kuchlanish impulslarini o‘zgarishi bilan ta ’m inlanadi (katta signal rejim. Shu sababli kalitning statik param etrlari keltirilgan grafo — analitik usulni qo‘llash yordamida aniqlanadi. Buning uchun kalitda qoMlanilayotgan tranzistorning chiqish va kirish xarakteristikalari kerak bo‘ladi. Chiqish xarakteristikalar oilasida В nuqta (bu yerda UKE= £ ) va A nuqta (bu yerda IK - E K / R K) larni tutashtirib AB yuklam a chizig‘ini o‘tkazamiz. U nda D nuqta to‘yinish chegarasini beradi, С nuqta esa UKB — 0 boiganda boshlanadigan berk rejim chegarasini beradi. Aytilganlardan kelib chiqqan holda, kalit rejimda ishlash uchun tranzistorli kaskad ishchi nuqtasi yoki D nuqtadan chaproqda, yoki С nuqtadan o ‘ngroqda joylashishi kerak. Bu nuqtalar oralig‘ida kaskad tranzistorning to ‘yinish rejimidan berk rejimga o‘tish holatida, yoki aksincha bo‘ladi. Tranzistor bu holatda qanchalik kam vaqt tursa, kalitning tezkorligi shuncha yuqori bo‘ladi. 0 ‘tish holatlari noasosiy zaryad tashuvchilar bazadan chiqarib yuborish vaqti va barer sig‘imning qayta zaryadlanish jarayonlari bilan aniqlanadi. Statik rejimda qarshilikning berilgan qiymatlarida baza tokining UKlRkuchlanishiga bog‘liqligini kirish xarakteristikasi yordam ida aniqlash mumkin. Buning uchun EF yuklama chizig‘ini o'tkazish kerak. E nuqta UBE = UKIR, F nuqta esa — Ukir/R b qiymati bilan aniqlanadi. Kirish xarakteristikasi bilan yuklam a chizig‘i kesishgan К nuqta baza toki va UBEkuchlanishining ishchi qiymatlarini aniqlaydi. UKIR ning vaqt bo'yicha o‘zgarishi EF to ‘g‘ri chiziqni parallel siljishiga va mos ravishda К nuqtaning siljishiga olib keladi (shtrix chiziqlar). D nuqta bilan aniqlanadigan to ‘yinish rejimiga o‘tish uchun, kirish toki IBni bazaning to'yinish toki deb ataluvchi IBr0Tqiym atgacha oshirish kerak. Bu vaqtda unga mos keluvchi kollektor toki kollektorning to‘yinish toki IKT0.y, kuchlanish esa — to'yinish kuchlanishi UKET0.yyoki qoldiq kuchlanish и т: тог = UQOl = EM - I K m.yRh-deb ataladi. 2.3.3-rasm.
Hisoblar ST0.Y = 1,5...2,0 qiym atlar optimal bo'lishiniko‘rsatdi. K o‘rib o ‘tilgan sodda kalit sxemasida ВТ ish rejimi bilan bog'liq b o ‘lgan k atta inersiyalikka ega. T ra n zisto r t o ‘y in ish rejim iga o ‘tayotganda bazada ko‘p sonli noasosiy zaryad tashuvchilarning to ‘planishi uchun vaqt talab qilinadi. Tranzistor to'yinish rejimidan berk rejimga o ‘tayotganda esa bu zaryad tashuvchilarning to'planishi va, ayniqsa, ularning bazadan chiqarib yuborilishi tabiatan juda sekin kechadigan jarayon. Berilgan / B7-0Tqiymatida noasosiy zaryad tashuvchilarni bazadan chiqarib yuborish vaqtini kamaytirish maqsadida nochiziqli TAli kalit q o ‘llaniladi. U nda tranzistor aktiv rejim bilan to ‘yinish rejim i chegarasidi.BTning to‘g‘ri siljigan KO‘ni shuntlovchi Shottki diodi yordamidanochiziqli TA amalga oshiriladi. Tranzistor berk bo‘lganda, kollektomingpotensiali bazaga nisbatan musbat bo‘ladi, demak diod teskari ulanganbo'ladi va kalit ishiga ta’sir ko‘rsatmaydi. Kalit ulanganda kollektor potensiali bazaga nisbatan kamayadi, diod ochiladi va undan kirish tokining bir qismi oqib o‘tadi, ya’ni tranzistorning baza toki Irto.yqiymatiga tengligicha qoladi. Tranzistor aktiv rejim bilan to'yinish rejimi chegarasida ishlaydi. Bazada zaryad tashuvchilar to‘planishi sodir bo lmaydi, natijada 2.3.4-rasm. kalit ulanishidagi noasosiy zaryad tashuvchilami bazadan chiqarib yuborish