«Advances in Science and Technology» XVIII международная научно-практическая конференция 31 января 2019 Научно-издательский центр «Актуальность. Рф»

Список цитируемой литературы:
1. Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures / Ed. By L. L. Chang, K. Ploog. Amsterdam: Martimus
Nijhoff, 1985.700 p.
2. Herman M. A., Richter W. Epitaxy–Physical Principles and Technical Implementation. Berlin: Sitter,
Springer, 2004. 507 p.
3. Stringfellow G. B. Organometallic Vapor–phase Epitaxy: Theory and Practice. Boston: Academic Press,
1999. 572 p.
4. Болдыревский П. Б., Филатов Д. О., Казанцева И. А., Смотрин Д. С. Ревин М. В. Начальные стадии
МОС-гидридной эпитаксии арсенида галлия // Неорганические материалы, 2016, том 52, №10, с.1–6.
5. Болдыревский П. Б., Филатов Д. О., Казанцева И. А., Ревин М. В., Смотрин Д. С., Юнин П. А. Влия-
ние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики
слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии//Журнал технической физики.
2018. Т. 88. № 2. С. 219–223.
6. Тригуб В. И., Болдыревский П. Б. Диффузия растворителя через поверхность пленки резиста в
процессе центрифугирования//Письма в Журнал технической физики. 1999. Т. 25. № 23. С. 91–94.
7. Панкратов Е. Л., Болдыревский П. Б. Задача конвективной диффузии из газовой фазы к
вращающемуся диску//Прикладная механика и техническая физика. 2015. Т. 57 № 4. С. 74–83.
8. Левич В. Г. Физико–химическая гидродинамика М.: 1962. 700с.
9. Boldyrevsky P. B., Pankratov E. L. Modeling and analysis of convective process in gas phase during mocvd
epitaxy of semiconducting layers in reaction chamber with rotating disk substrate holder // Collaborative
Conference on Crystal Growth (3CG). Book of abstract. 2016. рр. 21–22.
64

---

PECULIARITIES OF THE MOSVD OF EPITAXY OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES
IN THE MODE OF CONVECTIVE DIFFUSION
Boldyrevskii P. B., Revin M. V., Filatov D. O.
Nizhny Novgorod State University, Nizhny Novgorod, Russia
Consideration of the conditions of the process of convective diffusion and the peculiarities of the
influence of gas–dynamic factors during the MOSVD epitaxy of semiconductor structures.
Keywords: gas–phase epitaxy, A3B5 semiconductor materials, layered–step growth mechanism
65

---

УДК 004.056.5