Conference Paper

2.
 
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии
атомов пленки на подложку, 
осуществляющийся в специальном приборе в условиях сверхвысокого вакуума, имеет 
следующие преимущества: 
а) возможность создания пленок с резкой границей “пленка-подложка”; 

---

Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020 
413 
б) высокая однородность пленки, начиная с толщин 
θ
=50÷100Ǻ; 
в) возможность выращивания эпитаксиальных пленок; 
г) возможность реализации любого набора элементов пленки в соответствии с 
поставленными задачами; 
д) отсутствие перемещивания атомов подложки за счет сегрегации. 
К недостаткам следует отнести: 
а) сложность оборудования; 
б) во многих случаех необходимость создания переходных слоев из-за различия 
кристаллических параметров подложки и пленки и как следствие возникновение 
напряжений. 
в) невозможность получения ультратонких θ<20 Ǻ пленок. 
Несмотря на большие возможности МЛЭ в нашем случае при его использовании 
возникли некоторые сложности. В частности использованием МЛЭ на поверхности 
монокристаллов Si не удалось получить однородные пленки GaAs. Для согласования 
параметров пленки и подложки нами создавались переходные слои методом ионной – 
имплантации. В случае МЛЭ роста на поверхности Si пленки с близкой постоянной 
решетки- CaF
2, 
также не удавалось создать однородную пленку с θ<35 Ǻ. 
3.
 
Метод низкоэнергетической ионной имплантации,
заключающийся в 
создании пленок путем имплантации положительных ионов с энергией Е
о
=0,5÷5 кэВ, с 
большой дозой облучения ~ 10
16 
÷ 10
17
см
-2
в условиях сверхвысокого вакуума. При 
создании тонкопленочных структур метод ионной имплантации используется в 
сочетании с термическим прогревом, что позволяет получать однородные пленки 
толщиной θ=10÷50 Ǻ. При этом между пленкой и матрицей непосредственно в 
процессе имплантации формируется переходной согласующийся слой толщиной 10÷50 
Ǻ. В частности при создании силицида бария BaSi методом ионной имплантации в 
переходном слое образуется BaSi
2
. Метод ионной имплантации является эффективным 
способом создания тонких пленок, согласующихся слоев, ультратонких контактов. 
Метод имеет следующие преимущества: 
а) возможность контролируемого изменения элементного и фазавого состава 
пленки; 
б) возможность реализации любого набора пленка – подложка; 
в) возможность получения тонких и ультратонких пленок; 
г) возможность изменения толщины пленки и толщины переходного слоя; 
д) возможность создания ультратонких контактов; 
е) высокая стойкость полученных пленок к различным воздействиям. 
К недостаткам следует отнести: 
а) нарушение кристаллической структуры поверхности подложки вплоть до полной 
аморфизации, и соответственно, необходимость проведения термического отжига; 
б) ограничность толщины получаемой пленки, из-за трудности в наборе высокой 
дозы при больших энергиях имплантируемых ионов. 
На основе проведенного сравнительного анализа возможностей различных 
методов, можно сказать следующее, что наиболее хороших результатов при 
изготовлении приборных структур микроэлектроники, можно достичь используя 
методы МЛЭ и ионной имплантации.