1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Berilgan prinsipial sxemadan ims strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish

5 - laboratoiya ishi
Mavzu: BTda yasalgan UB kuchaytirgich cxemasini tadqiq etish

Ishnining maqsadi: Sxemalarda bipolyar tranzistor (BT) emitteri umumiy (UE), bazasi umumiy (UB), kollektori umumiy (UK) qilib bajarilgan kuchaytirgich kaskadlarini tajribada tahlil qilish; yuklama (omik) qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o‘rganish.

Sxemalarda signal manbai BT ning baza yoki emitter elektrodiga, yuklama esa kollektor yoki emitter elektrodiga ulanishi mumkin. Bu xollarda BTning uchinchi elektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo‘lib qoladi. Sxemalarda tranzistorning qaysi elektrodi signal (o‘zgaruvchan tok) bo‘yicha umumiyligiga qarab, tranzistor UE, UB, UK ulanishlarga ega deyiladi. Bunday sxemalar umumiy emitter (UE)li, umumiy baza (UB)li, umumiy kollektor (UK)li deb nomlangan (3.1-rasm).

UE li sxemada (3.2-rasm) S1 va S2 kondensatorlar kuchaytirgich kaskadini signal manbai va yuklama bilan o‘zgaruvchan tok bo‘yicha bog‘laydi hamda BTning sokinlik rejimiga (o‘zgarmas tok bo‘yicha ishchi nuqtasiga) signal manbai va yuklamaning ta’sirini bartaraf etadi.
R1, R2, R3 rezistorlar BTning tanlangan sokinlik rejimini ta’minlaydi. S3 kondensator UEli sxemada R3 rezistorni yoki UB li sxemada esa baza zanjirida R1, R2 rezistorlar xosil qiluvchi kuchlanish bo‘lgichi ishlashini mustasno etib, bloklovchi (shuntlovchi) kondensator vazifasini o‘taydi.
Elektron sxemalarni tahlil qilish uchun BT ning elektrodlari orasidagi tok va kuchlanishlar bir-biri bilan qanday bog‘langanligini, ya’ni uning volt-amper xarakteristikasi (VAX)ni bilish zarur.
UE li sxemalarni tahlil qilishda 3.3-rasmda keltirilgan kirish va chiqish xarakteristikalari oilalaridan foydalanish qulay.
Analog signallar energiyasini kuchaytiruvchi sxemalarda BT ning aktiv rejimi qo‘llaniladi. Aktiv rejimda BTning emitter o‘tishi to‘g‘ri, kollektor o‘tishi esa teskari siljitiladi.
Kuchaytirgichning parametrlarini “kichik signal” rejimida baholash uchun uning prinsipial sxemasi o‘zgaruvchan tok bo‘yicha chizilgan sxemaga keltiriladi. Rasmda past chastotalar uchun UEli ulanishga ega bo‘lgan kuchaytirgich kaskadi elementlarining o‘zgaruvchan tok bo‘yicha ulanish sxemasi keltirilgan. Bu yerda BT T-simon ekvivalent sxemada ko‘rsatilgan.
Kuchaytirgich kaskadlarini tahlil qilishda bizni qo‘yidagi parametrlar qiziqtiradi: quvvatni kuchaytirish koeffitsienti K_r, kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti K_U, tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti K₁, kuchaytirgich kaskadining past chastotalari oralig‘idagi kirish qarshiligi R_KIR va chiqish qarshiligi R_ChIQ. Past chastotalarda (kvazistatik rejimda) BTning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsientini va r-n o‘tishlar parazit sig‘imlarning chastotaviy o‘zgarishlari hisobga olinmaydi. S1, S2 va S3 kondensatorlar sig‘imlari shu qadar katta (mkF) olinadiki, ishchi chastotalarda ularning qarshiliklarini hisobga olmasa bo‘ladi. Bu elektr ta’minlash manbai Ye_K ga ham tegishli chunki S_f kondensator elektr manbai o‘zgaruvchan tok bo‘yicha shuntlanadi.
3.1-rasmdagi R1 va R2 rezistorlar, R_K va R_Yu rezistorlardek parallel ulangan va ular 3.4-rasmdagi ekvivalent sxemada R11=R1 R2 hamda R_KYu=R_K R_Yu bilan ko‘rsatilgan.



a) b) v)
3.1 – rasm. UE (a), UB (b) va UK (v) sxemasidagi
kuchaytirgich bosqichi sxemalari.

3.2 – rasm. UE , UB va UK sxemasidagi

kuchaytirgich bosqichlarini tadqiq etish sxemasi.

Kuchaytirgich bosqichlarining ekvivalent sxemalariga elektr zanjirlarni tahlil qilishning ma’lum usullarni qo‘llab (masalan, kontur toklar usuli) sxema parametrlarini aniqlaydigan ifodalar olish mumkin UK sxema kuchlanish bo‘yicha kuchaytirmaydi (K_U<1), UB sxema esa tok bo‘yicha kuchaytirmaydi (K₁<1). UE sxema kuchlanish va tok bo‘yicha kuchaytirganligi sababli (K_U<1, K₁<1) u quvvat bo‘yicha eng katta kuchaytirishni ta’minlaydi. UK sxemasining kirish qarshiligi (R_KIR) eng katta, UB sxemaniki esa eng kichikdir. Va nihoyat, UK sxemaning chiqish qarshiligi (R_ChIQ) UE, UB ulanishli sxemalarning chiqish qarshiliklariga nisbatan eng kichik qiymatga ega bo‘ladi.

BTli kuchaytirgich bosqichining chastotalarni o‘tkazish oralig‘ining yuqori chegaraviy chastotasi f_T tranzistorning parametrlariga, yuklamaning qiymatiga, signal manbaining ichki qarshiligi (R_G) ga va tranzistorning ulanish sxemasiga bog‘liq bo‘ladi. Agar signal manbaning ichki qarshiligi juda kichik bo‘lsa (R_G→0), KU sxema eng yaxshi yuqori chastotaviy xususiyatlarga ega, EU va BU sxemalar esa bunday holda taxminan bir xil f_T.YuQORI ga ega bo‘ladilar. (R_G→∞) bo‘lgan holda EU sxemaning chastotani o‘tkazish oralig‘ining yuqori chegarasi f_T.YuQORI qiymati kamayadi, UBli kuchaytirgich kaskadiniki esa ortadi. UK sxema bo‘lsa bunday holda
f_{T YuQORI} ning qiymatlari jihatdan UE sxemaga yaqinlashadi.



a)

b)

3.3 – rasm. UE sxemadagi kuchaytirgich bosqichi kirish (a) va chiqish (b) xarakteristikalar oilasi

3.4 – rasm. UE sxemadagi kuchaytirgich bosqichi ekvivalent sxemasi.