Berdaq nomidagi qoraqalpoq davlat universiteti fizika kafedrasi radioelektronika

Bipolyar tranzistorlarning statik xarakteristikalari

Tranzistorlar uchun to’rt xil-kirish, chiqish, to’g’ri va teskari o’tish (bog’lanish) xarakteristikalar sistemasi.

Kirish xarakteristikalar sistemasi tranzistorning kirish tokening kirish kuchlanishiga bog’lanishiga bog’liqligidan, chiqish xarakteristikalari sistemasi chiqish tokening chiqish kuchlanishiga bog’liq yoziladi. To’g’ri o’tish xarakteristikalar sistemasi chiqish tokining kirish kichlanishi bilan bog’liqlikka asoslanib, tranzistorning kuchlanish xususiyatlarini yozadi. Teskari o’tish xarakteristikalar sistemasi esa, kirish kuchlanishiga chiqish kuchlanishining ta’sirini, ya’ni tranzistordagi ichki teskari bog’liqligi yoziladi va transistor ishining nostabilligini xarakterlaydi.

Tranzistorlarning sistemalarni o’rganishda kirish va chiqish xarakteristikalar sistemasi katta ahamiyatga ega. Shuning uchun bu xarakteristikalarni tranzistorning UB va UE ulanish sxemalari uchun aniqlaymiz.

Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda kolektor kuchlanishi yoki toki o’zgarmas bo’lgandagi emitter tokining emitter kichlanishiga bog’liq tushuniladi.

Bunda U_K va U_э kuchlanishining qiymati umumiy siz-bazaga kabi aniqlanadi. Shuning uchun <<б>> indeks tuhshirib qoldirilgan, ya’ni U_эб, U_кб o’rniga oddiy U_э va U_к deb yozilgan.

(3.16) ning grafigi 3.14 а-rasmda ko’rsatilgan. U_к=0 bo’lgandagi grafik yarimo’tkazgichli diodning to’g’ri ulanish xarakteristikasining o’zi (3.8-сүўрет). Kollektordagi manfiy uchlanishining ortishi bilan xarakteristika emitter tokening katta bo’aklari sohasiga siljiydi. Sababi kollektor kuchlanishi ortishi bilan kollektor o’tishi kengayib, baza qatlami torayadi. Bu bazadgi diffuzion tokining, ya’ni emitter ham.

Iэ Uк2к1 Uк1<0 Uк=0 Uэ a)

I э Iк>0 Iк=0 б) Uэ

3.14-rasm. Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteristikasi

а-kollektor kucglanishi o’zgarmas bo’lganda , б)-kollektor toki o’zgarmas bo’lganda.

Kollektor toklarining ortishiga olib keladi. Bazadagi rekombinatsiya toki ortishiga olib keladi. Bazadagi rekombinatsiya toki va baza qarshiligidagi potensial tushumi kamayadi. Tashqi tok ko’zi kuchlanishi o’zgarmas desak, emitter o’tishidagi kuchlanish ortib emitter tokening ortishiga sabab bo’ladi.

Tranzistorning kollektor zanjiri uchun (I_к=0) bo’lgan holda olingan kirish xarakteristikalari3.14 б-rasmda ko’rsatilgan. U ham yarimo’tkazgichli diod to’g’ri ulanishi uchun volt-amper xarakteristikasidan iborat bo’ladi. Kollektor kuchlanishi ortishi bilan u emitter toking katta bo’laklari tomon siljiydi.

Tranzistorning UB sxema uchun chiqish xarakteristikasi deganda emitter kuchlanishi yoki toki o’zgarmas bo’lgandagi kollektor tokening kollektor kuchlanishiga bog’liqligi tushuniladi:

3.15-rasmda I_э=cоnst holat uchun aniqlangan chiqish xarakteristikalar sistemasi ko’rsatilgan. U kollektor tokining kollektor kuchlanishiga sust bog’langanligini ko’rsatadi. Bu kollektor o’tishining differensial qarshiligi yetarlicha katta ekanligini ko’rsatadi.

Xarakteristikalrning boshlanish nuqtasi kollektor kuchlanishining musbat bo’laklariga to’g’ri keladi. Shuning uchun I_э>0 bo’lgandagi I_K=0 nuqtani aniqlash uchun emitter kuchlanish ta’sirini yo’qotadigan miqdorda musbat kollektor kuchlanishi zarur bo’ladi. Emitter zanjiri uzoq bo’lsa (I_э=0), kollektor toki sokinlik toki I_кт maydasigacha kamayadi

Ma’lumki, sokinlik tokining kattaligi baza va kollektor qatlamlaridagi asosiy bo’lmagan tok tashuvchialrning ,iqdoriga ham tashqi muhit temperaturasining miqdoriga va tashqi muhit temperaturasiga bog’liq. Shuning uchun temperature ortishi bilan Iкт tez orta boshlaydi va static xarakteristikalar yuqoriga ko’tariladi.

0 -Uк 3.15-rasm. ТTranzistorning UB sxeam uchun I3=cоnst holdagi chiqish xarakteristikasi.

Bu transistor ishining mo’tadilligi kamayishiga sabab bo’ladi.

Kollektor kuchlanishining manfiy qis,I juda ortib ketsa, kollektor o’tishida buzilish vujudga keladi vat ok orta boshlaydi. Ko’pincha tranzistorda bir vaqtda ham issiqlik ham elektr buzilisi vujudga keladi.

Tranzistorning umumiy emitterli sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda kollekotr kuchlanishi yoki toki o'zgarmas bo'lgamdagi baza tokening baza kuchlanishiga bog’liqligi tushuniladi.

Bu bog’lanish grafigi 3.16-rasmda ko’rsatilgan U emitter-baza o’tishining to’g’ri ulanish holatlari uchun volt=amper xarakteristikasi. Shuning uchun ular tranzistorning UB sxema uchun olingan kirish xarakteristikalari bilan teng keladi. Lein ularning farqli U_K=const bo’lgan hol uchun olingan xarakteristikalar kollektordagi mafiy kuchlanish ortishi bilan chapga emas, balki o’ngga siljiy boshlaydi. Shuning uchun kollektor kuchlanishi kamayishi bilan baza toki ham kamayadi. Ikkinchi tomondan bo’lganda baza zanjiri burib kollektor o’tishining ochiq holatiga teng tok o’tadi, ya’ni U_к=0 bo’lakka to’g’ri keladigan xarakteristika kollektor kuchlanishining

Katta bo’laklaridagi olingan xarakteristikaga nisnatan o’ng tomonga emas, baklki chapda yotadi.

Iб UK>0 UK=0 UK<0 Iко -Uб а)