Д. В. Харьков графит в науке и ядерной технике г. Новосибирск 013 Монография

часть, которая представлена вставкой на рис. 5.7 в координатах Δσ(
T
)
– 
ln
T
, 
где Δσ(
T
) = σ(
T
)
эксп
– σ(
T
)
экстр
. Аномальная часть, полученная вычитанием 
регулярной части из экспериментальных данных, достаточно хорошо 
аппроксимируется прямой в координатах Δσ(
T
) –
 
ln
T
.
Это также 
свидетельствует в пользу того, что двумерные квантовые поправки, 
связанные со слабой локализацией, доминируют при низких температурах. 
Возможной 
причиной 
отклонения 
температурной 
зависимости 
проводимости от логарифмической при повышении температуры может быть 
ненулевая вероятность перехода носителей между слоями, что связано с 
общей высокой дефектностью графеновых слоев и сложной структурой 
композита (рис. 5.4). Влияние подобного рода переходов на квантовые 
поправки проанализированы в [144] для случая оксидных сверхпроводников, 
обладающих перовскитной слоистой структурой. Следуя [144], влияние 

---

137 
переходов носителей между слоями на характер проводимости можно 
качественно 
пояснить 
следующим 
образом. 
Полная 
величина 
интерференционной поправки пропорциональна вероятности возвращения в 
стартовую точку за время, меньшее времени сбоя фазы τ
φ
. Пусть, например, 
структура представляет собой два параллельных слоя. Если переходов между 
ними нет, то каждый слой дает поправку к проводимости согласно формуле 
(5.2) в виде: 
/
~ 
–
e
2
/ћ
 
ln(
Lφ