Qidiruv: КРЕМНИЙ

	5 технический (металлургический) кремний 203 Kb. 6	o'qib
	Гидрилланган аморф кремний намуналари легирланмасдан таиерланади 250,95 Kb. 1	o'qib
	11 причин почему кремний важен для здоровья организма 0,49 Mb. 1	o'qib
	Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния Исследование 12,44 Mb. 42	o'qib
	Гидрилланган аморф кремний намуналари легирланмасдан таиерланади, аммо Устириш иайгидаги технологии жараён 73,68 Kb. 1	o'qib
	2-курс талабаси Оптик қатламлар қўллаш орқали фотоэлектрик қурилманинг кремний асосининг қалинлигини камайтириш 63,25 Kb. 1	o'qib
	Электроника Iv группы германий Ge, кремний Si, селен Se, так и сложные полупроводниковые материалы: арсенид галлия GaAs, фосфид галлия GaP и другие 0,5 Mb. 6	o'qib
	I боб. Ярим ўтказгичли асбоблар ══════════════════════ Энергетик зоналар Wт (эВ) қуйидагига тенг: германий учун – 0,67, кремний учун – 1,12 ва галлий арсениди учун -1,38 100,46 Kb. 5	o'qib
	Кремний и оксид кремния Kremniy 1811 yilda fransuz olimlari Jozef Lui Gey-Lyusak va Lui Jak Tenard tomonidan sof shaklda ajratilgan 3,09 Mb. 1	o'qib
	Кремний лат Si, химический элемент IV группы периодической системы Менделеева; атомный номер 14, атомная масса 28,086. В природе элемент представлен тремя стабильными изотопами: 28Si (92,27%), 29Si 171,19 Kb. 4	o'qib
	2-Маъруза. ЯримўТКАЗГИЧЛАРНИНГ ЭЛЕКТРОФИЗИК ХОССАЛАРИ Яримўтказгичларда контакт ходисалари. Режа Iv гуруҳ элементлари қаттиқ ҳолатда моно-атом (содда, элементар) яримўтказгичлардир. Германий ва кремний олмоссимон кристалл панжарага эга бўлиб 341,23 Kb. 11	o'qib
	Ўзбекистон республикаси ахборот технологиялари ва коммуникацияларини Uk катталиги дастлабки ярим ўтказгич материал таъқиқланган зона кенглиги ва киритма концентрациясига боғлиқ бўлади. Кўпгина р-n ўтишлар контакт потенциаллар фарқи: германий учун 0,35 В, кремний учун эса = 0,7 В 231,87 Kb. 5	o'qib
	Ярим ўтказгичли диодлар. Туннель диодлари Al, Au, Mo ва бошқалар қўлланилади. Бу вақтда металл чиқиш иши кремний чиқиш ишидан катта бўлиши талаб қилинади. Бундай диодларда диффузия сиғими нольга тенг, тўсиқ сиғими эса 1 пФ дан ошмайди 262,5 Kb. 7	o'qib
	Ii боб. Аморф кремний асосли қуёш элементларининг фотогальваник характеристикаларини тадқИҚИ Ff – ҚЭ фотовольт-ампер характеристикасини тўлдириш коэффициенти, Jкз –қисқа туташув токи, Uхх – сальт ишлаш кучланиши, P0 – ҚЭ элементи юзасига тушувчи нурланишни қуввати [17]. ҚЭ фотовольт-ампер характеристикасини (фотовах) 258,52 Kb. 1	o'qib
	Ван дер Пау методи билан ўлчашда контактларнинг жойлашуви A, B, c va d kontaktlar hosil qilinadi Si нинг ρ ни ўлчаганда hcl газида емиргунча кимёвий-механик жилвирлаш мақсадга мувофиқ бўлади. Худди шундай р типли кремний намуналари учун уларни узоқ вақт ҳавода ушлаб туриш rо нинг ўлчаш хатолигини камайтиради 0,68 Mb. 4	o'qib

1 2