Davlat ta’lim standarti o’quvchilarning har biriga ta’lim olishda keng

Oqim manbai yordamida Pt100 masofaviy qarshilik termometrini ulash 
diagrammasi 
Kirish manbai va qo'llab-quvvatlash kuchlanish manbai differensial 
munosabati bilan zamonaviy anal-raqamli Konverter (ADC) foydalanish nafaqat 
chiqish raqamli signal, microcontroller kiritish uchun tayyor olish imkonini beradi, 
balki qarshilik termometre ulanish soddalashtirish. Shakl bo'yicha. 8 ADC asosida 
nozik harorat o'lchaganini ko'radi diagrammasi taqdim etiladi. 

---

33 
Kam shovqinli 24-bit sigma - Delta ADC MAX11201B dan foydalanish 
qarshilik termometrini nozik oqim yoki kuchlanish manbalariga ehtiyoj sezmasdan 
ulash imkonini beradi, bu esa past shovqinli past shovqinli stabilizatorni past 
kuchlanishli (LDO) MAX8510 [15, 16] bilan cheklash imkonini beradi. R5 nozik 
rezistoridagi kuchlanish tushishi ADC uchun mos yozuvlar kuchlanishini 
ta'minlaydi. R5 rezistoridan oqib o'tadigan o'lchov oqimi qarshilik termometrini ham 
qo'zg'atadi, shuning uchun oqim qiymatlarining har qanday o'zgaruvchanligi to'liq 
qoplanadi. R1 va R6 rezistorlar ADC-ga o'rnatilgan bufer kuchaytirgichlarining 
normal ishlashini ta'minlaydi. Ular +150 MV dan (AVdd–150) MV gacha bo'lgan 
"er" ga nisbatan kirish va qo'llab-quvvatlash stresslarining mutlaq qiymatini 
cheklaydi. Issiqlik qarshiligini uchga ulash uchun ulanish simlari sonini kamaytirish 
uchun max9617 operatsion kuchaytirgichida va mmbta14 tranzistorida (shakl. 9). 
PRAHR182I2 - 750RFW rezistorlar juftligi I1 va I2 oqimlarining tengligini 0,05% 
aniqlik bilan ta'minlaydi va shu bilan aloqa simlarida [17] kuchlanish pasayishini 
qoplaydi. Ikkinchisi bir xil turdagi, bir xil uzunlik va kesim bo'lishi kerak. Hozirgi 
vaqtda qarshilik termometrlarini 2 -, 3 - va 4-simli davrlarga ulash uchun 
mo'ljallangan turli xil maxsus himoyalangan kabellar ishlab chiqarilmoqda. 
Sanoat qo'llanmalari uchun mmbta14 bipolyar kompozit tranzistorlari, ayniqsa, 
yuqori harorat sharoitida ishlayotganda, dalaga nisbatan afzalroqdir. Izolyatsiya 
qilingan deklanşör (MOSFET) tranzistörlerde, deklanşör oqimi har bir 8 °C harorat 
ortishi bilan ikki barobar va bir necha o'nlab erishish mumkin. Shunday qilib, 
bipolyar tranzistorning oqim nazorat qilish oqimidan kelib chiqqan oqim oynasi 
xatosi, izolyatsiya qilingan deklanşör bilan yarim himoyachi tranzistordan kamroq 
bo'lishi mumkin.

---

34 
Xulosa 
TCM yordamida o'lchovlarning aniqligini oshirishning bir usuli-
qarshilikning haroratga bog'liqligini individual koeffitsientlarini olish uchun ularni 
bitirishdir. Olingan koeffitsientlar, masalan, raqamli o'lchash tizimining xotirasida 
saqlanishi va o'lchovlar natijasida tegishli tuzatish kiritilishi mumkin. Biroq, bu usul 
kichik partiyalarda qabul qilinishi mumkin va bitiruv jarayonining yuqori mehnat 
zichligi tufayli ommaviy ishlab chiqarishda amalda qo'llanilmaydi. Bunday holda, 
aniq qarshilik termometrlaridan foydalanish yanada samarali echim bo'lishi 
mumkin. Shu bilan birga, nozik transport vositasidan foydalanish haqiqati tizimning 
yuqori aniqligini kafolatlay olmaydi. Shu bilan birga, tanlangan sxemaning etarliligi 
hal qilinadigan muammoni hal qilish uchun transport vositasini o'z ichiga oladi. 
Bundan tashqari, ulanish simlari va ulagichlarining uzunligi va sifati, samarali 
ekranlash, filtrlash, elementlarning malakali tuzilishi va tenglikni kabellari orqali 
elektromagnit moslashuvni ta'minlash kabi omillarning ta'sirini hisobga olish kerak. 
Kristall haroratining ADC konvertatsiya natijalariga ta'siri kabi juda aniq, ammo 
sezilarli xato manbai mavjud bo'lib, uning ta'siri kristalning haroratini o'lchash 
uchun qo'shimcha sensorni kiritish orqali hisobga olinishi mumkin. Amaliyot shuni 
ko'rsatadiki, dizaynning turli jihatlarini hisobga olgan holda, faqat shunga o'xshash, 
kompleks yondashuv zamonaviy elektron texnologiyalar bozorida raqobatbatdosh 
ustunlikka ega bo'lgan tizimning aniqligi va qiymati bo'yicha muvozanatli 
yaratishga imkon beradi. 

---

35