132
Yorug’lik intensivligini o’lchash uchun foydalaniladigan termistorlar
fotoqarshiliklar deyiladi. Yarim o’tkazgchlar uchun bog’langan elektronlarning
ko’chishi bilan bo’lgan, ya’ni bir tur o’tkazuvchanlik xarakterlidir.
7.3-rasm.
Elektron yarim o’tkazgich chizmasi.
7.3-rasmda germaniy atomlari orasidagi elektron bog’lanishlarning tekislikdagi
sxemasi ko’rsatilgan. Doirachalar bilan germaniy atomlari,
nuqtalar bilan tashqi
elektronlar, chiziqlar bilan atomlarning elektron bog’lanishlari belgilangan. Tashqi
qizdirish yoki yoritish ta’sirida atom bog’lanishdan bitta elektron ozod bo’ladi va
uning o’rnida kattalik jixatdan teng bo’lgan musbat “teshik” deb ataladigan zaryad
paydo bo’ladi, ya’ni elektronni ozod bo’lishi bilan teshik xosil bo’ladi. Ayni
vaqtda tashqi maydon ta’sirida bog’langan elektronlarning bir qo’shni
bog’lanishdan ikkinchisiga va ayni vaqtda teshiklarning qarama-qarshi tomonga
harakati boshlanadi. Teshiklarning bunday tartibli harakati ham yarim o’tkazgichda
tokning xosil bo’lishini ta’minlaydi va bunday o’tkazuvchanlik teshikli
o’tkazuvchanlik yoki r tipli o’tkazuvchanlik (positive - musbat) deyiladi.
Yarim o’tkazgichlarda elektron va teshiklarning umumiy xarakati elektr
tokini vujudga keltiradi va yarim o’tkazgichning xususiy o’tkazuvchanligi deyiladi.
Xususiy o’tkazuvchanlik sof yarim o’tkazgichlarda bo’ladi, sof yarim o’tkazgich
esa tabiatda yo’q. Vaholanki, yarim o’tkazgichga ozgina qo’shilgan
aralashma
uning o’tkazuvchanligini keskin o’zgartirib yuboradi. Ba’zi aralashmalar yarim
o’tkazgichni erkin elektronlar bilan boyitadi va n – tip aralashma deb yuritiladi. N
– tip aralashma donor (beruvchi) deb atalib, bu holda elektron o’tkazuvchanlik
oshadi. Ayrim arlashmalar yarim o’tkazgichni teshiklar bilan boyitadi va teshikli
o’tkazuvchanlikni oshiradi. Bunday aralashma akseptor deyiladi va yarim
o’tkazgich r – tip yarim o’tkazgich deb ataladi.
Germaniyga 0,0001% m
ы
shyak aralashmasi qo’shilganda
tashqi issiqlik
xarakati yoki boshqa ta’sir tufayli erkin elektronlar soni 1000 marta ortadi. Bunda
teshiklar soni ortmaydi. Germaniyga kam miqdorda indiy qo’shilganda, uning har
bir atomi yarim o’tkazgichda bittadan teshik xosil qiladi va bunda erkin elektronlar
soni ko’paymaydi. Natijada germaniy teshiklar bilan boyiydi va germaniy
aralashmali teshikli yarim o’tkazgichga aylanadi.
Dielektrik kirituvchanlikni bilgan holda tirik organizmda bo’la-digan ba’zi
o’zgarishlar haqida xulosa chiqarish mumkin. Organizmdagi hujayrani va uni o’rab
olgan hujayralardan tashqari biologik muhit tashqi muhitdan yarim o’tkazuvchi
PDF created with pdfFactory Pro trial version
www.pdffactory.com
133
hujayra membranasi bilan ajralgan murakkab tizim deb qarash mumkin. Hujayra
ochiq termodinamik tizim bo’lib, tashqi muhit bilan uzluksiz energiya, modda va
ma’lumot almashinadi va bu almashinuv membranalar orqali amalga oshadi.
Membrana oddiy holda lipid qatlamidan iborat bo’lib, lipidlar qatoriga neytral
yog’lar, efirlar kiradi. Hujayrada lipidlar oqsil qatlamlari bilan o’rab
olingan
bo’ladi. Ko’pchilik membranalar taxminan 40% lipidlardan, 60% oqsillardan
iborat. Sitoplazmatik membrananing qalinligi taxminan 5-10 nm. Hujayra
membranalarining umumiy yuzasi juda katta. Masalan, kalamush jigarining
massasi atigi 6 g. Uning membranalarining umumiy yuzasi 100 m
2
.
Membranada
lipid qatlami borligi uning dielektrik xossalarini belgilaydi. Membranalar
solishtirma qarshiligi juda katta 10
8
om.m. atrofida bo’ladi, bu esa sitoplazma va
hujayralararo muhit qarshiligidan o’n millionlab kattadir. Membranalar dielektrik
harakteristikalari ko’pchilik texnik izolyatornikidan katta. Masalan, mitoxondriya
membranasining qalinligi 8nm bo’lgan holda sirtlardagi potensiallar farqi 200
mVga teng. Shunday qilib, membranadagiga elektr maydon kuchlanganligi
Ye= 200
.
10
-3
V = 25
.
10
6
V/m
8
.
10
-9
m
Shuni aytib o’tish kerakki, dielektrik sifatida
ishlatiladigan chinni bu
kuchlanganlikdan yuz marta kichik kuchlanganlikda «teshiladi».
Do'stlaringiz bilan baham: