Андижон давлат университети зиёитдинов жахонгир норбоевич

Рис. 5. Изменение максимальной мощности кремниевого солнечного элемента в зависимости от температуры: 1 – Si(Pt); 2 – Si.
Выполнен анализ темпа изменения выходной максимальной мощности кремниевых СЭ в зависимости от их температуры. На рис. 5. приведены кривые расчетной зависимости температурного коэффициента максимальной мощности dP_m/dt от температуры СЭ, сформированного на основе кристаллического кремния с и без наночастиц металла (1 – Si(Pt); 2 – Si). Величина для dP_m/dt составляет для кремния с и без наночастицами металла (1 – Si(Pt); 2 – Si) соответственно -0,0290 mW/sm^{2 о}C и -0,0128 -0,0290 mW/sm^{2 о}C. Относительно высокое значение dP_m/dt (почти в 2,3 раза)) для СЭ из кремния, содержащего наночастицы металла связано с быстрым темпом уменьшения плотности фототока к. з. с ростом температуры.
На рис. 6 приведены графики максимальной мощности кремниевого солнечного элемента при Т = 250 К да в зависимости от фотоэлектрического напряжения для сучаев использования кристаллического кремния с и без наночастиц металла (1 – Si(Pt); 2 – Si). Существенная разница в значениях Р_m(Т) и Р_m(U) СЭ, сформированных на основе кристаллического кремния с и без наночастиц металла (1 – Si(Pt); 2 – Si), четко выделяемых на рис. 5 и рис. 6, по-видимому, связана с вкладом эффекта наноплазмоники, реализуемых за счет локального плазмонного резонанса частот колебаний электронной плотности вокруг наночастиц металла. Можно отметить следующие, во-первых, несмотря на относительно высокие значения основных фотоэлектрических параметров солнечных элементов, содержащих наночастицы металла, чем солнечные элементы без них, температурные коэффициенты выходной мощности и эффективности несколько ухудшаются. Следовательно, в таких случаях требуется принятие специальных мер для охлаждения солнечных элементов. Во-вторых, более высокая фоточувствительность плазмонных СЭ проявляется при низких температурах. Можно предположить, что имеется перспективная возможность создания высокочувствительных (плазмонных) фотодатчиков для специального назначения, работающих при низких температурах.