4- лаборатория иши майдоний транзистор(МТ) да ясалган кучайтиргич схемасини тадқИҚ этиш

1-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этиш.

6.2.Лаборатория ишини бажариш тартиби

• 
  5.1 - жадвалда берилган параметрлар асосида дастлабги ҳисоблашлар учун берилган формулалар ёрдамида ҳисоб-китоб қилинг;
  
• 
  5.2- расмда келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, олинган натижаларни 5.2 – жадвални тўлдиринг;
  
• 
  5.2 жадвал асосида олинган натижаларга ишлов беринг.
  

2.1. Берилган параметрлар.
1-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этишда NI Multisim датурий муҳитида фойдаланилиш тавсия этиладиган транзистор: BC547A;
2-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этишда NI Multisim датурий муҳитида фойдаланилиш тавсия этиладиган транзистор: BC556AP.

2. 
   Дастлабки ҳисоблашлар. Икки транзисторли БТГ учун R₁ қаршиликни ҳисоблаш.
   

Кремнийдан тайёрланган транзисторларда U_БЭ=0,6….0,8 В гача бўлади.
R₁ ни қуйидаги формула билан ҳисоблаш мумкин.

𝑅1 =

1-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этиш.

5.2- расмда келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, R₂=R_н қийматларини ўзгартирган ҳолда олинган натижаларни 5.2 – жадвални тўлдиринг:

Rн,кОм	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1	1,1
URН, В	0	0.331	0.662	0.993	1.324	1.655	1.986	2.317	2.648	2.979	3.31	3.641
IН, мА	4.642	3.309	3.311	3.309	3.313	3.313	3.311	3.313	3.311	3.311	3.311	3.309
δ	37	2.01	1.95	2.01	1.89	1.89	1.95	1.89	1.95	1.95	1.95	2.01

1,2	1,3	1,4	1,5
3.972	4.303	4.634	4.965
3.311	3.313	3.309	3.311
1.95	1.89	2.01	1.95

5.2 – жадвал.

4. 
   Олинган натижаларга ишлов бериш.
   

Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: .
𝐼у

4. 
   Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:
   

1) I_н=f(R_Н); 2) I_н=f(U_RН); 3) δ=f (R_Н).

1-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этишни бажариш ва ечиш.

Вариант номер:19

=13.3 =3.4

Икки транзисторли БТГ схемасининг мултисимда йигилиши.
𝑅₁ = = = =3.7kOm;
Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: .
𝐼у

δ=

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:
1) I_н=f(R_Н); 2) I_н=f(U_RН); 3) δ=f (R_Н).







2-қисм. Уч транзисторли (Уилсон) БТГ ишлашини тадқиқ этиш.

7.3. Лаборатория ишини бажариш тартиби

• 
  5.1 - жадвалда берилган параметрлар асосида дастлабги ҳисоблашлар учун берилган формулалар ёрдамида ҳисоб-китоб қилинг;
  
• 
  5.3- расмда келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, олинган натижаларни 5.2 – жадвални тўлдиринг;
  
• 
  5.3 - жадвал асосида олинган натижаларга ишлов беринг.
  

Дастлабки ҳисоблашлар. Уч транзисторли (Уилсон) БТГ учун R₁ қаршиликни ҳисоблаш.
Кремнийдан тайёрланган транзисторларда U_БЭ=0,6….0,8 В гача бўлади. R₁ ни қуйидаги формула билан ҳисоблаш мумкин.
бу ерда,
Ишни бажариш.
5.3- расмда келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, R₂=R_н қийматларини ўзгартирган ҳолда олинган натижаларни 5.3 – жадвални тўлдиринг:
5.3 – жадвал.

Rн,кОм	0	0.1	0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.7	0.8
URН, В	0	0.257	0.514	0.772	1.029	1.285	1.542	1.798	2.055
IН, мА	2.574	2.573	2.572	2.572	2.572	2.571	2.57	2.57	2.57
δ	0.17	0.17	0.17	0.17	0.17	0.17	0.171	0.171	0.171

0.9	1	1.1	1.2	1.3	1.4	1.5
2.312	2.568	2.824	3.07	3.336	3.592	3.847
2.569	2.569	2.568	2.567	2.566	2.566	2.565
0.172	0.172	0.173	0.173	0.173	0.173	0.173

4. 
   Олинган натижаларга ишлов бериш.
   

Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: .
𝐼у

4. 
   Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:
   

1) I_н=f(R_Н); 2) I_н=f(U_RН); 3) δ=f (R_Н).

2-қисм. Уч транзисторли (Уилсон) БТГ ишлашини тадқиқ этишни бажариш ва ечиш.

Уч транзисторли (Уилсон) БТГнинг мултисимда тузилиши.


= =13.3-2*0.8=11.7
R1= =13.3/3.4mA=13.3* /3.4=3.9kOm.
Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: .
𝐼у

δ=

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:
1) I_н=f(R_Н); 2) I_н=f(U_RН); 3) δ=f (R_Н).










ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ ВА КОММУНИКАЦИЯЛАРИНИ РИВОЖЛАНТИРИШ ВАЗИРЛИГИ
МУҲАММАД АЛ-ХОРАЗМИЙ НОМИДАГИ ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ

Электроника ва схемалар 2 фанидан бажарган

6-ЛАБОРАТОРИЯ ИШИ

Бажарди: Турдиқулов Жахонгир

Текширди: Хўжамиёр Тешабоёв

Майдоний транзисторда ясалган барқарор ток генераторини тадқиқ этиш
Ишдан мақсад: Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ва уч транзисторли ток кўзгусининг ишлашини тадқиқ этиш, NI Multisim
датурий муҳитида симуляциялашни ўрганиш.

9.Назарий маълумотлар

Ушбу турдаги яримўтказгичларнинг параметрлари сезиларли даражада кенг тарқалишига сабабли майдоний транзисторда ясалган ток манбалари асосан анолог интеграл микросхемаларни ишлаб чиқаришда қўлланилади. Бундан ташқари, схемотехникада МДЯ (МОS metal-oxide-semiconductor) структурали майдоний транзисторлардан фойдаланилганда биполяр транзисторли ток кўзгусидан деярли фарқ қилмайди.
Майдоний транзисторда ясалган ток манбалари ток хисоб-китобларини амалга ошириш учун берилган дастлабки маълумотлар: I_у - бошқарувчи ток, Е_П – кучланиш манбаси ва U_зи затвор чегара кучланиши.
U_зи (V_GS(th) (Gate Threshold Voltage)) – транзистор очиладиган чегара кучланиш. Бу кучланиш, ўтказувчилар ўртасида канал ҳосил қиладиган кучланиш ҳисобланади ва у сток ва исток ўртасида ток ўтишини таъминлайди. Агар затвор ва исток кучланиши U_зи ни V_GS(th) қийматигача пасайтириб борсак транзистор ёпилиб қолади яъни ток ўтмайди.
Ушбу лаборатория машғулотида 2N6660 моделдаги майдоний транзистордан фойдаланамиз. Ҳар бир транзисторнинг параметрлари ва характеристикалари унинг паспортида келтирилган бўлади. Ушбу параметрлар асосида амалиётда қурилма вазифасига қараб транзисторлар танлаб олинади. 2N6660 моделдаги транзистор характеристикалари ва параметрлар қуйидаги 6.1-расмда келтирилган.

5.6.1-расм. 2N6660 транзистори характеристикалари

Лаборатория иши учун топшириқ.
Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ва уч транзисторли ток кўзгуси (6.2 ва 6.3 расмлар) схемаси асосида I_н=f(R_Н), I_н=f(U_RН), δ=f (R_Н) графикларини ҳосил қилинг ва тахлил қилинг.

6.6.2-расм. Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ток кўзгуси схемаси

6. 
   3-расм. Майдоний транзисторда ясалган уч транзисторли ток кўзгуси схемаси
   

Юқоридаги схемалар учун R_н юклама қаршилиги максимал қийматини аниқланг, бунда ток кўзгуси чиқиш токи қиймати кириш ток қийматидан 5 фоизга фарқ қилади ва бу нуқтани графикларда кўрсатинг.

Лаборатория ишини бажариш тартиби

7.Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ток кўзгуси

Вариант номер:19 =13.3, =13.4,

• 
  Лаборатория ишини бажариш учун 6.2- расмда келтирилган схемани NI Multisim датурий муҳитида йиғинг.
  

6.1 жадвалда белгиланган вариантингиздаги берилган параметрлар асосида E_П кучланиш манбаси қийматини ўрнатинг ва R1 қаршиликнинг қийматини қуйидаги формула асосида ҳисоблаб топинг: R1= (Е_П – U_зи) / I_у

1-қисм. Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ток кўзгуси схемасини бажариш ва ечиш.

𝑅₁ = =

δ=

Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:

1) I_н=f(R_Н); 2) I_н=f(U_RН); 3) δ=f (R_Н).

Симуляция нитижасида U1 амперметр бошқарувчи ток I_у=9,981 мА қийматини кўрсатмоқда, лекин вариант бўйича 10 мА бўлиши керак эди. Бунда, ток оқими хатолиги 0,19% ни ташкил этди. Симуляцияни биринчи марта ишга туширганда I_у бошқарувчи ток оқими хатолиги 3% гача бўлиши мумкин.

Бу ерда, I_у ток вариант бўйича, 𝐼_из ток олчаб олинади.

Юклама қаршилигининг қийматини R_Н = 0 Ом дан R_Н = 1,5 кОм гача 0,1 кОм қийматга ошириб боринг ва натижаларни 6.2 – жадвалга ёзиб олинг.
6.2 – жадвал.

Rн,кОм	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1	1,1
URН, В	0	1.333	2.665	3.998	5.33	6.662	7.995	9.327	10.659	11.991	13.01	13.071
IН, мА	0.015	0.013	0.013	0.013	0.013	0.013	0.013	0.013	0.013	0.013	0.013	0.012
δ		0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0.45

1,2	1,3	1,4	1,5
13.103	13.126	13.144	13.158
0.011	0.01	0.009	0.008
0.22	2.47	1.59	2.04