3. Xulosa Foydalanilgan adabiyotlar

Birinchi bosqich 1895 yilda A.S. Popov tomonidan simsiz telegraf – radio ixtiro qilinishi bilan boshlandi. Bu davrdagi aloqa qurilmalari passiv elementlardan: simlar, induktivlik g‘altaklari, magnitlar, rezistorlar, kondensatorlar, elektromexanik qurilmalar (almashlab ulagichlar, rele va boshqalar) dan iborat edi.
Ikkinchi bosqich 1906 yili L.de Forest tomonidan birinchi aktiv elektron asbob - triod lampasining yaratilishi bilan boshlandi. Triod – elektr signallarini turli o‘zgartirish usullariga ega bo‘lgan, asosan – quvvat kuchaytirish xossasiga ega bo‘lgan birinchi aktiv elektron asbob bo‘ldi. Kuchsiz signallarni elektron lampalari yordamida kuchaytirish hisobiga telefon orqali suhbatlarni uzoq masofalarga uzatish imkoniyati yuzaga keldi. Elektron lampalari radio orqali tovush, musiqa, keyinchalik esa televidenie orqali tasvirlarni ham uzatishga o‘tishga imkon yaratdi. Ikkinchi bosqich elektronika apparaturalari elementlariga – elektron lampalar, rezistorlar, kondensatorlar, transformatorlar kiradi.
Uchinchi bosqich 1948 yili Dj. Bardin, V. Bratteyn va V. Shoklilar tomonidan qattiq jismli (yarim o‘tkazgichli) elektronikaning asosiy aktiv (kuchaytirgich) elementi bo‘lgan - bipolyar tranzistorning kashf etilishi bilan boshlandi. Tranzistor elektron lampaning barcha funksiyalarini bajarishga qodir.
Tranzistor yaratilishi bilan, uning almashlab ulagich vazifasini bajara olish xossasi, kichik o‘lchamlari va yuqori ishonchliliga ko‘ra bir necha ming elektr radioelementlardan (ERE) tashkil topgan murakkab elektron qurilma va tizimlarni yaratish imkoniyati tug‘ildi. Bunday qurilmalarni loyihalash juda oson, lekin xatosiz yig‘ish va ishlashini ta’minlash esa deyarli mumkin emas edi. Gap shundaki, har bir ERE alohida yaratilgan edi (diskret elementlar) va boshqa elementlar bilan individual bog‘lanishni (montajni) talab qilar edi. Hatto juda aniq montajda ham uzilish, qisqa tutashuv kabi xatoliklar yuzaga kelar va tizimni darxol ishga tushishini ta’minlamas edi. Masalan, 50 yillar so‘ngida yaratilayotgan EHMlar o‘nlab rezistor va kondensatorlarni hisobga olmaganda, 100 mingga yaqin diodlar va 25 mingtacha tranzistorlardan iborat edi.
Diskret elementlar quyidagi xossalarga ega: o‘rtacha quvvati 15 mVt, o‘lchamlari (bog‘lanishlari bilan) 1 sm3, o‘rtacha og‘irligi 1 g va buzilish ehtimolligi 10-5 s-1. Natijada diskret elementlardan tuzilgan EHMning sochilish quvvati 3 kVt, o‘lchamlari 0,2 m3, og‘irligi 200 kg bo‘lib, har bir soatda ishdan chiqar edi. Bu albatta EHM ish qobiliyatini kichikligidan dalolat beradi. Bunday diskret tranzistorli texnika yordamida murakkab elektron qurilmalarni yaratish imkoni mavjud emas. Demak, buzilishlar ehtimoli, o‘lchamlari va og‘irligi, tannarxi va boshqalar bir necha darajaga kichik bo‘lgan sifatli yangi element baza yaratish talab qilinar edi. Integral mikrosxemalar xuddi shunday element baza talabalariga javob berdi.
To‘rtinchi bosqich integral mikrosxemalar (IMS) asosida qurilma va tizimlar yaratish bilan boshlandi va mikroelektronika davri deb ataladi.
Mikroelektronikaning birinchi mahsulotlari – integral mikrosxemalar 60 yillar so‘ngida paydo bo‘ldi. Hozirgi kunda IMSlar uch xil konstruktiv – texnologik usullarda yaratiladi: qalin pardali va yupqa pardali gibrid integral mikrosxemalar (GIS) va yarim o‘tkazichli integral mikrosxemalar.
Integral mikrosxemalar radio elektron apparaturalarda elementlararo ulanishlarni ta’minlash bilan birgalikda, ularning kichik o‘lchamlarini, energiya ta’minotini, massa va material hajmini ta’minlaydilar. Ko‘p sonli chiqishlar va qobiqlarning yo‘qligi radio elektron apparaturalarning hajmi va massasini kichraytiradi. 1965-yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G. Mur qonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi element- lar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 106-И09 ta bo‘lgan o‘ta yuqori ( 0 ‘YuIS) va giga yuqori (GYuIS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda.Mikroelektronikaning qariyb yarim asrlik rivojlanish davri mobay- nida IMSlaming keng nomenklaturasi ishlab chiqildi. Telekommuni­katsiya va axborot-kommunikatsiya tizimlarini loyihalovchi va eksplua- tatsiya qiluvchi mutaxassislar uchun zamonaviy mikroelektron element bazaning imkoniyatlari haqidagi bilimlarga ega bo‘lish muhim.Integral mikroelektronika rivojining fizik chegaralari mavjudligi sababli, hozirgi kunda an’anaviy mikroelektronika bilan bir qatorda elektronikaning yangi yo‘nalishi - nanoelektronika jadal rivojlanmoqda. Nanoelektronika o‘lchamlari 0,ldan 100nm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi. U qattiq jism fizikasi, kvant elektronikasi, fizikaviy-kimyo va yarimo‘tkazgichlar elektronikasining so‘nggi yutuqlari negizidagi qattiq jismli texnologiyaning bir qismini tashkil etadi. So‘nggi yillarda nanoelektronikada muhim amaliy natijalarga erishildi, ya’ni zamonaviy telekommunikatsiya va axborot tizimlaming negiz elementlarini tashkil etuvchi geterotuzilmalar asosida yuqori samaradorlikka ega lazerlar va nurlanuvchi diodlar yaratildi; fotoqabul- qilgichlar, o‘ta yuqori chastotali tranzistorlar, bir elektronli tranzistorlar, turli xil sensorlar hamda boshqalar yaratildi. Nanoelektron 0 ‘YuIS va GYuIS mikroprosessorlarni ishlab chiqarish yo‘lga qo‘yildi. Shvetsiya Qirolligi fanlar akademiyasi ilmiy ishlarida tezkor tranzis­torlar, lazerlar, integral mikrosxemalar (chiplar) va boshqalarni ishlab chiqish bilan zamonaviy axborot kommunikatsiya texnologiyalariga asos solgan olimlar: J.I. Alferov, G. Kremer, Dj.S. Kilbini Nobel mukofoti bilan taqdirlandi. Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda funksional elektronika rivojlanmoqda. Elektronikaning bu yo‘nalishi an’anaviy elementlar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensa- torlar)dan voz kechish va qattiq jismdagi turli fizik hodisa (optik, magnit, akustik va h.k.)lardan foydalanish bilan bog‘liq. Funkisonal elektro­nika asboblariga akustoelektron, magnitoelektron, kriogen asboblar va boshqalar kiradi.
Sxemotexnika - radiotexnika, aloqa, avtomatika, hisoblash texnikasi va boshqalarning elektron qurilmalarini taxlil va sintez qilish muammolarini o’z ichiga olgan ilmiytexnikaviy yo’nalish. Yuqorida sanab o’tilgan qurilmalarning aniq ishlashini ta’minlash va ularning tarkibiga kiradigan elementlarning parametrlarini hisoblash uchun qo’llanadi. "Sxemotexnika" termini 20-asrning 60 yillarida ko’p funksiyali elektron qurilmalarning paydo bo’lishi bilan bog’liq ravishda paydo bo’lgan. Sxemotexnikaning nazariy bazasini chiziqli va nochiziqli elektr zanjirlari nazariyasi, elektrodinamika, matematik dasturlash, avtomatlar nazariyasi va boshqa tashkil qiladi. Elektr va radioelementlar (rezistorlar, kondensatorlar, diodlar, tranzistorlar va boshqalar) va integral mikrosxemalar elektron qurilmalarning elementlar bazasi sifatida xizmat qiladi.
Integral sxema (IS, integral mikrosxema) — juda ixcham (mikrominiatyur) elektron qurilma. Elementlari (diodlar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar va b.) konstruktiv, texnologik va elektr jihatdan o’zaro uzviy bog’langan (birlashtirilgan) va o’ta zich joylashtirilgan bo’ladi. Uzluksiz yoki diskret (uzlukli) elektr va optik signallar tarzidagi axborotlarni qabul qilish, qayta ishlash uchun mo’ljallanadi. Integral sxema quyidagi xillarga bo’linadi: elementlarni birlashtirish (integratsiya) usuli bo’yicha — yaxlit (monolit) va gibrid (tarkibiy) (osma diskret elektron asboblarlan foydalanilgan) sxemalar; ishlov beriladigan signallarning xili bo’yicha — raqamli va analog sxemalar. Integral sxema elektron hisoblash mashinalari, nazorat-o’lchash apparatlari, aloqa texnikasi va boshqa sohalarda qo’llaniladi.
Xulosa qilib aytadigan bo’lsa ushbu fan kelajakda men egallamoqchi bo’lgan mutaxassislik kasbim uchun juda muhim bo’lib xizmat qilib,uning ajralmas bir bo’lagidir.
Foydalanilgan adabiyotlar:


1.S.F.Amirov, M.S.Yoqubov, N.G’.Jabborov “Elektrotexnikaning nazariy asoslari” o’quv qo’llanma.


2.I.M.Saydumarov, S.M.Shukurova “Elektrotexnika va sxemotexnika” o’quv qo’llanma.


3.https://ziyo.net internet saxifasi.