AllotropiyaAynan bir elementning xossalari va strukturalari tuzilishining turli ko’rinishida mavjudligi. Amorf modda

Teskari maydonda p-n o’tish Bu holatda tashqi maydonning manfiy (-) qutbi p-tomonga, musbat (+) qutbi n-tomonga ulangan bo’-ladi. Bunda tashqi elektr maydon va p-n o’tishning ichki elektr maydon yo’nalishlari bir-biriga mos tusha-di. Natijada kontakt potensiallar farqi or-tadi.
Teshilish p-n o’tishga teskari yo’nalish bo’yicha uning chegaraviy qiy-matidan ortiqcha elektr maydon kuch-langanligi qo’yilgan-da p-n teskari tok qiy-matining o’ta tez oshib ketishi.
Tunnel teshilish p-n o’tishda elektron-larning taqiqlangan zona ichidan tunnel orqali o’tishi. Bu hodisa kvant mexani-kasida tunnel effekt ya’ni elektronlar po-tensial to’siqdan tun-nel orqali o’tish hodi-sasi asosida ishlaydi.
Tunnel diodi Tunnel effekti asosida ishlaydigan yarim o’tkazgichli qurilma. Tunnel effekti diod-larda kirishmalar kon-sentratsiyasiga kuchli bog’liq bo’ladi.
To’g’rilovchi diod O’zgaruvchan tokni o’zgarmas tokka ay-lantirish uchun foyda-laniladigan yarim o’t-kazgichli diod. To’-g’irlovchi quyi chas-totali diodlar odatda sanoat chastotasida (50 Gs) o’zgaruvchan tokni to’g’rilashda ishlatiladi.
Teskari diod Kirishma atomlari konsentratsiyasi kritik miqdorda bo’lib, tes-kari kuchlanishda tok tunnel effekti hisobiga to’g’ri tokdan ko’p bo’ladi.
Termistor Temperatura ortganda qarshiligi kamayadi-gan (manfiy qarshilik-ning temperatura koeffitsiyentiga ega bo’lgan) yarim o’t-kazgichli termorezis-tor.
Tiristor Uch va undan ortiq p-n o’tishlarga ega bo’l-gan, yopiq holatdan ochiq holatga va ak-sincha o’ta oladigan yarim o’tkazgichli as-bob. Tiristor struktu-rasi, o’tkazuvchanlik tipi ketma-ket o’zga-radigan 4 ta yarim o’t-kazgich sohasidan iborat. Uchta p-n o’tish va 2 ta omik kontaktga ega. Chetki n-sohadagi omik kon-takt – katod, chetki p-sohadagi omik kontakt anod deyiladi.


U
Ultradispers zarra Nanozarra kabidir. Izoh – asosan boshqa sohalarda qo’llaniladi, masaln granulometriyada.