Birinchi mikrosxemalarni yaratish tarixi. Mikrosxemalar seriyasi Birinchi integral mikrosxemalar yilda paydo bo'ldi mavzu bo'yicha:" Integratsiyalashgan elektronikaning rivojlanish tarixi"

Adabiyot

1. Rosardo L. Jismoniy energetika va mikroelektronika. - M.: Oliy maktab, 1991 yil.

2. Ferry D., Akers L., Grinich E. Ultra katta integral mikrosxemalar elektronikasi. - M.: Mir, 1991 yil.

3. Broday I., Merey J. Jismoniy asoslar mikrotexnologiya. - M .: Mir, 1985.

4. Herman M. Semiconductor superlattices. - M.: Mir, 1989 yil.

5. Lixarev K.K., Semenov V.K., Zorin A.B. Supero'tkazuvchilar elektronika uchun yangi imkoniyatlar. "Fan va texnika natijalari", ser. "Supero'tkazuvchilar". - M.: 1989 yil.

6. Beker Ya.M., Gurevich A.S. Yangi izolyatsion material va uning aloqa kabellarida qo'llanilishi. - Zig'ir. Sanoat, 1958, № 5-6, 89-bet.

7. Bois D., Rosenscher E. Mikroelektronikada mumkin bo'lgan fizik chegaralar. "Chet elda fizika", ser. A. - M.: Mir, 1991 yil.

8. Zentuit E. Yuzaki fizika. - M.: Mir, 1990 yil.

9. Beker Ya.M., Berg I.V. Lazer nurlanishidan foydalangan holda miniatyura o'rnatilgan xotira elementlarini ishlab chiqarish / Sb. "Asbobsozlikda optik kvant generatorlaridan foydalanish". - LDNTP, 1967, 10-bet.

10. Semenov Yu.G., Sifatni nazorat qilish. - M.: Oliy maktab, 1990 yil.

11. Efimov I.E., Kalman I.G., Martynov E.I. Qattiq integral mikrosxemalarning ishonchliligi. - M: Standartlar nashriyoti, 1979 y.

12. Chirixin S.N. Ekspert tizimlarida diagnostika bilimlarini asboblashtirish uchun avtomatizatsiya vositalari. - "Chet el radioelektronikasi", 1991 y., № 8, 7-bet.

13. Beker Ya.M. Molekulyar elektronika darsligi. - LITMO, 1990 yil.

14. Margolin V.I., Jarbeev V.A., Deadlock V.A. Mikroelektronikaning fizik asoslari: Akademiya, 2008 - 400 p.

15. Beker Ya.M., Tkalich V.L. LSI ZU diagnostikasi, nazorati va ishonchliligini bashorat qilish, Sankt-Peterburg, Sankt-Peterburg GU ITMO, 2005

16. Elektronikada nanotexnologiya. Yu.A.Chaplitin tomonidan tahrirlangan - M.: Texnosfera, 2005 - 448 p.

Allbest.ru saytida joylashtirilgan

...

Shunga o'xshash hujjatlar

Elektronika tushunchasi, yo'nalishlari, asosiy bo'limlari va rivojlanish yo'nalishlari. Kvant, qattiq jism va vakuum elektronikasining umumiy xususiyatlari, ularni rivojlantirish va zamonaviy jamiyatda qo'llash yo'nalishlari. Plazma elektronikasining afzalliklari va kamchiliklari.

avtoreferat 02.08.2013 yilda qo'shilgan

Katalitik va katalitik bo'lmagan reaktsiyalar, anodlash usuli, integral elektronika uchun elektrokimyoviy plyonkalarni yotqizish usuli. AlN dan qoplama olish uchun gazni fazali yotqizish usulining mohiyati. Kino qoplamalarini olish fizik-kimyosi.

muddatli qog'oz, 2011 yil 29-aprelda qo'shilgan

Parametrik ferroresonant kuchlanish stabilizatorlaridan foydalanish. Integral mikrosxemaning konstruktiv va texnologik dizayni. Integral tranzistorni hisoblash va uning xususiyatlari. Texnik talablar va mikrosxemalar topologiyasini ishlab chiqish.

muddatli ish, 2012 yil 15-iyunda qo'shilgan

Qattiq jismlar elektronikasining kelib chiqishi va rivojlanish bosqichlarini o'rganish. Maykl Faradey, Ferdinand Braunning ilmiy kashfiyotlari (simsiz telegrafiya yaratish). Kristal detektori Picard - "mushukning mo'ylovi". Detektor-generatorni yaratish O.V. Losev.

referat, 2010 yil 12-sentyabrda qo'shilgan

Yupqa plyonka texnologiyasiga asoslangan holda paketsiz birlashtirilgan mikro yig'ishni ishlab chiqarish uchun topologiyani ishlab chiqish. Foydalanilgan sxematik ma'lumotlar va materiallar. Ulanishlarni almashtirish sxemasini ishlab chiqish. Yupqa plyonkali mikro yig'ish elementlarini hisoblash.

2013 yil 8-iyunda qo'shilgan muddatli ish

Paketdagi integral mikrosirkulyatsiya (IC) shaklida zaif signal kuchaytirgichini ishlab chiqish. Ishlab chiqarish texnologiyasini tanlash. Integral elektron elementlarning geometrik o'lchamlari va topologiyasini hisoblash. Qo'shimcha qismlarni tanlash, taxta kattaligi va korpus.

2013 yil 29-iyunda qo'shilgan muddatli ish

Butun dunyoda integral mikrosxemalarni yaratish va mikroelektronikani rivojlantirish. Elektron uskunalarning arzon elementlarini ishlab chiqarish. Integral mikrosxemalarning asosiy guruhlari. Birinchi Kilbi integral mikrosxemasini yaratish. SSSRda birinchi yarimo'tkazgichli integral mikrosxemalar.

avtoreferat, 22.01.2013 qo'shilgan

AM-FM qabul qiluvchilarni qurishning asosiy printsiplari. IC TA2003 elektr zanjirini tahlil qilish. Kristalning fizik tuzilishini, ishlab chiqarishning texnologik yo'nalishini va integral mikrosxemaning topologiyasini ishlab chiqish. Elementlar va bloklarning joylashuvi.

tezis, 11/01/2010 da qo'shilgan

Integral mikrosxemaning elektr parametrlari (IC). P-n-birikmasi bilan boshqariladigan dala effektli tranzistor modeli parametrlarini hisoblash. Manba izdoshlarini yoqish uchun sxemani modellashtirish. ICni ishlab chiqarish uchun topologiya va texnologik marshrutni ishlab chiqish.

tezis, 29.09.2010 yil qo'shilgan

Axborot elektronikasining rivojlanish bosqichlari. Elektr signallarining kuchaytirgichlari. Yarimo'tkazgichli axborot texnologiyalarini rivojlantirish. Integratsiyalashgan mantiqiy va analog mikrosxemalar. Xotiraga ega elektron avtomatik mashinalar. Mikroprotsessorlar va mikrokontrolrlar.

Malin B.V.

Yaqinda mikroelektronika sohasidagi birinchi rus mutaxassislaridan biri, ichki integral mikrosxemalarning birinchi seriyasini ishlab chiquvchi va yaratuvchi BV Malin vafot etdi.

O'limidan sal oldin, MEPhI-da Mikroelektronika bo'limi muharrirlari va xodimlarining iltimosiga binoan Boris Vladimirovich birinchi ichki integral mikrosxemani yaratish bo'yicha maqola ustida ish boshladi.

Taniqli shaxsga, mutaxassisga, o'qituvchiga so'nggi qarzimizni to'lab, biz maqolaning mualliflik loyihasini nashr qilamiz, afsuski, tugallanmagan.

A. Osipov, ilmiy muharrir

Yaratish uchun zarur shartlar- bipolyar va bir qutbli tranzistorlar ishlab chiqarishning mavjudligi, bunday tranzistorlarni hisoblash nazariyasi Shockley, Desey and Ross, Tesner. Bosh tranzistorlar institutini rivojlantirish - NII-35 (NII "Pulsar"). Transistorlarni ishlab chiqarish va ishlab chiqarishning mahalliy texnologiyasida 60-yillarning boshlarigacha bo'lgan davr germaniy monokristallaridan boshlang'ich material sifatida foydalanish va faqat bipolyar tranzistorlar ishlab chiqarish bilan tavsiflanadi. Unipolar tranzistorlar ishlab chiqarilmadi. Integral elektron texnologiyasi har xil funktsional maqsadlar uchun mikroelektronik sxemalarning faol elementlari sifatida har ikkala tranzistor turini va silikon yagona kristalli texnologiyani joriy etishni talab qildi. 1957-1961 yillarda. muallif 339 seriyali bir qutbli tranzistorlarni ishlab chiqardi va shu asarlar asosida tezis himoya qilindi.

Miniaturizatsiya tushunchalari va mikroelektronika - mikromodulyar texnologiyalar va AQSh armiyasining "Tinkertoy" loyihasi, KB-1 da o'zlashtirilgan. Bipolyar tranzistorlar ishlab chiqarishni rivojlantirish va ularni mudofaa va kosmik texnologiyalarda qo'llash bilan bir vaqtda, bosh tranzistor NII-35 ularning sxemalarini loyihalash texnikasi va texnologiyasini, birinchi navbatda, mikromodule dasturiga asosan standart konstruktiv elektron elementlari sifatida ishlab chiqardi - asosiy ishlab chiquvchilar Barkanov (KB-1) va Nevejin (NII-35). Bu tranzistorlar va radioelektron komponentlarni miniatyuralash printsiplariga, shuningdek turli sxemalardagi standart bloklar to'plamining miniatyura standart qismlaridan yig'ishni avtomatlashtirish printsiplariga asoslangan edi (AQSh armiyasining "Tinkertoy" loyihasiga o'xshash).

Kremniy bo'yicha muhim texnologiyani o'zlashtirish- tekis kremniy texnologiyasi. MEP. Transistorlar va integral mikrosxemalarni yaratish sohasida Qo'shma Shtatlarda strategik yutuq sifatida kremniyda texnologiyani, ayniqsa, planar kabi juda muhim texnologiyani ishlab chiqish va ishlab chiqarishni amalga oshirish deb hisoblash kerak. Mahalliy ishlab chiqarish amaliyotida planar texnologiyani ishlab chiqish deyarli 1962 yilda nol darajadan boshlandi.

1959 yilda AQShda Jek Kilbi tomonidan kremniy integral mikrosxemalari ixtiro qilinishi va ularni Minuteman raketasini boshqarish tizimida ishlatish uchun Amerikaning "Texas" firmasi tomonidan ishlab chiqarilishi ishlarning rivojlanishiga muhim turtki bo'ldi. Germaniyada volumetrik integral mikrosxemalarni yaratishga urinishlar muallif tomonidan 1959-1962 yillarda NII-35da amalga oshirildi. 1959 yildan beri ichki silikon integral mikrosxemalarni ishlab chiqish aslida Jek Kilbi bilan raqobatdosh yozishmalar kurashining uzluksiz jarayoni edi.

Amerika texnologik tajribasini takrorlash va nusxalash tushunchalari - IEPning "teskari muhandislik" deb nomlangan usullari amalda bo'lgan. Qayta ishlab chiqarish uchun prototip namunalari va kremniy integral mikrosxemalarining ishlab chiqarish namunalari AQShdan olingan va ularni nusxalash Iqtisodiy rivojlanish vazirligining buyruqlari bilan qat'iy tartibga solingan (vazir Shokin). Nusxalash tushunchasi vazir tomonidan 19 yildan ortiq vaqt davomida qattiq nazorat ostida bo'lib, muallif 1974 yilgacha IEP tizimida ishlagan.

Bu nafaqat mikroelektronikaning rivojlanishiga, balki uning asosida yaratishga ham tegishli edi kompyuter texnologiyalari masalan, IBM-360 seriyali kompyuterlarni ko'paytirish paytida - ("RYAD 1-2" ichki seriyasi). Eng katta texnologik yordam kremniy integral mikrosxemalarining haqiqiy ishlaydigan Amerika namunalarini nusxalash jarayonida ko'rsatildi. Nusxalash bosimni pasaytirish va qopqoqni namunadan olib tashlash, tranzistorlar va rezistorlarning tekis (planar) naqshini zanjirga nusxalashdan so'ng, shuningdek mikroskop ostida barcha funktsional maydonlarning tuzilishini tekshirgandan so'ng amalga oshirildi. Nusxalash natijalari ishchi chizmalar va texnologik hujjatlar shaklida berildi.

Birinchi ichki silikon integral mikrosxemasini yaratish TC-100 seriyali integral silikon davrlarini harbiy qabul qilish bilan ishlab chiqish va ishlab chiqarishga yo'naltirilgan edi (37 ta element - tetikning elektron murakkabligi ekvivalenti, Texas Instruments-dan Amerikaning SN-51 seriyali ICs analogi). Ish NII-35 (direktori Trutko) va Fryazinskiy zavodi (direktori Kolmogorov) tomonidan ballistik raketalarni boshqarish tizimi uchun avtonom balandlik o'lchagichida foydalanish uchun mudofaa buyurtmasi bo'yicha amalga oshirildi.

Rivojlanish TS-100 seriyasidagi oltita tipik integral silikon planar sxemalarini o'z ichiga olgan va uchuvchi ishlab chiqarishni tashkil etish bilan NII-35da uch yil davom etgan (1962 yildan 1965 yilgacha). Yana ikki yil Fryazinoda harbiy qabul bilan zavod ishlab chiqarishni o'zlashtirishga sarflandi (1967). Mahalliy amaliyotda planar texnologik tsiklni (300 dan ortiq texnologik operatsiyalar) amalga oshirilishini tahlil qilish shuni ko'rsatdiki, ushbu muhim texnologiyani tashqi tomondan yordamisiz, shu jumladan texnologik uskunalarga nisbatan boshidan va deyarli mustaqil ravishda o'zlashtirish kerak edi. Ushbu muammoni hal qilish uchun NII-35 ilmiy-texnika bo'limi va kafedra huzurida maxsus tashkil etilgan eksperimental do'konning 250 kishilik jamoasi ishladi. Shu bilan birga, bo'lim ushbu texnologiyani o'zlashtirgan ko'plab MEP korxonalari mutaxassislari uchun o'quv maydonchasi bo'lib xizmat qildi. Masalan, Iqtisodiy rivojlanish vazirligining Voronejdagi 2-Bosh boshqarmasining yarimo'tkazgich zavodi mutaxassislari (direktor Kolesnikov, etakchisi - Nikishin) ushbu bo'limda tahsil olishgan.

Planar texnologiyani ishlab chiqish jarayonida asosiy e'tibor yuqori optik piksellar bilan, har bir millimetr uchun 1000-2000 qatorgacha bo'lgan sanoat fotolitografiya texnikasini ishlab chiqarishga qaratildi. Ushbu ishlar LITMO (Kapustin) va GOI (Leningrad) optik mutaxassislari bilan yaqin hamkorlikda amalga oshirildi.

Yassi texnologiyani avtomatlashtirish va maxsus texnologik uskunalarni loyihalashtirish bo'yicha bo'limning ishlanmalari ham muhim rol o'ynadi (etakchi dizayner Zaxarov). Kremniy texnologik plitalarini bosqichma-bosqich qayta ishlash uchun avtomatlashtirilgan agregatlar (yuvish, fotorezistni qo'llash, konveyer oksidlanishi va boshqalar) pnevmatik avtomatika va pnevmonikani qo'llash asosida ishlab chiqilgan.

1964 yilda harbiy-sanoat kompleksining raisi Smirnov integral mikrosxemalarni ishlab chiqish bo'yicha ilmiy-tadqiqot instituti-35 ilmiy-texnologik bo'limiga tashrif buyurdi. Ushbu tashrifdan so'ng kafedraga ilg'or ishlanmalarda ishlatilgan yapon ilmiy uskunalari topshirildi. 1965 yil bahorida Vazirlar Kengashi Raisi Kosygin NII-35 ilmiy-texnologik bo'limining kremniy integral mikrosxemalarini ishlab chiqarish bo'yicha eksperimental ustaxonasiga tashrif buyurdi. 1962 yildan 1967 yilgacha bo'lgan rivojlanish davrida muallif kafedra mudiri sifatida ishning borishi to'g'risida bir necha bor Davlat Fan va Texnika Qo'mitasi Raisi va uning o'rinbosariga hisobot berishi kerak edi. Vazirlar Kengashining raisi Rudnev, Fanlar akademiyasining prezidenti Keldysh, shuningdek, harbiy-sanoat kompleksi ilmiy bo'limi va Markaziy qo'mitaning mudofaa bo'limi, o'sha paytda vazirlikning aviatsiya texnologiyalari bo'limi bilan doimiy aloqada bo'lgan. Harbiy qabulni tashkil etishga rahbarlik qilgan mudofaa.

Zelenogradning yaratilishi. Zelenograd - bu Kaliforniyadagi Silikon vodiysining mahalliy analogi bo'lgan tajriba zavodlari bo'lgan 6 ta korxonadan iborat mikroelektronika markazi. 1963 yil boshida muallif Zelenogradning hozirgi direktori, o'rinbosari uchun ma'ruzalar kursini o'qidi. Iqtisodiy rivojlanish vazirining vaziri F.V.Lukin, shu asosda Zelenograd uchun yarimo'tkazgichli muhandislikni rivojlantirish bo'yicha texnik takliflar ishlab chiqilgan, xususan, issiqlik jarayonlari va fotolitografiya bo'yicha (direktor Savin uchun), texnologik uskunalarni sotib olish uchun import (Nazaryan va Strujinskiy guruhlari), shu jumladan, Fryazinodagi tajriba zavodi uchun.

Rivojlanish natijalari mualliflik yozuvlari va bir qator ilmiy-texnikaviy ma'ruzalar bilan tasdiqlangan NII-35, mualliflik guvohnomalari, "Yarimo'tkazgich asboblari va ularning qo'llanilishi", "Mikroelektronika" to'plamlarida nashr etilgan va 1974 yilgacha bo'lgan davrda nashr etilgan kitoblar va risolalar.

Faqat yigirma besh yil oldin radio-havaskorlar va keksa avlod mutaxassislari o'sha paytda yangi bo'lgan qurilmalarni - tranzistorlarni o'rganishlari kerak edi. Ular odatlanib qolgan vakuumli naychalardan voz kechib, yarimo'tkazgichli asboblarning zich va o'sib borayotgan "oilasi" ga o'tish oson bo'lmagan.

Va endi bu "oila" tobora ko'proq radiotexnika va elektronikada o'z o'rnini so'nggi avlod yarimo'tkazgichli qurilmalariga - ko'pincha qisqartirilgan IClar deb ataladigan integral mikrosxemalarga berishni boshladi.