|
To‘rtinchi bosqich integral mikrosxemalar (IMS) asosida qurilma va tizimlar yaratish bilan boshlandi va mikroelektronika davri deb ataladi.
Mikroelektronikaning birinchi mahsulotlari – integral mikrosxemalar 60 yillar so‘ngida paydo bo‘ldi. Hozirgi kunda IMSlar uch xil konstruktiv – texnologik usullarda yaratiladi: qalin pardali va yupqa pardali gibrid integral mikrosxemalar (GIS) va yarim o‘tkazichli integral mikrosxemalar.
Integral mikrosxemalar radio elektron apparaturalarda elementlararo ulanishlarni ta’minlash bilan birgalikda, ularning kichik o‘lchamlarini, energiya ta’minotini, massa va material hajmini ta’minlaydilar. Ko‘p sonli chiqishlar va qobiqlarning yo‘qligi radio elektron apparaturalarning hajmi va massasini kichraytiradi.
2-mavu. Qarshilik va o’tkazuvchanlik
Reja:
Elektr qarshilik
Elektr o‘tkazuvchanlik
Elektr maydon kuchlari ta’sirida siljiydigan (harakatlanadigan) elektronlarning ilgarilanma xarakati o‘tkazgich atomlari yoki molekulalari bilan to‘qnashishi natijasida tormozlanadi. To‘qnashishlar chastotasi materialning strukturasiga va uning temperaturasiga bogliq. Zaryadlarning yo‘nalgan harakatiga, ya’ni elektr tokiga o‘tkazgichning teskari ta’siri o‘tkazgichning elektr qarshiligi deyiladi. Metall o‘tkazgichlarda erkin elektronlar kristall panjara orqali harakatlanadi, bu panjarani metallning musbat ionlari hosil qiladi, ular o‘zaro manfiy zaryadlangan elektrdan gaz (tok tashishda ishtirok eta oladigan erkin elektronlar to‘plami) vositasida boglangan bo‘ladi. Qattiq o‘tkazgichlarda tokni faqat elektronlar harakati vujudga keltiradi. Ular elektron elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan birinchi tur o‘tkazgichlardir. Suyuqlik va gazlarda zaryadlarni musbat va manfiy ionlar tashiydi. Ularning harakati musbat ionlarning maydon yo‘nalishida va manfiy ionlarning unga teskari yo‘nalishda harakatlanishi elektr tokni vujudga keltiradi. Bunday o‘tkazgichlar ionli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi va ikkinchi tur o‘tkazgichlar deyiladi. Qarshilik R yoki r harfi bilan belgilanadi.
Om konuni tok, kuchlanish va qarshilik orasidagi mikdoriy boglanishni ifodalaydi.
Shu qonunga muvofiq energiya manbaisiz zanjir qismining qarshiligi uning uchlarn orasidagi kuchlanish U ga to‘gri proporsional Ra tok / ga teskari proporsional:
R = U/I.
Qarshilik om hisobida (Om) o‘lchanadi. Qarshilik birligi 1 Om o‘tkazgich uchlaridagi kuchlanish 1 V bo‘lganda I A tokli o‘tkazgichning qarshilignga teng.
Katta qarshiliklarni o‘lchash uchun karrali bir-liklar: kiloom (kOm) va megom (MOm) qo‘llaniladi. Elektr zanjirining elektr qarshiligidan foydalanish uchun mo‘ljallangan elementiga rezistor (ingl. resistance — qarshilik so‘zidan) deyiladi. 1-jadvalda rezistorlarning shartli fafik belgilanishi ko‘rsatilgan. Berk elektr zanjirda eyuk zanjirning alohida qismlaridagi kuchlanishlar yigindisiga teng, binobarin Om qonuni asosida shu zanjirning qarshiligi quyidagicha bo‘ladi:
g = Ye/1.
Bu qarshilik zanjir alohida qismlarining qarshiliklari yigindisidan iborat bo‘lib, unga energiya manbaining ichki qarshiligi ham kiradi. Eyuk manba ichidagi elektr maydon kuchlarini va manbaning ichki qarshiligini yengib manba ichida zaryadlarni manfiy qismadan musbat qismaga siljitishi lozim. Odatda elektr zanjirning qarshiligi nisbatan kichik bulgan ichki karshilik g ich bilan nisbatan katta karshilik gpshsh — barcha tashki zanjirning karshiliklari yigindisidan tarkib topadi. Shunday qilib, berk zanjir uchun Om konuniga muvofiq tok va binobarin, eyuk Ye = gt1+gtash1 bo‘ladi. Manba qismalaridagi kuchlanish U= —gtash1 bo‘lgani sababli U = Ye —g ich I (5)
Energiya manbai qismalaridagi (chiqishdagi) kuchlanish ichki kuchlanish pasayishi tufayli eyuk dan kichik bo‘ladi. Elektr toki o‘zgarmas kesimli to‘gri o‘tkazgichdan (simdan) o‘tayotgan xol uchun elektr maydon tekis bo‘ladi. Bunday sharoitlarda o‘tkazgich uchlari orasidagi kuchlanish o‘tkazgichdagi maydon kuchlanganligi Yem bilan uning uzunligining ko‘paytmasiga teng bo‘ladi, ya’ni U - Yem I. O‘zgarmas tok o‘tkazgich kesimida tekis taksimlanadi, shu sababli j xarfi bilan belgilanadigan tok zichligi kuyidagiga teng bo‘ladi:
Do'stlaringiz bilan baham: |
