Absorbsiyaгаз ёки буғларни газ ёки буғли аралашмалардаги компоненгларининг суюкдикда ютилиш жараёни абсорбция

KRISTALLANISH. Эритмалардан эриган қаттиқ компонентларни кристалл ҳолда ажратиб олиш кристалланиш жараёни деб номланади. Кристалланишга тескари жараён эритиш жараёни дейилади. Кристалл деганда ҳар хил шаклдаги, текис қирралар билан чекланган бир жинсли қатгиқ моддалар тушунилади. Кристалланиш қатгиқ моддаларни тоза ҳолда олишнинг асосий усули, чунки кристалланиш жараёнида ҳар доим шундай шароит яратиш мумкинки, кераксиз моддалар эритмада қолиб, фақат тоза модда кристалланади. Кристалланиш жараёни кимё, нефть кимёси, металлургия, медицина, фармацевтика, озиқ - овқат ва бошқа саноатларда кенг миқёсда қўлланилади. Кристалланиш жараёнини ўтказишдан мақсад: эритмалардан кристаллик фазани ажратиш; бир ва кўп босқичли кристаллаш усулларида аралашмаларни ажратиш; моддаларни аралашмалардан ўта тозалаш; монокристаллар етиштириш. Кристалланиш жараёнида турли ўлчамли кристаллар, яъни сочилувчан маҳсулот олинади. Ҳар бир модда кристалларининг ўзига хос геометрик шакллари бор. Ҳаммаси бўлиб 32 хил кристаллар симметрия ўқлар сони мавжуд ва улар 7 та кристаллографик гуруҳга ажратилган: кубик, тригонал, тетрагонал, гексагонал, ромбик, моноклин, триклин. Бир кимёвий модда бир неча хил кристаллар ҳосил қилиши полиморфизм деб юритилади. Ўз таркибида сув молекулаларини тутган кристалл кристаллогидратлар дейилади. Кристалланиш жараёни рўй бериши учун бошланғич эритма ўта тўйинган ҳолатда бўлиши керак. Агар, эритмадаги эриган модда концентрацияси унинг эрувчанлигидан юқори бўлса, бундай эритмалар ўта тўйинган деб номланади. Лекин, ўта тўйингган эритмалар нотурғун система бўлгани учун, ундан эриган модданинг ортиқча микдори ажралиб чиқади, яъни кристалланиш жараёни содир бўлади. Кристаллар. ажраб чиқиши тугагандан кейин тўйинган эритма қолади. Саноат технолотк жараёни 3 босқичдан иборат: 1) кристалланиш; 2) кристалларни эритмалардан ажратиш; 3) кристалларни ювиш ва қуритиш. Кристалларнинг ўсиши. Эритмада эриган модда заррачаларининг ҳосил бўлган кристаллик асосларда адсорбцияси ҳисобига бўлади. Кристалланиш жараёнида кристалл ҳам.ма қирралари бўйлаб бир вақгда ўсади, лекин ўсиш тезлиги ҳар хил бўлади. Бу ҳол кристаллар ўлчами ва шаклининг ўзгаришиги олиб келади. Кристалларнинг шакли асосан кристалланаётган модда табиатига боғлиқ. Агар, кристаллик асослар эркин ва бир текисда ювилиб турса, тўғри шаклли, яхши қирра ва томонли кристаллар ҳосил бўлади. Агар курилма девори ва аралаштириш мосламасига кристаллар ишқаланса ёки урилса, унинг қирралари силлиқланиши ҳисобига кристалл шакли бузилади, яъни маҳсулот сифати ёмонлашади. Кристалланиш усуллари. Кристалланиш жараёнини даврий ва узлуксиз ташкил этиш мумкин. Даврий кристалланиш жараёни кам тоннажли, узлуксиз эса — кўп тоннажли ишлаб чиқаришда қўлланилади. Саноат миқёсида куйидаги кристалланиш усулларидан фойдаланади: эритмалардаги эритувчининг бир қисмини буғлатиш; эритма температурасини ўзгартириб кристаллаш; комбинацияланган усуллардан фойдаланиб кристаллаш. Комбинацияланган усулларга вакуум остида, эритувчининг бир қисмини иссикдик элткич ёрдамида буғлатиб кристаллаш ва фракцияли кристаллашлар киради. Крисгаллизаторлар конструкциялари. Ишлаш принципига қараб крисгаллизаторлар даврий ва узлуксиз курилмаларга бўлинади. Узлуксиз ишлайдиган курилмалар ўз навбатида эритувчининг бир қисмини буғлатувчи ва эритмани совутувчи кристаллизаторларга ажралади. Ундан ташқари, мавҳум қайнаш қатламли крисгаллизаторлар ҳам бўлади.