2-Mavzu. Kompyuterlarni tashkil qilishning raqamli mantiqiy asoslari

Ko’p marta dasturlanadigan DSQ
Bunday DSQ dasturlash protsedurasi odatda ikki bosqichni o’z ichiga oladi: birinchi navbatda yaycheykalarning barchasi yoki bir qismining tarkibi o'chiriladi, so'ngra yangi ma'lumotlar yoziladi.
Doimiy saqlash qurilmasi ushbu sinfida bir nechta guruhlar ajratilgan:

• EPROM (Erasable Programmable ROM — o’chirib dasturlanadigan DSQ);
• EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM — elektr bilan o’chirilib dasturlanadigan DSQ);
• flesh-xotira;
• PCM (Phase Change Memory) — fazali xotira.

EPROM mikrosxemalari. EPROPM ga ma’lumotlar, xuddi PROM da bo’lgani kabi, elektr signallari yordamida yoziladi, lekin yozish operatsiyasidan oldin mikrosxemani ultrabinafsha nurlanishiga ta’sir qilish orqali barcha yaycheyka tarkibini bir xil xolatga keltirish (o’chirish) kerak. Kristall uncha katta bo’lmagan kvars oynaga ega bo’lgan, keramika korpusga o’ralgan bo’lib, u orqali nurlanish amalga oshiriladi. Ma’lumotlar tasodifiy yo’q ilinishini oldini olish uchun nurlanishdan keyin kvars oynasi shaffof bo’lmagan plyonka bilan yopiladi. O’chirish jarayoni ko’p marta bajarilishi mumkin. Har bir o’chirish taxminan 20 daqiqa davom etadi. Dasturlash sikli bir necha yuz millisekundlarni oladi. O’qish vaqti ROM va DRAM ko’rsatkichlariga yaqin.
PROM bilan taqqoslaganda EPROM mikrosxemalari qimmatqoq, ammo ko’p marta qayta dasturlash imkoniyatlari ko’pincha hal qiluvchi ahamiyatga ega.
EEPROM mikrosxemalari. Ko’p marta dasturlanadigan xotiraning yanda o’ziga xos varianti elektr bilan o’chiriladigan doimiy xotira EEPROM hisoblanadi. Bu xotiraga ma’lumotlarni yozish va o’chirish baytlar bo’yicha amalga oshiriladi, o’chirish esa alohida jarayon emas, balki yozish vaqtida avtomatik amalga oshadigan bosqichdir. Yozish operatsiyasi o’qishga qaraganda sezilarli darajada ko’proq vaqt talab etadi – har bir bayt uchun yuzlab mikrosekund. Mikrosxemada EPROM kabi bir xil ma’lumotlarni saqlash prinsipi qo’llaniladi. EPROM ni dasturlashda maxsus programmator kerak emas va u mikrosxemaning o’zida amalga oshiriladi.
Umuman olganda, EEPROM lar EPROM ga qaraganda qimmatroq va mikrosxema yaycheykalarning zichroq to’plamiga ega ya’ni kamroq hajmga ega.
Flesh-xotira. Flesh-xotira – bu elektr energiyaga bog’liq bo’lmagan qayta dasturlanadigan yarim o’tkazgichli xotira. flash so’zi «tez, bir zo’mda» kabi tarjima qilinishi mumkin va qayta dasturlashning nisbatan yuqori tezligini ta’kidlaydi. Birinchi marta 1984 yilda Toshiba kompaniyasi tomonidan e’lon qilingan flesh-xotira ko’plab jihatdan EEPROM ga o’xshash bo’lgan, lekin SE (saqlash elementlari) ni yaratishda maxsus texnologiyadan foydalanilgan. Mantiqiy SE lari, YOKI-EMAS (NOR), yoki VA-EMAS (NAND) elementlari bilan ifodalanadi, shuning uchun NOR-yaycheykali va NAND-yaycheykali flesh-xotira haqida gapirish mumkin.
Yaycheykalar turidan qat’iy nazar flesh-xotirada qayta yozish sikllari soni cheklangan (eng yaxshi holatda – ber necha million), bu esa uni enersiyaga bog’liq bo’lmagan TSQ sifatida ishlatishga imkon bermaydi. Bundan tashqari, flesh-xotira tezligi bo’yicha TSQ mikrosxemalaridan kam.