Bipolyar tranzistorlar elektron kaliti

2.2-rasm.
am alga oshiriladi. Buning uchun aw al hosil qilingan oksid qatlam da
uchinchi fotolitografiya yordam ida shunday o ‘lcham li “ d arch a”lar
hosil qilinadiki, bunda hosil qilingan elem entlar param etrlari talab
etilgan nom inallarni qanoatlantirsin.Keyin tranzistor em itteri, diod katodi, kondensator qoplam asi,kollektor sohaning om ik kontaktini hosil qiluvchi n+ — turli em ittersohalar hosil qilinadi. Buning uchun yangidan hosil qilingan oksidqatlam ida to ‘rtinchi fotolitografiya yordam ida zarur k o ‘rinishdagi
“d arch a”lar ochib, ular orqali n + — turli kiritm a hosil qiluvchi atom lar
diffuziyasi am alga oshiriladi. IM S tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik
jarayon elem entlarga om ik kontaktlar olish va elem entlarni o ‘zaro
ulash bilan yakunlanadi. Bu S i0 2 qatlam da beshinchi fotolitografiyani
a m a lg a o s h iris h , a lu m in iy n i v a k u u m d a p u rk a s h , a lu m in iy n iishlatilm aydigan sohalardan olib tashlash va term ik ishlov berish bilan
am alga oshiriladi.keltirilgan sxem aga mos IM S tuzilm asi da
ko'rsatilgan.
D ielektrik bilan izolatsiyalash usuli (EPIC — texnologiya). Bu
texnologiya p —n o ‘tish bilan izolatsiyalanib tayyorlangan IM Slarga
nisbatan yaxshiroq xarakteristikalarga ega m ikrosxem alar yaratish
im konini beradi. Xususan, izolatsiyalash darajasi taxm inan 6 tartibga
ortadi, teshilish kuchlanishi kattalashadi, parazit sig‘im lar taxm inan 2
tartibga kam ayadi, radiatsiyaga chidam lilik ortadi, IM S tezkorligi
oshadi. U shbu texnologiya asosida kichik q u w atli va yuqori tezlikda
ishlaydigan raqamli IM Slar yaratish maqsadga muvofiq, chunki bunday
texnologik jaray o n narxi p lanar-epitaksial texnologiyaga nisbatan


2.3-rasm.
IMS tuzilish sxemasi.
Sodda IM S yaratish ketm a-ketligi rasm da ko'rsatilgan.
0 ‘tk azu v ch an lig i n — turli asosga su rm a yoki m arg u m u sh 1-^2
m km ga d iffu ziy a q ilish y o 'li b ilan p la stin a n in g b u tu n yuzasi
b o 'y lab n+— o ‘tkazu v ch an lik k a ega y ash irin q atlam hosil q ilin ad i.
A sosni n + — q atlam to m o n d a n te rm ik o k sid la b , u n in g b u tu n
y u zasid a o k sid q atlam hosil q ilin a d i. B irin c h i fo to lito g ra fiy a
y o rd a m id a u sh b u q a tla m d a iz o la ts iy a lo v c h i s o h a la r u c h u n
“ d a rc h a ” lar o ch ila d i oksid b ilan h im o y alan g anso h alar y em irilg an i u ch u n 8 -И 5 m km b o ‘lgan “c h u q u rc h a ” larh o sil q ilin a d i . S o ‘ng “ c h u q u r c h a ” la r y u za la rio k s i d l a n a d i . B u n d a n k e y i n o k s i d l a n g a n“ c h u q u rc h a ” lar to m o n d a n asos sirtiga 0 ,2 —0,25 m m qalinlikdagip o lik ristall k r e mni y o ‘stiriladi. P olikristall k rem n iy k eyinchalikb o ‘lg‘usi IM S asosi b o ‘lib xizm at q ililadi.
Shundan so‘ng asosning qarshi tom oni oksid qatlam gacha shlifovka
qilinadi yoki yem iriladi . Shunday qilib, bir-biridan SiO,
qatlam bilan izolatsiyalangan, n+ —o ‘tkazuvchanlikli yashirin qatlam ga
ega n — sohalar (cho‘ntakchalar) hosil qilinadi. Bu sohalarda oksidlash,
fotolitografiya va diffuziya usullari bilan m ikrosxem a elem entlari
yaratiladi. Baza sohalarini hosil qilishdan boshlab keyingi jarayonlar
planar-epitaksial texnologiya jarayonlariga o ‘xshash davom etadi.
ВТ asosidagi raqam li IM Slarning b a ’zi m antiq elem entlarida ko‘p
em itterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar qoMlanadi.K o‘p em itterli tranzistor (K ET)ning shartli belgilanishi va tuzilmasida ko‘rsatilgan.
K ET bazalari va kollektorlari ulangan tranzistorlar m ajm ui bo‘lib,