Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук научный консультант: Маматкаримов О. О

§2.5 Влияние всестороннего гидростатического сжатия на вольтам-
перную характеристику поверхностно барьерных диодов
Sb p Si Mn Au……………………………………………….
67
§2.6 Влияние профиля распределения примеси на параметры варак-
торов (барьер Шоттки), подвергнутых всестороннему гидроста-
3
тическому сжатию…………………………………………………… 77
Выводы к второй главе…………………………………………….. 83
ГЛАВА III.ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕНЗОРЕЛЕКСАЦИОННЫХ ЯВЛЕНИЙ
В КОМПЕНСИРОВАННОМ КРЕМНИИ И СТРУКТУРАХ НА ЕГО
ОСНОВЕ
§3.1 Влияние импульсного всестороннего гидростатического давле-
ния на электропроводимость образцов Si Mn и Si Zn …….
86
§3.2 Физические механизмы динамической тензо проводимости в
компенсированных образцах Si Mn и Si Zn ……………….
93
§3.3 Релаксационные эффекты в легированном кремнии с примесны-
ми Au и Mn…………………………………………………………...
97
§3.4 Исследование комбинированных тензо-терморелаксационных
эффектов при импульсном гидростатическом сжатии в легиро-
ванном Si……………………………………………………………..
115
§3.5 Влияние импульсного всестороннего сжатия на ВАХ поверх-
ностно барьерных диодов Sb p Si Mn Au………….……..
118
§3.6 Тензочувствительность компенсированного кремния……………. 124
Выводы к третьей главе……………………………………………... 130
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИX СВОЙСТВ
КОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ ПРИ ОДНООСНОЙ УПРУГОЙ
ДЕФОРМАЦИИ
§4.1 Тензоэффект и механизмы его проявления в сильно компенсиро-
ванных образцах Si Mn .................................................................
131
§4.2 Исследование тензоэффектав кремнии, компенсированном при-
месями марганца и цинка……………………………………………
139
§4.3 Тензоэлектрические явления в монокристаллическом кремнии
при одноосной упругой деформации……………………………….
145