Абу райхон беруний номидаги тошкент давлат техника университети

Майдонли транзисторлардаги кучайтиргич поғоналари биполяр (икки қутбли) транзисторлардан йиғилган кучайтиргичларга ўхшаб ишлайди. Бунда майдонли транзисторли кучайтиргичнинг бошқарув сигнали бўлиб U_З қулф (затвор)нинг кучланиши хизмат қилади ва кучайтиргичнинг кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти умумий манба (исток), R_д >> R_C (R_д  транзисторнинг дифференциал (алоҳида, фарқли) чиқиш қаршилиги):
,
Бу ерда, S = I_С/U_З – транзисторнинг тарнов – қулф (сток-затвор) характеристикасининг қиялиги; R_С и R_И - кучайтиргичнинг тарнов (сток) ва манба (исток) занжирига уланган резисторлар қаршилиги.
Майдонли транзисторлардаги кучайтиргичларнинг юқори кириш қаршиликлари туфайли, С₁ паст сиғимли ажратувчи конденсатордан фойдаланиш мумкин.

3. Эмиттерли такрорлагич
Биполяр транзисторнинг умумий коллектори асосида йиғилган поғонада, эмиттерли такрорлагичда u_чиқ чиқиш кучланиши(C₂ ажратувчи конденсатор орқали) эмиттер занжирига уланган R_Э резистордан олинади (6,а-расм).
U_чиқ кириш сигнали йўқлигида занжир базаси орқали сокин токи (ток покоя) оқиб ўтади:

R
_Б1 и R_Б2 резисторларнинг қиймати шундай танланадики, сокин ҳолатдаги ишчи нуқтаси VT транзисторнинг кириш характеристикасинингишчи қисмининг ўртасида жойлашсин.Бунда ўзгарувчан u_чиқ кириш сигнали берилганда эмиттер токининг ўзгарувчан тузувчиси пайдо бўлади ва R_Э юклама резисторида . чиқиш кучланишини ҳосил қилади.
Ўзгарувчан ток бўйича эмиттерли такрорлагичнинг асосий параметрлари, ўрнини эгаллаш (схема замещения) схемасини тузиб ва R_Б1 и R_Б2 ва база занжиридаги қаршилигидаги юклама элементларини ҳисобга олиб ҳисоблаш мумкин:
.
ва базадаги ток бўлганда чиқиш кучланиши ва кучланиш бўйича кучайтиргич коэффициенти қуйидагига тенг:
;
Келтирилган ифодалардан кўриниб турибдики, K_u коэффициент бир бирдан кичик, шунинг учун ҳам кучайтиргич номи – эмиттерли такрорлагич деб аталади.
Коэффициент h₂₂ = 10^-5…10^-6 Ом, ва R_Э  10²…10⁴ Ом, эканлигини ҳисобга олиб K_u формулани соддалаштириш мумкин:
. Бунда .

Такрорлагичнинг кириш қаршилиги , h₁₁ транзисторнинг кириш қаршилидан анча катта бўлиб, бир неча ўн ва юзлаб килоОм қийматга эга бўлади. R_Б1 ва R_Б2 қаршиликларнинг катталигини ҳисобга олган ҳолда у қуйидаги кўринишни олади.

Чиқиш қаршилиги бирнеча ёки ўнлаб Ом қийматга эга бўлади. Шундай қилиб, эмиттерли такрорлагич юқори кириш ва кичик чиқиш қаршилигига эга ва бу эса уни юқори омлик сигнал манбаи ва кучайтиргич қурилмасининг паст омли юкламаси билан мувофиқлаштиришни осонлаштиради.
Эмиттерли (манбали) такрорлагичлар кучланишни шакл, амплитуда ва фазавий ўзгаришсиз узатишда қўлланилади ва бунда сигнал токи ва қуввати сезиларли даражада кучайтирилади: эмиттерли такрорлагич кириш сигнали токини h_21Э + 1 марта ва қувватнини h_21Э марта оширади.