6-Ma’ruza. Yarim o’tkazgichli tranzistorlar Reja: Tranzistorlarning tuzulishi, ishlah prinsipi va ulanish sxemalari

 

Bipolyar  tranzistor  statik  xarakteristikalari.Tranzistor  statik  xarakteristikalari 

kollektor zanjiriga yuklama qo‘yilmagan holda  o‘rnatilgan kirish va chiqish toklari va 

kuchlanishlar  orasidagi  o‘zaro  bog‘liqlikni  ifodalaydi.  Har  bir    ulanish  uchun  statik 

xarakteristikalar  oilasi  ma’lumotnomalarda  keltiriladi.  Eng  asosiylari  bo‘lib 

tranzistorning  kirish  va  chiqish  xarakteristikalari  hisoblanadi. Qolgan  xarakteristikalar 

kirish va chiqish xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin. 

 

UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib U

КБ 

= const bo‘lgandagi I

Э

= f 

(U

ЭБ

)  bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa U

КЭ

 = const bo‘lgandagi I

Б

=f(U

БЭ

) bog‘liqlik 

hisoblanadi. Kirish  xarakteris-tikalarining  umumiy  xarakteri odatda  to‘g‘ri  yo‘nalishda 

ulangan  p-n  bilan  aniqlanadi.  Shu  sababli  tashqi  ko‘rinishiga  ko‘ra  kirish 

xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (4.7- rasm). 

 

Rasmlardan  ko‘rinib  turibdiki,  chiqish  kuchlanishining  o‘zgarishi  kirish 

xarakteristiklarini  siljishiga  olib  keladi.  Xarakteristikaning  siljishi  Erli  effekti  (baza 

kengligining  modulyatsiyasi)  bilan  aniqlanadi.  Buning  ma’nosi  shundaki,  kollektor 

o‘tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda baza 

sohasidagi  kengayish  uning  kengligining  kichrayishi  hisobiga  sodir  bo‘ladi.  Baza 

kengligining 

kichrayishi 

ikkita 

effektga 

olib 

keladi: 

zaryad 

tashuvchilar 

rekombinatsiyasining  kamayishi  hisobiga  baza  tokining  kamayishi  va  bazadagi  asosiy 

---

bo‘lmagan  zaryad  tashuvchilar  konsentratsiya  gradiyentining  ortishi  hisobiga  emitter 

tokining ortishi. 

а)                                                          b) 

 

4.7 – rasm. UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi 

 

Shu  sababli  kollektor  o‘tishdagi  teskari  kulanishning  ortishi  bilan  UB  sxemadagi 

kirish xarakteristika chapga, UE sxemada esa o‘ngga siljiydi. 

UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi бўлиб I

Э

 =const 

bo‘lgandagi I

К

= f (U

КБ

) bog‘liqlik, UE sxemada esa I

Б

 =const bo‘lgandagi I

К

= f (U

КЭ

) 

bog‘liqlik hisoblanadi. 

Chiqish  xarakteristikalari  ko‘rinishiga  ko‘ra  teskari  ulangan  diod  VAX  siga 

o‘xshaydi, chunki kollektor o‘tish teskari ulangan. Xarakteristikalarni qurishda kollektor 

o‘tishning teskari kuchlanishini o‘ngda o‘rnatish qabul qilingan (4.8 – rasm). 

 

4.8-rasm. Bipolyar tranzistorning volt- amper xarakteristikasi  

 

4.5  а  -  rasmdan  ko‘rinib  turibdiki,  UB  sxemadagi  chiqish  xarakteris-tikalari  ikki 

kvadrantlarda  joylashgan:  birinchi  kvadrantdagi  VAX  aktiv  ish  rejimiga,  ikkinchi 

kvadrantdagisi esa – to‘yinish ish rejimiga mos keladi. Aktiv rejimda chiqish toki (4.4) 

---

nisbat  bilan  aniqlanadi.  Aktiv  rejimga  mos  keluvchi  xarakteristika  sohalari  abssissa 

o‘qiga  uncha  katta  bo‘lmagan  qiyalikda,  deyarli  parallel  o‘tadilar.  Qiyalik  yuqorida 

aytib o‘tilgan Erli effekti bilan tushuntiriladi. I

Э

=0 bo‘lganda (emitter zanjiri uzilganda) 

chiqish  xarakteristikasi  teskari  siljigan  kollektor  o‘tish  xarakteristikasi  ko‘rinishida 

bo‘ladi.  Emitter  o‘tish  to‘g‘ri  yo‘nalishda  ulanganda  injeksiya  toki  hosil  bo‘ladi  va 

chiqish xarakteristiklari 

)

(

1

2

Э

Э

I

I





kattalikka chapga siljiydi va x.z. 

 

UE sxemasida ulangan  tranzistorning chiqish xarakteristikasi UB sxemada ulangan 

tranzistorning  chiqish  xarakteristikasiga  nisbatan  katta  qiyalikka  ega.  Chunki  uning 

ko‘rinishiga Erli effekti katta ta’sir ko‘rsatadi. Bog‘liqliklarning umumiy xarakteri (4.5 

b-rasm) kollektor va baza toklari orasidagi  quyidagi bog‘liqlik  bilan aniqlanadi: 

0

КЭ

Б

K

I

I

I







,            (4.11) 

 

bu yerda I

КЭ0

 – I

Б

=0 (uzilgan baza) bo‘lgandagi kollektorning to‘g‘ri  toki. I

КЭ0

 toki 

I

К0

  tokidan 

1





  martaga  katta  bo‘ladi,  chunki  U

БЭ

=0  bo‘lganda  U

КЭ

  kuchlanishining 

bir qismi emitter o‘tishga qo‘yilgan bo‘ladi va uni to‘g‘ri yo‘nalishda siljitadi. Shunday 

qilib, I

КЭ0

=(

1





)I

К0

 – ancha katta tok bo‘lib, tranzistor ishining buzilishini oldini olish 

maqsadida baza zanjirini uzish kerak. 

 

Baza  toki  ortishi  bilan  kollektor  toki 

)

(

1

2

Б

Б

I

I





  kattalikka  ortadi  va  x.z.,  va 

xarakteristika  yuqoriga  siljiydi.  UE  sxemadagi  chiqish  VAXlarining  asosiy    xossasi 

shundaki,  ham  aktiv  va    ham  to‘yinish  rejimlarida  bir  kvadrantda  joylashadi.  Ya’ni, 

elektrodlarning berilgan kuchlanish ishoralarida ham aktiv rejim, ham to‘yinish rejimida 

bo‘lishi  mumkin.  Rejimlar  almashinishi  kollektor  o‘tishdagi  kuchlanishlar  nolga  teng 

bo‘lganda sodir bo‘ladi. Kollektor soha qarshiligini hisobga olmagan holda U

КЭ 

=  U

КБ

 

+  U

БЭ 

bo‘lgani uchun, talab qilinayotgan bo‘sag‘aviy kuchlanish qiymati   U

*

КЭ 

=  U

БЭ

 

bo‘ladi. U

БЭ

 qiymati berilgan baza tokida kirish xarakteristikasidan aniqlanadi.