Uэва Uкўзгармас кучланишларни транзисторнинг электродларига 3.5, а-расмда кўрсатилгандек улаймиз. Схеманинг чап томонини тў\ри кучланишга уланган диодга, ўнг томонини эса тескари кучланишга уланган диодга ўхшатамиз. Лекин заряд ташувчилар (электрон ва каваклар) р–n–р қатламлар орасидан бемалол ўта олиши мураккаб физик жараёнлар щосил бўлишига олиб келади. Эмиттернинг валент зонасидаги электронлари Uэкучланиш таъсирида ташқи занжирга ўтади, натижада ҳосил бўлган каваклар база соҳасига ўтади. Бу зарядларнинг натижавий ҳаракати эса эмиттер токи Iэ ни ҳосил қилади. Коваклар базада қисман германийнинг эркин электронлари билан рекомбинацияланади, асосий қисми эса p–n–p ўтишнинг электр майдони таъсирида коллекторга ўтиб, унда Iк токини ҳосил қилади. Эмиттердан чиқиб базадан ўтаётган каваклар коллекторга яхшироқ йиғилиши учун коллектор ўтишининг юзаси эмиттер ўтишининг юзасидан каттароқ қилинади (3.1, а-расм, 3.2, а-расм).
Эмиттер каваклари билан рекомбинацияланган электронлар ўрнига базага ташқи занжирдан янги электронлар оқиб келади ва база токи Iб ҳосил бўлади:
Iб Iэ – Iк.
Транзисторнинг бошқарилиш хусусияти шундаки, унча катта бўлмаган Uэкучланиш таъсирида ҳосил бўлган эмиттер токи Iэ ўзига деярли тенг бўлган ток Iк ни ҳосил қилади. Бу ток эса тескари уланган ва Uэкучланишдан анча катта бўлган Uк кучланишни ўзгартиради (Uк >Uэ). Биполяр транзисторнинг ишлаши эмиттердан база орқали коллекторга заряд ташувчилар оқимининг ўтказилишидан иборат. Иккинчи томон, транзисторнинг структурасини иккита p–n ўтишга: эмиттер– база ва коллектор– базага ажратсак, биринчи ўтишга электр билан таъсир этиб, иккинчи ўтишнинг қаршилигини ўзгартиришимиз мумкин. Шунга асосан, асбобнинг номи ҳам иккита инглизча сўз (transfer – ўзгартирмоқ, resistor – қаршилик) дан келиб чиқади.
Ярим ўтказгичли триод қайтувчан хусусиятли асбоб бўлиб, унинг ҳар бир ўтиши тўғри ва тескари йўналишларда уланиши мумкин. Шунга мос ҳолда транзисторни улашнинг тўртта варианти бор:
фаол, ёки нормал режим; бунда эмиттер-база р-п ўтиш тўғри йўналишда, коллектор-база ўтиш тескари йўналишда уланган;
Қирқиш режими; ҳар иккала р-п ўтиш тескари йўналишда уланган;
Тўйиниш режими; ҳар иккала р-п ўтиш тўғри йўналишда силжитилади.
Транзисторнинг фаол режими асосий режим бўлиб, ундан электр тебранишларни кучайтирувчи ва ҳосил қилувчи қурилмаларда, қирқиш ва тўйиниш режимларида транзисторлар электр занжирларнинг коммутация элементлари сифатида калит режимида қўлланилади. Инверс уланиш нисбатан кам қўлланилади.
Транзисторнинг ишлаш асосини тушунтириш учун умумий база (УБ) ли схемада унинг фаол режимда ишлаши чоғида кечувчи физик жараёнларни кўриб ўтамиз.
1.Одатда транзисторнинг эмиттер ва коллектор соҳалари акцепторли аралашма билан легирланиши базанинг донор аралашма билан легирланишига кўра нисбатан юқорироқ даражада бўлади. Эмиттер ва коллекторнинг солиштирма ўтказувчанлиги базаники . Бунинг натижасида асосий заряд ташувчи (ковак) лар концептранцияси эмиттерда Ррэ ва коллекторда Ррк базадаги асосий заряд ташувчилар (электронлар) концептрацияси Ппб дан анча ортиқ бўлади; шу сабабли эмиттер-база ва коллектор-база носимметрик ва база соҳасида катта кенгликга эга.
Ташқи силжиш бўлмаган ва термик мувозанат чоғида транзисторнинг барча уччала соҳаси умумий ферми сатҳига эга.
2. Агар транзисторнинг фаол режимида эмиттер-база ўтишига тўғри силжиш Иэб (вольтнинг юз ёки ўндан бир улушига тенг), коллектор-база ўтишга-тескари кучланиш Икб (бир неча ўн вольт) берилса, у ҳолда р-п ўтишлардаги потенциал тўсиқлар баландлиги ўзгаради.
Транзисторнинг алоҳида элементларида кечувчи асосий физик жараёнларни батафсилроқ кўриб ўтайлик.
Эмиттер-база ўтишдаги потенциал тўсиқ пасайган. Бунда асосий заряд ташувчи (ковак)ларнинг эмиттердан базага ва асосий заряд ташувчи (электрон)ларнинг базадан эмиттерга диффузияли силжиши учун шароит енгиллашади ва заряд ташувчилар инжекцияси бошланади.
Эмиттер-база ўтишдаги умумий ток икки ташкил этувчи: электрон ва ковак токларидан иборат бўлади, яъни:
