,98
106
21
Ом;
rк 1 h22б
1 106
200
Ом.
Пример 2.4 Транзистор имеет параметры:
h21э
14 50 ;
h
f
21э
10
МГц. Чему равен его коэффициент передачи в схеме ОЭ на
частоте 20 МГц? Можно ли использовать его в схеме усилителя с ОБ для работы на частоте 500 МГц?
Решение
Находим среднее значение
h21эср
14 50
2 32 .
На частоте 20 МГц значение коэффициент передачи вычислим по формуле
h21э
f h21эср
32
14,31.
Граничная частота транзистора ОБ равна:
fh21б
fh21э
1 h21э
10 106 1 32 330
МГц.
Таким образом, использовать этот транзистор для работы в схеме ОБ на частоте 500 МГц нельзя.
Uпр 0,3 В и
T 0,8
C. Определить: 1) I0; 2) rд при
Uпр 0,2
В; rд
при Uпр 0 В.
Обратный ток диода
I 5 10 6
А при температуре T
300 К.
0
Какое напряжение нужно приложить к диоду, чтобы ток диода соста- вил 75 мА.
Построить вольт-амперную характеристику диода в диапазоне
прямого тока через диод от 0 до 100 мА, если
I0 10
пА и
T 26
мВ.
Определить ток, текущий в схеме, показанной на рисунке 2.1.
Известна вольт-амперная характеристика диода (рисунок 2.3),
E 2 В; R 1 кОм.
0
Определить ток, текущий в схеме, показанной на рисунке 2.1, пользуясь аналитической записью вольт-амперной характеристики
(2.1). Известны:
I 110 12 А; T
Do'stlaringiz bilan baham: |