40
Ансамбль микротрещин изначально является следствием сильной
анизотропии свойств на уровне микрокристаллита,
в то время как
анизотропия заметно ослаблена на уровне зерна.
Под действием облучения
ансамбль микротрещин эволюционирует, что в
значительной степени и
является причиной наблюдаемых радиационных эффектов. На уровне
поликристалла в целом радиационные эффекты либо изотропны, либо
ортотропны в зависимости от способа получения графита.
Движущей силой всех вышеперечисленных эффектов является
радиационно-индуцированное
изменение
формы
микрокристаллита,
вызываемое развитием в нём микроструктуры, преимущественно в базисной
плоскости. Хотя перечисленные эффекты описаны эмпирически и поняты на
качественном уровне, теория, позволяющая описывать радиационные
эффекты в графите на макроуровне отсутствует.
В
работе
[61]
предложена аналитическая модель, в которой на основе
рассмотрения ортотропного континуума со случайно расположенными
формоизменяющимися включениями (кристаллитами) удалось связать
развитие внутренних напряжений с эволюцией ансамбля трещин.
Рассматриваемая
модель
учитывает
два
основных
эффекта,
определяющих упругие свойства графита и
ранее не принимавшихся во
внимание, - рост внутренних напряжений в графите вследствие
формоизменения кристаллитов под действием облучения и изменение
упругих свойств графита из-за эволюции в нём ансамбля микротрещин. Для
описания упругих свойств графита рассматривается решёточная модель
поликристалла (рис.1.14), в которой кристаллиты находятся в узлах решётки
с координатами
x
j
. Модель предполагает наличие беспорядка в ориентации
и размерах кристаллитов, а их формоизменение
происходит под действием
случайных сил со стороны матрицы. В гипотетическом случае регулярной
решётки кристаллитов эти силы также регулярны и соответствуют сжатию
вдоль оси кристалла и более слабому растяжению вдоль других осей.
41
В реальных неупорядоченных графитах распределение кристаллитов по
размеру существенно бимодально, поскольку наряду с кристаллитами
больших размеров (наполнитель)
имеется множество мелких, входящих в
состав связующего решётки. Если кристаллиты больших размеров могут
быть учтены в решёточной модели явно, то в отношений мелких
кристаллитов связующего такой анализ затруднён по ряду причин.
Предполагается, что упругость структурно-разупорядоченных
тел в
существенной степени определяется наличием микротрещин между
соседними кристаллитами. При деформации графита как в результате
эволюции внутренних напряжений, так и под действием внешних сил
происходит изменение формы и объёма микротрещин.
В
модели предполагается, что формоизменение кристаллитов и силы
внутренних напряжений
p
i
пропорциональны флюенсу нейтронов Φ, так что
p
i
=
p
0
Φ (1-
c
i
). Доля разорванных связей между кристаллитами c
i
из-за
наличия микротрещин поначалу уменьшается с ростом флюенса, поскольку
сохраняются растущие микротрещины и могут исчезать уменьшающиеся. В
конечном счёте оказывается, что зависимость средней доли микротрещин от
флюенса можно апроксимировать линейной функцией:
c
i
=
c
i
0
(1-β
i
Φ)
(1.21)
где
c
i0
–
доля микротрещин в отсутствие облучения.
Значения параметров
p
0
,
c
i0
и β
i
зависят от микроскопических механизмов образования
микротрещин и в дальнейшем в рамках данной модели
рассматриваются как
исходные параметры, в зависимости от состава наполнителя, связующего,
температуры графитации и т.д. Расчеты,
проведенные в рамках данной
решёточной модели, показывают хорошее согласие теории с экспериментом
(рис.1.15).