А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

1)
E

ва Е
c
 ни ылчашлардан, 
2)
Е

2
ва E

 ни айрим-айрим ылчашлардан ани=лаб олиш 
мумкин. 
Агар 
s
1
ва s
2
лардан бири маълум былса, =аралаётган 
усул иккинчисини ани=лаш имконини беради. 
Намунанинг бирор ё\ида сиртий рекомбинация тезлигини 
ани=ламо=чи былинса, бу усул =улай, ща=и=атан ҳам 

s= 
1
s
-
2
s
 

 s
1
 былганда

Е

2
=
s
s
AHE

1
2
2

=В
1
s
s

(5.32) 
А ызгармасни тажрибада ани=ланади. 
Е

2
ва E

ни ылчаб бевосита 

s ани=ланади. Мазкур 
ўлчашлар 
усулини: 
1)
ноасосий заряд ташувчилар концентрацияси (зичлиги) 
асосийларникидан унча кичик былмаганда, 

---

48 
2)
диффузион силжиш узунлиги етарлича катта былганда (бу 
щолда lg 
дан 
=алинлиги
кам намуна тайёрлаш мумкин) сиртий 
рекомбинация s тезлигини 
ылча
шда 
=ылланилиши
мумкин.
 
 
5.3.3. Фотоўтказувчанликнинг спектрал бо\ланишини 
ылчашларидан s ни ани=лаш 
 
 Фотоытказувчанликнинг 
спектрал 
та=симоти 
эгри 
чизи\ининг шакли, маълумки, кристалларнинг сиртий хоссалари 
билан =атти= бо\ланган. Масалан,сиртий (зоналараро) ютилиш 
сощасида ёру\лик кучли ютилганда заряд ташувчилар сирт 
я=инидаги сощада вужудга келади (генерацияланади) ва s анча 
катта 
былганда 
сиртий 
сатщлар 
ор=али 
тез
рекомбинацияланади. 
Сиртий 
рекомбинация 
тезлигини 
фотоытказувчанликнинг 
спектрал 
бо\ланишини 
ылчаш 
натижалари асосида ани=лашнинг бир неча усули мавжуд. 
Уларнинг энг соддасини кыриб чи=амиз. 
Кучли даражада ютиладиган ёру\лик учун αlg

ва αd

1 шартлар 
бажарилганда ∆σ
ф
фотоытказувчанлик (ёру\лик хисобидан =ышимча 
ытказувчанлик) =уйидагича ифодаланади: 
)
1
1
(
*






D
s
A
J
o
ф
(5.33) 
А* =
))
lg
2
(
lg
(
)
)(
1
(
lg
2
1
d
cth
s
D
l
r
e
p
n






(5.34) 
 Бунда 

 ва r – мос равишда, 
ёру\лик ютилиш ва =айтарилиши 
коэффициентлари 

1
–квант чиқиш, 
D-диффузия коэффиценти, J
о
-1 с да 1 
см
2
сирт юзига тушаётган фотонлар 
сони.
(5.33) ифодадан кўринишича, бу ҳолда 
o
J


нинг

1
га боғланиши чизиқий 
функциядир (5.6-5.7-расмлар).
5.6-расм 
Бу чизиқни 

1
ўқи билан кесишгунча (
o
J


=0 бўлгунча) давом 
эттирилса, унинг кесишиш нуқтасида 

---

49 

=- 
s
D
(5.35)
Амалда фототок I
ф
(

) нинг

(

) га боғланиши 
ўлчанади. Бу ўлчашлардан I
ф
(

1
) топилади. D маълум бўлса, (5.35) ифодадан 
s ни аниқланади. 
Яна бир усул шундай. Агар фототокни кучли ютилиш соҳасида икки 
тайинли тўлқин узунликлар учун ўлчанса, у ҳолда (I
ф
(

1
)/ I
ф
(

2
) ) = η бўйича 
s/D нисбат аниқланади 
1
2
1
1
1








D
s
(5.36) 
бунда 

1
ва 

2
мос равишда, λ
1
ва λ
2 
га тегишли ютилиш коэффицентлари. 
Мазкур материал учун тайинли 

1
ва 

2 
қийматлар учун s/D=f(η) боғланиш 
графиги ясалади. Бу ҳолда нисбатнинг 
ўлчаниши 
бирданига 
s/D 
қийматини 
беради. Бу усулни қўллаш учун икки 
тайинли тўлқин узунликни ажратиб 
5.7-расм
берувчи фильтрлар (элаклар) бўлиши кифоя. 
 
 
5.3.4. Сиртий рекомбинация тезлиги s ни фотомагнитик эффект 
(Кикоин-Hосков эффекти) асосида аниқлаш 
 
Яримўтказгични 
кучли 
даражада 
ютиладиган 
ёруғлик 
билан 
ёритганда, ёритилаётган сиртий қатламида ортиқча заряд ташувчилар пайдо 
бўлади ва ёруғлик тушиши йўналишида уларнинг зичликлари градиенти 
вужудга келади, ёритилаётган сиртга қарама-қарши х томонга заряд 
ташувчиларнинг диффузион оқимлари пайдо бўлади. Агар ёритилаётган бу 
намунани z йўналишидаги (кўндаланг) магнитик майдонга жойланса, Лоренц 
кучи таъсирида электронлар ва коваклар у 
ўқининг 
қарама-қарши 
томонларига 
оғишади, магнитодиффузион ток хосил 
бўлади. Бу эса намунанинг қарама-қарши 
ён 
ёқларида 
қарама-қарши 
ишорали 
зарядлар 
тўпланишига 
ва 
тегишли 
электрик (Е
у
) майдон хосил бўлишига 
олиб келади, у эса магнитодиффузион 
токка қарши дрейф ток пайдо қилади. 
Стационар ҳолатда бу токлар бир бирини
мувозанатлайди, аммо Е
у
билан боғлиқ