Asian Journal of Multidimensional Research (ajmr)

Kinetics  of  the  photocurrent  for  different 

values  of  the  applied  voltage  across  the  gas-

discharge cell at a constant illumination intensity 

(white light of the order of 4 · 10

-3

Vt / cm

2

)

 

1,6 

1,2 

0,8 

0,4 

0 

j, mA 

t, s 

0,4 

0 

1 

2 

3 

1,2 

2,0 

4 

5 

---

ISSN: 2278-4853         Vol 10, Issue 9, September, 2021        Impact Factor: SJIF 2021 = 7.699 

Asian Journal of Multidimensional Research (AJMR)

 

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AJMR 

lifetime.  For  a  voltage  of  2  kV,  a  steady  state  is  reached,  at  high  voltages  (3.05  kV),  a  sharp 

increase in current occurs. However, there are strong temporal discrepancies in the kinetics of the 

current  in  comparison  with  theoretical  calculations.  This  is  apparently  due  to  the  fact  that  the 

simplified  calculation  did  not  take  into  account  peculiar  phenomena  (it  was  assumed  that  the 

effects  of  plasma  create  uniform  minority  carriers  throughout  the  entire  depth  of  the 

semiconductor),  complex  interactions  of  gas  discharge  plasma  carriers  with  semiconductor 

surface charges, and recombination processes. Nevertheless, the opinion obtained results gives us 

a  new  tool  for  using  a  thin  gas  discharge  cell  with  semiconductor  electrodes  with  two  plasma 

contacts in infrared photography, but also for studying the physical properties of an ultrathin (10-

100 mkm thick) gas discharge cell. 

An  essential  scientific  achievement  of  this  work  is  that  for  the  first  time  a  damping  additional 

cell (cascade) is used in a gas-discharge cell to stabilize the gas discharge, and thus, it becomes 

possible to advance infrared photography to the far spectral region up to 100 mkm and beyond. 

Since  now,  at  the  input  stage  in  a  semiconductor  photographic  ionization  chamber  [8],  it  is 

possible to use low-resistance photographic plates that are sensitive to infrared radiation for the 

long-wavelength region of the spectrum up to 100 mkm and beyond. The type of photodetector 

at  the  entrance  of  the  ultrathin  gas-discharge  cell  does  not  exert,  however  much,  a  strong 

influence on the stabilization of the photographic process. However, only the temperature range 

providing photoelectric hysteresis with photographic (new) effect [9] provides high photographic 

sensitivity  and  contrast  in  a  semiconductor  photographic  ionization  chamber.  Thus,  it  can  be 

assumed that with such configurations of the arrangement of electrodes can be used sensitive to 

IR radiation, amorphous, as well as nanocluster photodetectors with quantum wells for infrared 

photography at the entrance of a thin gas-discharge cell.