Elektron asboblar va mikroelektronika

1. Sezgirligi: To’yinish rejimida ishlay oladigan uzluksiz effektiv fotokatodning qo’llanilishi zaryad yig’ish printsipining 100 % ishlatilishini ta'minlaydi. Bundan tashqari fototok nishondagi ikkilamchi emissiya (  1) hisobiga kuchaytiriladi. Nishonda qayta taqsimlanishsiz sekin elektronlar yordamida amalga oshiriladigan kommutatsiya va ikkilamchi emission ko’paytirgichni birgalikda qo’llanilishi superortikonning yuqori sezgirlikka ega bo’lishini ta'minlaydi. Bunday asboblar bir necha lyuks yoritilganliklarida ham bemalol ishlay oladi. U_BS – U_M tezlashtiruvchi potentsiallar farqi maksimal qiymatga ega bo’lganda nishonda ikkilamchi emissiyaga asoslangan zaryad yig’ilishining eng effektiv qiymatlariga kichik yoritilganliklarda erishiladi.
2. Yorqinlik gradatsiyasi: Yoritilganlik oshib borishi bilan U_M U_BS ga yaqinlashib borishi oqibatida zaryad yig’ish tezligi kamayib boradi. Bu jarayon ma'lum bir kritik yoritilganlikkacha (E_K) davom etadi va kritik qiymatga erishilganda zaryad yig’ish tezligi nolga teng bo’lib qoladi. Chunki E  E_K elementlarning potentsiallari ma'lum bir to’yinish qiymatiga erishib bo’lganligi uchun ularni qiymatlarini yanada oshirish mumkin emas. Shuning uchun superortikon yorqinlik graditsiyasini yoritilganlikning past darajalarida yaxshi uzatadi va bu uning ikkinchi muhim afzalligiga kiradi.
3. Signal-yorug’lik xarakteristikasi: Superortikon uchun xos bo’lgan signal-yoruqlik xarakteristikasi 2.16 – rasmda keltirilgan (1 egri chiziq). Nazariya bo’yicha E  E_K bo’lgan qiymatlarda asbob yorqinlik graditsiyasini uzatishi kerak emas. Amaliyotda esa yuqori yoritilganliklarda, ya'ni U_M ≈ U_BS bo’lganda, nishon elementlari orasida ikkilamchi elektronlarning qayta taqsimlanishi boshlanadi.

2.16– rasm. Superortikonning signal-yorug’lik xarakteristikasi.

Oqibatda katta E qiymatlarga ega bo’lgan elementlar ko’p fotoelektronlar tomonidan bombardirovka qilinishi sababli o’zidan katta miqdordagi ikkilamchi elektronlarni chiqarib, E_K qiymatdan katta, lekin E dan kichik yoritilganlikka ega bo’lgan elementlarga nisbatan yuqoriroq potentsialga erishadi. Demak signal-yoruqlik xarakteristikasi real holatda 2.16 – rasmda ko’rsatilgan 2 va 3 egri chiziqlar shaklida bo’ladi va uning shakli optimal shaklga yaqinlashadi.

Barer to’rning potentsiali oshishi bilan potentsial relefning chuqurligi oshadi va 2.16 – rasmda ko’rsatilgan xarakteristika yuqori qiymatlarga qarab harakat qiladi. Natijada asbobning sezgirligi oshadi, ammo bunda ortikondagi kabi, potentsial relefning kommutatsiyalovchi dastaning sekin elektronlariga ta'siri oshadi va asbobning ajrata olish qobiliyati kamayadi. Shuning uchun U_BS unchalik katta qiymatlarga ega bo’lmasligi lozim.