Davlat universiteti

4-rasm. Diffusion – planar transistor tuzilmasining
umumiy ko’rinishi 
 
Mezaplaner tranzistorlar. 
Tranzistorlarning aktiv qismini meza-tuzilma 
ko rinishda yaratish uchun emitter va baza ma lum qismlarini ikkilama yedirish 
‟
‟
bilan olinadi 5-rasm. Bu tranzistorlarni bitta yarimo tkazgich 
‟
plastinkada bir 
texnologik siklda ko plab 
‟
miqdorda tayyorlash mumkin. Shuning uchun 
parametrlardagi farqlar kam. 

---

5-rasm. Mezaplanar transistor tuzilishi 
Meza planer tranzistorlardagi o tishlar kichik sig imga va uncha katta 
‟
‟
bo lmagan baza qarshiligiga ega. Bu tranzistorlarning chegara takroriyligi bir 
‟
qancha yuz megagersga boradi. 
MDYa tranzistorlar.
Bunday tranzistorlarnini olish uchun n- yeurdagi 
kremniy sirtiga qalin SiO2 o„stiriladi.,
keyin alohida qismlardan oksid ketkazilib, 
o„rniga yana yupqa SiO
2
qatlam o„stiriladi. (6,a-rasm). Shu yupqa SiO
2
sirtiga 
polikristall kremniy parda o„tkaziladi va fotolitografiya olib boriladi (6,b-rasm).
Keyin paynoy va manba sohalari ustidagi oksid yedirilib, tirqishlar hosil qilinadi. 
Keyingi bosqichda manba va paynov sohalar diffuziya usulida legirlanadi (6,v-
rasm). Yuqori temperaturda o„tkazilgan natijasida manba va paynov sirti 
oksidlanib qoladi. Shuning uchun oxirgi amalda oksid qatlam yedirilib, (6,g-rasm) 
metall elektronlar o„tkaziladi. Zatvor sifatida polikristall kremniyning qo„llanilishi 
chegara kuchlanishini 0,5-,0V gacha kamaytiradi. Bu esa IMS larda katta afzallikni 
keltiradi. 
 
 
6-rasm.
MDYa tranzistorning olinish texnologiyasi: 1-SiO
2
-
qatlam; 2-polikremniy; 3-legirlangan paynov va manba soxalar.