2-Mustaqil ishi

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
SAMARQAND FILIALI



KOMPYUTER INJINIRINGI FAKULTETI
KI20-01 GURUH TALABASINING
ELEKTRONIKA VA SXEMALAR 2
FANIDAN

2-Mustaqil ishi.

Mavzu: Integral diodlar

Fan o’qtuvchisi: Nizamov A.N

Bajardi: Abdimalikov Umidjon
Reja:

1. 
   Integral mikrosxema (IMS) nima?
   

2. 
   IMS elementi va komponenti deb nimaga aytiladi?
   

3. 
   Nima sababdan tranzistor tuzilmasi IMS turli elementlarini tayyorlash asosi bo‘lib xizmat qiladi?
   

4. 
   Xulosa
   

Intergal diodlar. Integral diodlar integral tranzistor asosida hosil
qilinadi. T ranzistorning istalgan p —n o ‘tishi diod hosil qilish uchun
ishlatilishi m um kin. K o‘p hollarda baza-em itter o ‘tishi, kollektor baza
bilan tutashtirilgan holda (UKB—0) yoki kollektor zanjiri uzilgan holda
(IK= 0) b az a-e m itter o ‘tish ishlatiladi. B unday diodlarning ochiq
holatdan berk holatga o ‘tish vaqti eng kichik b o ‘ladi.
IM S tayyorlashda y arim o‘tkazgich asosning bir tom oniga ishlov
beriladi, hosil qilingan elem entlarning chiqish elektrodlari plastina
sirtida bitta tekislikda joylashadi. Shuning uchun “planar texnologiya”
deb nom berilgan.
Y arim o‘tkazgich IM Slarni tayyorlashda operatsiyalar ketm a-ketligi
m ikrosxem ada elem entlarni elektr jihatdan izolatsiyalash usullari bilan
b elg ilan ad i: elem entlarni teskari siljitilgan p —n o‘tishlar bilan
izolatsiyalash; dielektrik (S i0 2 qatlam) yordamida izolatsiyalash. Shu
m unosabat bilan yarim o‘tkazgich IM S lar tayyorlashning ikkita asosiy
jarayoni:
a) elem entlarni p —n o ‘tish bilan izolatsiyalovchi planar-epitaksial
texnologiya;
b) dielektrik q atlam S iO , y o rd am id a izolatsiyalovchi p lan arepitaksial texnologiya (E P IC — texnologiya) mavjud.