1947 yilning 23 dekabrida 3ta amerika fiziklari

Qabul qilinayotgan, saqlanayotgan va ishlov berilayotgan signal turiga koʼra: analog va raqamli IMSlar;
Tayyorlanish konstruktiv-texnologik turiga koʼra: yarimoʼtkazgichli, pardali va gibrid IMSlar;
Аktiv element turiga koʼra: bipolyar tranzistorli va MDYa-tranzistorli IMSlar;
Isteʼmol quvvatiga koʼra: kam quvvatli, oʼrta quvvatli, katta quvvatli IMSlar;
Ishchi chastotasiga koʼra: past chastota, oʼrta chastota va yuqori chastota IMSlari;
Elementlarni bir-biridan izolyatsiyalanish usuliga koʼra va x.z.
IMS komponenti deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan IMSning bo’lagiga aytiladi.
Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.