I1 токнинг ўзгармаслиги барқарорлашган кучланиш манбаи ЕМ1 дан фойдаланиш ҳисобига эришилади. Натижада I2 токнинг занжир параметрлари ЕМ2 ва RЮ га боғлиқлиги йўқотилади.
Лекин бундай БТГда I2 токнинг температура бўйича барқарорлиги таъминланмайди, чунки база токи IБ2 температура ўзгаришларига жуда боғлиқ.
I2 токнинг температура бўйича барқарорлигини таъминлаш учун мураккаброқ схемалардан фойдаланилади.
Барқарор ток генератори
Барқарор ток генератори ёки манбаи (БТГ) катта номиналга эга бўлган резисторнинг электрон эквиваленти ҳисобланади. БТГ қаршилиги RЮ юкламага кетма – кет уланган максимал бўлиши мумкин бўлган қаршиликдан анча катта бўлиши керак. Бу вақтда БТГ юкламадан катталиги унинг қаршилиги ва бошқа таъсирларга боғлиқ бўлмаган ток оқиб ўтишини таъминлайди. Маълумки, қаршилиги бирлик МОм га тенг бўлган резисторларни интеграл схема кўринишида ясаш мумкин эмас.
8.6 а - расмда БТГ принципиал схемаси келтирилган.
а) б) 8.6 – расм.
Бу ерда Ю элементи ночизиқли юклама, Е1 – барқарорланган кучланиш манбаини билдиради. Резистор R0, ҳамда диод уланиш схемасидаги VT1 транзистор VT2 транзистор сокинлик режимини таъминлаш ва барқарорлаш учун ҳизмат қилади.
VT2 учун ишчи нуқта унинг чиқиш характеристикасининг пологой қисмида жойлашади (УБ схемадаги БТ чиқиш характеристикаси расмига қаранг). УБ уланиш схемасида транзистор жуда катта чиқиш дифференциал қаршилигига эга бўлади (бирлик МОм гача). Уланиш схемасига кўра иккала транзисторнинг ҳам база – эмиттер кучланишлари UБЭбир хил бўлади. IБ2токи IЭ2 токидан юз мартага кичик. Шу сабабли, бу токни ҳисобга олмасак, IЭ1 IЭ2 га тенг бўлади, демак I2= I1. Натижада I2 чиқиш токи I1 токни акс эттиради. I2 токи деярли VT2 транзистор коллектор ўтишидаги кучланишга боғлиқ бўлмаганлиги сабабли, Е2 кучланиш ёки юкламадаги қаршилик қийматлари ўзгарса ҳам бу ток қиймати деярли ўзгармас қолади.
Кириш токи I1 ни ўзгартириб, чиқиш токи I2 ни бошқариш мумкин. Бунинг учун транзисторларнинг эмиттер занжирларига R1 ва R2 резисторлар уланади. Бундай қурилма актив ток трансформатори деб аталади (8.6 б - расм). 8.6 б – расмдан қуйидаги тенгсизлик келиб чиқади:
U1 IЭ1R1U2 IЭ2R2 Агар R1 ва R2 қаршиликлар номиналлари билан фарқ қилсалар, у ҳолда I2ток I1 токни ёки “катталашган” ёки “кичрайган” масштабда “акс эттириши” мумкин.
8.5.Ўзгармас кучланиш сатҳини силжитиш қурилмаси
Интеграл кучайтиргичлар бевосита боғланган босқич схемалари кўринишида қуриладилар. Бу вақтда босқичдан босқичга ўтганда сигнал доимий ташкил этувчисининг ўзгариши кузатилади. Бу ҳолат эса кейинги босқичларни ишлаб чиқаришда қийинчиликлар туғдиради. Бу камчиликни бартараф этиш мақсадида ўзгармас кучланиш сатҳини силжитиш қурилмалари қўлланилади. Улар сатҳ трансформаторлари деб ҳам аталадилар. Бу вақтда сатҳ силжитиш қурилмаси сигнал ўзгармас ташкил этувчисини кейинги босқичга ўзгаришларсиз узатиши керак, яъни кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти KU 1 бўлиши керак.
Операцион кучайтиргичларда UЧИК сатҳини силжитиш VT1 транзисторда бажарилган эмиттер қайтаргич асосида амалга оширилади. Унинг эмиттер занжирига R1 резистор ва VT2 ҳамда VT3 транзисторларда бажарилган барқарор ток генераторлари уланади (8.7 - расм). Сигнал мавжуд бўмаганда UКИР кириш потенциали олдинги босқич чиқиш кучланишининг ўзгармас ташкил этувчиси қийматига тенг бўлади. UЧИК чиқиш потенциали силжитиш схемаси ҳисобига U UБЭ1 IЭ1R1 катталикка камаяди. IЭ1 ток барқарор бўлганлиги сабаблиU силжиш кучланиши ҳам ўзгармас бўлади.
Ихтиёрий UКИР қийматидаUЧИК чиқиш потенциали R1 нисбатларни тўғри R0
танлаш натижасида нольга тенг қилиниши мумкин. БТГ динамик чиқиш қаршилиги R1 дан анча катта бўлганлиги сабабли, силжиш схемасида сигнал деярли сўнмайди.