Академия наук республики узбекистан

II бўлим (II часть; part II) 
29.
K.Maile, A.Lyutovich, Kh.Ashurov, R.Ashurov. 
Intermediate Layers with 
Chemical Affinity and Graded Transitions For Adjusting of Thermal Barrier 
Coating//
Asian-
European International Conference on Plasma Surface 
Engineering (AEPSE),
September, 2015, Jeju/Korea
. 
О
-
26
30.
В.Н.Арустамов, Х.Б.Ашуров, И.Х.Худайкулов, Б.Р.Кахрамонов
. 
Формирование тонких пленок при осаждении их из плазмы вакуумного 
дугового разряда // Труды XXII Международной конференции ВИП
-
132 

---

2015 «Взаимодействие ионов с поверхностью», 20
–
24 августа 2015 г. 
г.Москва, Россия. Т.3 с.204
-207 
31.
WO2014054889(
A
1) Международная патентная заявка от 10.04.2014. 
A 
method for preparing monosilane by using trialkoxysilane. Авторы: KIM 
Taek Joong, KIM Yong Il; KIM, Kyung Yeol; KIM Deok Yun, 
Kh. Ashurov
;
V. Rotshteyn; Sh. Salikhov; Kh. Ashurova, A. Kurbanov, R. Ashurov, 
I.Abdisaidov, S. Azizov
32.
WO2014054843(A1) Международная патентная заявка от 10.04.2014 A 
method for preparing monosilane by using trialkoxysilane. Авторы: KIM 
Taek Joong, KIM Yong Il; KIM, Kyung Yeol; KIM Deok Yun,
Kh. Ashurov
;
V. Rotshteyn; Sh. Salikhov; Kh. Ashurova, A. Kurbanov, R. Ashurov, 
I.Abdisaidov, S. Azizov
33.
М.Ш. Курбанов, Х.Б. Ашуров, Б.М. Абдурахманов. Особенности 
технологии получения технического кремния с учетом сырьевой базы 
Республики Узбекистан // В кн.: «Сборник тезисов X Конференции по 
актуальным проблемам физики, материаловедения технологии и 
диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе 
«Кремний
-
2014». Иркутск, 7
-
12 июля». Иркутск, Россия. С.98.
34.
Х.Б. Ашуров,
М.Ш. Курбонов. Некоторые решения по
технологии 
производства кремния // В кн.: «Сборник тезисов Х Конференции по 
актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и 
диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе 
"Кремний 2014",7
-
12 июля 2014, Иркутск».
С.9
9. 
35.
Ashurov 
Kh.B., Djurabekova F., Maksimov
S.E
.
, Turaeva N.N.,
B.L.Oksengendler.
Fundamental processes of radiation modification of 
semiconductor nanostructures // Phys. Status Solidi C © WILEY
-
VCH Verlag 
GmbH,
10, No. 4, 2013, 
p
p.685
–
688 
36.
Х.Б.Ашуров, Б.М. Абдурахманов, С.Е. Максимов, Б.Л. Оксенгендлер. 
Tермодинамические флуктуации и нанотермоэлектричество // Труды 
международной конференции, посвященной 70
-
летию Физико
-
технического института, Ташкент,
2013, стр.
100-102 
37.
Арустамов В.Н., Х.Б.Ашуров, Кадыров Х.Х., Худайкулов И.Х. Влияние 
капельной фракции потока на морфологию медных пленок при 
вакуумно
-
дуговом осаждении // Сборник тезисов 6
-
ой Международной 
конференции по Физической электронике IPEC
-
6, Ташкент, 23
-25 
октябрь, 2013, стр.
78-79 
38.
Arustamov 
V
.N
., 
Ashurov Kh
., 
Kadirov Kh.Kh
., 
Khudaykulov I.Kh. 
Strengthening
of anticorrosive stability of heat-carrier pipes of solar power 
stations by ion-plasma vacuum-arc method 
// Сборник тезисов 6
-
ой 
Международной конференции по Физической электронике IPEC
-
6, 
Ташкент, 23
-
25 октябрь, 2013, стр.
80-81 
39.
Кучканов
Ш.К., Ашуров
Х.Б., Абдурахманов Б.М., Ашуров М.Х., 
Максимов С.Е., Ниматов С.Ж. Дефекты и тепловольтаический эффект в 
плёночных кремниевых p
-
n структурах, полученных вакуумным 
осаждением // Сборник тезисов 6
-
ой Международной конференции по 
133 

---

физической электронике IPEC
-
6, Ташкент, 23
-
25 октябрь, 2013, стр.
93-
94 
40.
WO2013035956(
A
1) Международная патентная заявка от 14.03.2013 
Method
for preparing 
trialkoxysilane. Авторы: YANG
Se
In
; KIM
Yong
Il
; 
KIM, 
Kyung 
Yeol; KIM
Deok 
Yun; 
Kh. Ashurov
; V
. 
Rotshteyn;
B.Abdurakhmanov
; Sh
. 
Salikhov; 
Kh. Ashurova
;
A. 
Salimboev; S
. 
Saidov
. 
41.
S.E.Maksimov, 
Kh.B.Ashurov, 
V.N.Nikiforov, 
B.L.Oksengendler, 
N.N.Turaeva. Doping and segregation of impurities in nano