1. Tushayotgan yorug’lik (foton)

Для генерации электричества от солнца вам нужен солнечный модуль, который состоит из одного или многих солнечных фотоэлектрических элементов. Когда на солнечный элемент падает солнечных свет, материал солнечного элемента поглощает часть солнечного света (фотоны). Каждый фотон имеет малое количество энергии. Когда фотон поглощается, он инициирует процесс освобождения электрона в солнечном элементе. Вследствие того, что обе стороны фотоэлектрического элемента имеют токоотводы, в цепи возникает ток когда фотон поглощается. Солнечный элемент генерирует электричество, которое может быть использовано сразу или сохранено в аккумуляторной батарее.
Quyoshdan elektr energiyasini ishlab chiqarish uchun bizga bir yoki bir nechta quyosh fotoelektr elementlaridan iborat quyosh moduli kerak bo’ladi. Quyosh nuri quyosh fotoelementiga tushganda, quyosh fotoelementi quyosh nurlarining bir qismini (fotonlar) yutishi sodir bo’ladi. Har bir foton oz miqdordagi energiya miqdoriga ega. Yutilgan foton energiyasi quyosh fotoelementida elektronni kimyoviy bog’lanishdan urib chiqarish jarayonini boshlaydi. Fotoelektrik elementning ikkala tomonida ham toko'tkazgichlar bo'lganligi sababli, foton yutilganda zanjirda tok oqimi hosil bo'ladi. Quyosh fotoelementi ishlatish mumkin bo’lgan yoki akkumlyator batareyalarida saqlash mumkin bo’lgan elektr energiyasini ishlab chiqara boshlaydi.

	1. Tushayotgan yorug’lik (foton) 2. Ustki kontakt 3.negative qatlam 4.p-n o’tish qatlami 5.pozitiv qatlam 6.ostgi kontakt
1-rasm. Fotoelektrik elementlarning tuzilishi

Пока солнечный элемент освещается, процесс образования свободных электронов продолжается и генерируется электричество. Материалы, из которых делается элемент — это полупроводники с особыми свойствами.
Maxsus xususiyatli yarim o’tkazgich materiallardan ishlab chiqarilgan quyosh fotoelektrik elementlari yoritgan paytda erkin elektronlar hosil qilish jarayoni davom etadi va elektr energiyasi ishlab chiqariladi.


Простейшая конструкция солнечного элемента (СЭ) — прибора для преобразования энергии солнечного излучения — на основе монокристаллического кремния показана на рис. 1. На малой глубине от поверхности кремниевой пластины p-типа сформирован p-n-переход с тонким металлическим контактом. На тыльную сторону пластины нанесён сплошной металлический контакт.
Quyosh nurlanish energiyasini elektr energiyasiga o’zgartirish moslamasi sifatida sodda tuzilishli Monokristalli kremniyga asoslangan quyosh fotoelementi 1-rasmda keltirilgan. P tipdagi kremniy plastina sirtida kichik qatlamda ingichka metall qatlam yordamida p-n o’tish hosil bo’ladi. Plastinaning orqa tomoniga metall kontakt tutashtiriladi.


Когда СЭ освещается, поглощённые фотоны генерируют неравновесные электрон-дырочные пары. Электроны, генерируемые в p-слое вблизи p-n-перехода, подходят к p-n-переходу и существующим в нем электрическим полем выносятся в n-область. Аналогично и избыточные дырки, созданные в n-слое, частично переносятся в p-слой (рис. 2а). В результате n-слой приобретает дополнительный отрицательный заряд, а p-слой — положительный. Снижается первоначальная контактная разность потенциалов между p- и n-слоями полупроводника, и во внешней цепи появляется напряжение (рис. 2б). Отрицательному полюсу источника тока соответствует n-слой, а p-слой — положительному.