A. X. Sulliyev, I. M. Bedritskiy, O. T. Boltayev

Ionli qutblanish (С_I , q_I) kristall panjarali qattiq jismlarda bo’sh bog’langan ionlar siljishi natijasida ro’y beradi. Ionli qutblanish elektron qutblanishga nisbatan kuchliroq kechadi va _r ning qiymati 530 oralig’ida bo’ladi. Ion o’lcham jihatidan elektrondan katta bo’lib, qutblanish tezligi esa, aksincha, past bo’ladi (10^-3c). Bunda _r qiymati chastotaga bog’liq emas. Ion qutblanishida elektr siljish maydon kuchlanganligi E ga, _r qiymati esa mazkur kuchlanganlikka bog’lig bolmaydi. Harorat ko’tarilishi bilan kristall panjaradagi ionlar orasidagi masofa ortadi. Natijada oraliqdagi tortishish-kuchi pasayadi va ion qutblanishi kuchayadi, ya’ni ionli dielektriklarda masalan, slyuda, ba’zi turdagi sopollarda _r qiymati o’sib boradi.

Ion qutblanishida energiya isrofi kuzatilmaydi, chunki qutblanishga sarflanadigan energiya manbaga to’liq uzatiladi. Faqat yuqori chastotada ionlarning rezonansi hisobiga materiallarda elektr energiya isrofi kuzatiladi.

Dipol-relaksatsiya qutblanishi (C_D-R, q_D-R, r_D-R) betartib issiqlik harakatida bo’lgan zarrachalar (dipol molekulalari) elektr maydoni ta’sirida o’z yo’nalishini o’gartirishi hisobiga ro’y beradi. Agar molekulalar, kuchlar dipollarning maydon uzra yo’nalish olishiga xalal bermasa, u holda dipol qutblanishi sodir bo’ladi. Qutbli dielektriklardagi dipol molekulalarining musbat va manfiy zaryadlarining og’irlik markazlari bir-biriga mos kelmay, balki molekula chekkasiga siljigan holda elektr momenti hosil qiladi. Elektr maydonida uning manfiy chekka qismi musbat qoplamaga, musbat qismi esa manfiy qoplamaga tomon burilishga intiladi. Dipol mazkur burilishda ma’lum qarshilikka (r_D-R) uchraydi va uni yengish uchun

energiya sarf etadi. Dipol qutblanish ancha sekin (=10^-610^-8s) kechishi sababli radio to’lqinida (10⁶10⁸ Gs) maydon o’zgarishi qutblanish vaqtiga yaqinlashib qoladi; oqibatda yuqori chastotada dipol molekulalar maydon yo’nalishining o’zgarishiga ulgurolmay qoladi va qutblanish susayib, _r qiymati pasayadi. Dipol qutblanish qutbli gazlar, suyuqliklar va ba’zi organik qattiq moddalarga xosdir. Kuchlanganlik uzilgandan so’ng dipolning issiqlik harakati ta’sirida tartibli susayishi vaqti (eksponensial o’zgaradigan e=2,71) relaksatsiya vaqti deb ataladi.⁴³ Qutbli dielektrikda _r qiymatining haroratga qarab o’zgarishi, past haroratda jism qovushqoqligi yuqoriligi tufayli dipollar harakatsiz va _r=_L ga teng bo’ladi; material qizdirilsa, u yumshab ichki ishqalanish susayishi natijasida dipol burilishi yengillashadi va _r qiymati ortadi; yuqori haroratda esa dipolning aniq yo’nalish olishiga zarralarning betartib issiqlik harakatining ortishi xalal beradi va o’z navbatida _r qiymati kamayadi (2.11-rasm).

a) b)

2.11-rasm. Relaksatsion qutblanish

Ion-relaksatsiya qutblanishi (C_i-r , q_i-r , r_i-r ) ba’zi anorganik moddalarda kuzatiladi. Bunda moddaning o’zaro bo’sh bog’langan ionlari tashqi elektr maydon ta’sirida aniq yo’nalish oladi. Agar elektr maydon olinsa, qutblanish eksponensial qonun bo’yicha pasayadi.⁴⁴

Elektron-relaksatsiya qutblanish (C_e-r , q_e-r , r_e-r ) sindirish ko’rsatkichi yuqori va katta ichki maydonga ega bo’lgan dielektriklar uchun xos bo’lib, qo’shimcha elektron yoki teshiklarni issiqlik energiyasi bilan ta’sirlantirish orqali yuzaga keladi. Bu turdagi qutblanish asosi metall oksidi bo’lgan ba’zi kimyoviy birikmalar

⁴³ Bijay_Kumar Sharma., Electrical and Electronic Materials Science./ - OpenStaxCNX,/ Indiya – 2014, 31-bet.

⁴⁴ T.K. Basak. Electrical engineering materials. New Age Intenational, Nil edition. USA, 2009. 49-bet

(titan, niobiy, vismut) ga xosdir. Tarkibida titan bo’lgan elektron-relaksatsiya qutblanishli sopolda elektr maydon chastotasi ortishi bilan dielektrik singdiruvchanlik kamayadi (2.12-rasm).

1. 
   b)
   

2.12-rasm. Ion-relaksatsion qutblanish