2-Mustaqil ishi

Planar-epitaksial texnologiya. Planar-epitaksial texnologiya asosida
to 'rtta elem ent (kondensator С , diod D, tranzistor T va rezistor R)
dan tashkil topgan (7.2-rasm ) sodda IM Sni tayyorlashda texnologik
operatsiyalar ketm a-ketligini ko‘rib chiqam iz.
IM S tayyorlash uchun p — o ‘tkazuvchanlikka ega, qalinligi 0,2-^0,4
m m , b o ‘lgan krem niy asosdan foydalaniladi (7.3-rasm ).
Bunday asosda elem entlari soni m ingtagacha yoki yuzlarcha bo‘lgan
o ‘rta va yuqori integratsiya darajali m ikrosxem alar bir vaqtda hosil
qilinadi (har bir kvadratda bir xil IM Slar joylashadi).
Asos sirtida term ik oksidlash yo‘li bilan qalinligi 0,5-^ 1 m km
b o ‘lg an S i 0 2 q a tla m h o sil q ilin a d i. S h u n d a n s o ‘ng b irin c h i
fotolitografiya oksid qatlam da “d arch a” lar ochish uchun o ‘tkaziladi.
D archalar orqali 1-^2 m km qalinlikka d onor kiritm alar (surm a yoki
m arg u m u sh ) diffuziya q ilin a d i. N a tijad a b o ‘lg‘usi tra n z isto rla r
kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi o ‘tkazuvchi n+ — soha hosil
bo'ladi. U shbu qatlam yashirin n+ — qatlam (ch o ‘ntak) deb ataladi.
U kollektor qarshiligini kam aytiradi, natijada tranzistor tezkorligi
ortadi, kollektor esa ikki qatlam li n+— n bo‘lib qoladi.
S hundan keyin krem niy oksidi yem iriladi, asos sirtiga qalinligi
8-r-10 m km ni tashkil etuvchi n — turli epitaksial qatlam o ‘stiriladi va
ep itak sial q atlam sirtid a oksid q atlam hosil q ilin a d i. Ik k in ch i
fotolitografiya yordam ida oksid q atlam d a ajratu v ch i diffuziyani
o'tkazish uchun “ d arch a”lar ochiladi. A kseptor kiritm alarni (bor)
“d arch a”lar orqali qatlam oxirigacha diffuziya qilib to ‘rtta n - soha
(sxemadagi elem entlar soniga mos) hosil qilinadi. Bu n —so h alarb irbiridan p —n o ‘tishlar yordam ida izolatsiyalangan b o 'lad i. U shbu
so h alarn in g biri tran zistorn in g k o llek to ri b o ‘lib x izm at qiladi.
Tranzistorning bazasi, kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchun
bir-biridan izolatsiyalangan n —sohalarga akseptor kiritm alar diffuziyasi
amalga oshiriladi.
Buning uchun aw al hosil qilingan oksid qatlam da
uchinchi fotolitografiya yordam ida shunday o ‘lcham li “ d arch a”lar
hosil qilinadiki, bunda hosil qilingan elem entlar param etrlari talab
etilgan nom inallarni qanoatlantirsin.
Keyin tranzistor em itteri, diod katodi, kondensator qoplam asi,
kollektor sohaning om ik kontaktini hosil qiluvchi n+ — turli em itter
sohalar hosil qilinadi. Buning uchun yangidan hosil qilingan oksid
qatlam ida to ‘rtinchi fotolitografiya yordam ida zarur k o ‘rinishdagi
“d arch a”lar ochib, ular orqali n + — turli kiritm a hosil qiluvchi atom lar
diffuziyasi am alga oshiriladi. IM S tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik
jarayon elem entlarga om ik kontaktlar olish va elem entlarni o ‘zaro
ulash bilan yakunlanadi. Bu S i0 2 qatlam da beshinchi fotolitografiyani
a m a lg a o s h iris h , a lu m in iy n i v a k u u m d a p u rk a s h , a lu m in iy n i
ishlatilm aydigan sohalardan olib tashlash va term ik ishlov berish bilan
am alga oshiriladi..