Андижон давлат университети зиёитдинов жахонгир норбоевич

Рис. 3. Зависимость эффективной массы (расчет для электронов и дырок) в кремнии п-типа (донор-фосфор) от температуры
Таким образом, впервые определены зависимости эффективной массы электронов и дырок в эмиттерном и базовом слоях кремниевых структур, взаимное соотношение которых интерпретируются в рамках теории физики полупроводников.
Представляет интерес результаты расчета влиянии температуры на характеристики кремниевых р-п-структур при помощи системы “Sentaurus”. При исследовании температурных свойств кремниевых СЭ рассмотрен диапазон температуры 250÷350 К, представляющий важное практическое значение для наземных и космических назначений. На рис. 4. приведены нагрузочные вольт-амперные характеристики кремниевых СЭ при различных температурах в диапазоне 250÷350 К.
Результаты оценки температурных коэффициентов тока короткого замыкания I_sc и напряжение холостого хода U_oc , коэффициента заполнения ВАХ FF, максимальной мощности P_m и коэффициент полезного действия ŋ для кремниевых СЭ без и с наночастицами металла приведены в табл. 2.



Рис. 4. Нагрузочная вольт-амперная характеристика кремниевого солнечного элемента при различных температурах
Таблица 2.
Температурные коэффициенты основных фотоэлектрических параметров солнечных элементов на основе кремния без и с наночастицами платины

Особенности материала	Температурные коэффициенты параметров СЭ
	dVoc /dt (mV / ^оC)