Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук научный консультант: Маматкаримов О. О

НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УЗБЕКИСТАНА
имени МИРЗО УЛУГБЕКА
На правах рукописи
УДК 621.315.592
ТУРСУНОВ ИКРОМЖОН ГУЛОМЖОНОВИЧ
ТЕНЗОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В КОМПЕНСИРОВАН-НОМ КРЕМНИИ И В ПОВЕРХНОСТНО - БАРЬЕРНЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ НА ЕГО ОСНОВЕ
01.04.10 – ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
(физико-математические науки)
ДИССЕРТАЦИЯ НА СОИСКАНИЕ УЧЕНОЙ СТЕПЕНИ ДОКТОРА ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИХ НАУК
Научный консультант: Маматкаримов О.О.
доктор физ.-мат. наук
Ташкент – 2018
2
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 6
ГЛАВА I. ТЕНЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИ-
КОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
§1.1 Физические основы легирования полупроводников примесями с
глубокими уровнями…………………………………………………
16
§1.2 Механизмы взаимодействия примесных атомов в кристаллах
кремния и образование их микрообъединений……………………
21
§1.3 Влияние деформаций на электрофизические свойства полупро-
водниковых твердых веществ……………………………….....…..
25
§1.4 Тензоэлектрический эффект в полупроводниковых кристаллах с
глубокими примесными уровнями………………………………….
32
Основные выводы и задачи исследования ………………………… 41
ГЛАВА II.ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ИЗОТРОПНОГО ДАВЛЕНИЯ
НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ КОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
И ВАХ ПБД СТРУКТУР НА ЕГО ОСНОВЕ
§2.1 Технология легирования кремния марганцам, золотом и цинком
и изготовление структур с Барьером Шоттки на их основе………
43
§2.2 Влияние внешних воздействий на поведение примеси золота в
кремнии……………………………………………………………….
48
§2.3 Тензоэффекты в кремнии, легированного золотом при
изотропном давлении..........................................................................
53
§2.4 Электропроводность кремния, легированного марганцом и
цинком, в условиях гидростатического давления............................
58