6. “Яримўтказгичлар физикаси” фанидан маъруза матнлари

6. “Яримўтказгичлар физикаси”
фанидан
МАЪРУЗА МАТНЛАРИ


¡ЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ
ОЛИЙ ВА ¡РТА МАХСУС ТАЪЛИМ ВАЗИРЛИГИ
МИРЗО УЛУЂБЕК НОМИДАГИ
¡ЗБЕКИСТОН МИЛЛИЙ УНИВЕРСИТЕТИ

ЮНУСОВ М.С., ВЛАСОВ С.И., НАЗИРОВ Д.Э.,
ТОЛИПОВ Д.О.

ЭЛЕКТРОН АСБОБЛАР

Олий ва ырта махсус таълим Вазирлигининг

Олий ы=ув юртлариаро илмий-услубий бирлашмалар фаолиятини Мувофи=лаштирувчи Кенгаши томонидан
олий ы=ув юртлари талабалари учун
ы=ув =ылланма сифатида тавсия этилган

Тошкент - 2003

Электрон асбоблар. © Тошкент. «Университет». ¡зМУ. 2003.

Ушбу ўқув қўлланма яримўтказгичлар физикаси, яримўтказгич асбоблар физикаси, микроэлектроника, радиоэлектрон асбоблар со-ҳасида мутахассислар тайёрловчи университетлар, институтлар ва ўрта махсус ўқув юртлари талабаларига ҳамда шу соҳа аспирантла-ри, докторантлари, илмий ходимларига мўлжалланган.

Муаллифлар:

Юнусов М.С., академик

Власов С.И., профессор

Назиров Д.Э., доцент

Толипов Д.О., доцент

Махсус муҳаррир:
Назиров Д.Э., доцент

Тақризчилар

Мамадолимов А.Т., академик
Зайнобиддинов С.З., профессор

М У + А Д Д И М А

Ҳозирги вақтда саноат, фан ёки ишлаб чиқаришнинг электрон асбоблар қўлланилмайдиган қандайдир бир соҳасини топиш муш-кулдир. Шунинг билан бирга ушбу соҳаларнинг янада ривожланиши электрон асбоблар ҳиссасининг ортиши билан чамбарчас бођлиқдир. Электрон асбобларнинг бирор соҳада самарали қўлланилиши ва улардан фойдаланиш ушбу асбобларнинг ишлаш тамойилларини, асосий кўрсаткичлари ва тавсифномаларини, шунингдек тайёрлаш усулларини билмасдан мумкин эмас. Ҳар бир ушбу бўлимлар бўйича физиканинг мос фанлари мавжуд: яримўтказгичлар ва яримўтказгич материаллар физикаси, яримўтказгич асбоблар физикаси, интеграл микротузилмалар, микроэлектроника, яримўтказгич тузилмалар тех-никаси ва бошқалар. Тайёрланаётган мутахассиснинг йўналишига бођлиқ ҳолда турли олий ўқув юртлари кафедраларининг ишчи дас-турларида у ёки бошқа фанга турлича соатлар ажратилади. Аммо ҳамма замонавий қаттиқ жисмли электрон асбобларнинг асоси ўзига хос хусусиятларга эга яримўтказгич материалдир. Шунинг учун ҳам ушбу фанни ўқитишга катта эътибор қаратилади.

Мирзо Улуђбек номидаги ¡збекистон Миллий Университети-нинг яримўтказгичлар ва диэлектриклар физикаси кафедрасида қа-тор йиллар давомида бакалаврлар ва магистрлар учун яримўтказгич-лар физикаси, яримўтказгич асбоблар физикаси, микроэлектроника асослари каби фанлар ўқитилиб келинмоқда. Ушбу "Электрон ас-боблар" номли китоб ушбу фанлар бўйича маърузалар ўқиш тажри-баси асосида ёзилгандир.
Китобнинг асосий мақсади замонавий электрон асбоблар ҳақи-даги асосий тушунчаларни ва уларнинг ишлаш тамойилларини етар-лича содда кўринишларда баён қилишдир. Материални ёритишда математик аппаратдан фойдаланиш амалда жуда чекланган бўлиб, асосий эътибор у ёки бошқа электрон асбобнинг ишлашининг физи-кавий тамойилларини тушунтиришга қаратилган.
Биринчи боб яримўтказгичлар физикаси асосларига бађишлан-ган. Бу ерда яримўтказгич материаллар кристалл панжарасининг ту-зилиши, панжарада учрайдиган нуқсонлар ва уларнинг тавсифнома-лари кўрилади. Шунингдек, хусусий ва киришмавий яримўтказгич-лар ҳақида асосий тушунчалар, яримўтказгичларда электронлар ва коваклар статистикаси, зонавий назария асослари, кристалл яримўт-казгичларда электрик бетарафлик шартлари ва электрик ўтказувчан-лик механизмлари келтирилган.
Иккинчи боб p-n ўтишнинг ҳосил бўлиш физикасини тушун-тиришга ва тавсифномаларини таҳлил қилишга бађишланган. p-n ўтиш ҳамма яримўтказгич асбобларнинг асоси бўлганлиги сабабли, p-n ўтишдаги физикавий ҳодисалар етарлича батафсил кўрилган. ¡тишнинг ишлаши унга тўђри ёки тескари кучланишлар берилган ҳоллар учун таҳлил қилинади.
Учинчи бобда кўплаб яримўтказгич диодларнинг физикавий асослари ва уларнинг тавсифлари келтирилган. Бу ерда Шоттки ди-одлари, варикаплар, фото- ва ёритувчи диодлар, Ганн диодлари, тун-нел диодлар ва бошқа, p-n ўтиш асосидаги асбоблар каби электрон асбоблар тавсифномалари, ишлаш тамойиллари ва ўлчаш усуллари билан танишилади.
Тўртинчи боб биқутбий транзисторларнинг ишлашини таҳлил қилишга бађишланган. Бу ерда транзисторларнинг физикавий асос-лари, вольт-ампер тавсифномалари ва ўлчаш усуллари кўрилади. Ге-тероўтишли транзисторлар ҳақида маълумотлар келтирилган, уларни ривожлантириш йўллари кўрсатилган.
Бешинчи бобда ҳамма кўринишлардаги майдоний транзистор-ларнинг ишлаш тамойиллари ҳақида маълумотлар келтирилган. Транзисторлар геометрияси ва уларнинг ишчи тавсифномалари кел-тирилган.
Олтинчи боб манфий дифференциал қаршиликли электрон ас-боблар ишини таҳлил қилишга бађишланган. Булар бир ўтишли транзисторлар, кўчкисимон ва туннел транзисторлардир. Бу ерда бу кўринишдаги асбобларнинг тузилиши, улаш усуллари ва ишчи тав-сифномалари келтирилган. Кўрилаётган асбоблар асосида ётувчи физикавий механизмлар батафсил ўрганилган.
Еттинчи бобда интеграл транзисторлар, яъни интеграл микро-тузилмалар таркибига кирувчи транзисторлар баёни ва хусусиятлари келтирилган. Ушбу транзисторлар ва интеграл микротузилмаларни тайёрлаш технологиялари хусусиятлари ҳақида маълумотлар келти-рилган.
Саккизинчи бобда дискрет ва интеграл транзисторларни тайёр-лашнинг технологик усуллари таҳлил қилинади. Транзисторлар тай-ёрлашнинг диффузиявий ва планар технологиялари баён қилинган.
Ушбу китоб яримўтказгичлар физикаси, яримўтказгич асбоб-лар физикаси, микроэлектроника, радиоэлектрон асбоблар соҳасида мутахассислар тайёрловчи университетлар, институтлар ва ўрта мах-сус ўқув юртлари талабаларига ҳамда шу соҳа аспирантлари, илмий ходимларига мўлжалланган.