Davlat universiteti

2-rasm. Tranzistorning umumiy baza bilan (a) va umumiy emitter 
bilan (b) ulanish sxemalari 

---

Tranzistorning turiga qarab kirish qarshiligining qiymati bir necha om dan 
bir qancha o„nlab Om diapazonida bo„ladi.
Chiqish qarshiligi kollektor kuchlanishi U
k
ning tok I
k
ga bo„lgan 
nisbatidan iborat: 
R
chiq. b

k
k
I
U
va har xil tranzistorlar uchun 0, 2 dan 1 MOm gacha bo„ladi.
Tok bo„yicha kuchaytirish koeffitsienti chiqish I
k
va kirish I
e
toklarining 
nisbati kabi topiladi: 


э
k
I
I
Shu narsa xarakterliki, ko„rilayotgan sxemada tok bo„yicha kuchaytirish 
amalda yo„q (


1), chunki tranzistorlarda umuman olganda, Ie -I
k

I
b
, bu sxemada 
esa baza toki haddan tashqari kichik, ya ni I
‟
e

I
k
.
Kuchlanish bo„yicha kuchaytirish koeffitsienti chiqish kuchlanishi U
n
ning 
kirish kuchlanishi U
kir
ga bo„lgan nisbatidan iborat: 
K
U 

ки р
н
U
U
Agar U
n

I
k
R
n
, U
kir

I
e
R
kir
ekanligini hisobga olinsa, u holda kuchlanish 
bo„yicha kuchaytirish koeffitsientini quyidagicha ifodalash mumkin: 
K
U

ки р
э
н
k
R
I
R
I


ки р
н
R
R
Bu sxema uchun kuchlanish buyicha kuchaytirish koeffsienti 5000 ga 
yetishi mumkin.
Ruxsat etilgan sochilish quvvati va chegaraviy chastotasi (tranzistorni 
ishlatish maqsadga muvofiq bo„lgan chastotasining chegarasi) kabi parametrlari 
avvalo tranzistorning turiga bog„liq va ular uning texnikaviy pasportida 
ko„rsatiladi.
Kirish xarakteristikasi (3 -rasm, a) kollektordagi kuchlanish o„zgarmas 

---

bo„lganida emitter toki Ie ning undagi kuchlanish Ue ga bog„liqligini, ya ni Uk 
‟

sopst da Ie 


(Ue) ni ifodalaydi. Bu xarakteristika qanchalik tik bo„lsa, 
tranzistorning kirish qarshiligi R
kir, b
shuncha kichik bo„ladi. Ba zan hisoblashlarda 
‟
Uk 

sopst da Ue 


(I
e
)bo„lgan xarakteristikadan foydalaniladi, buni ham kirish 
xarakteristikasi deb ataladi.