1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Berilgan prinsipial sxemadan ims strukturasi, topologiya va texnologiyasini ishlab chiqish

Nazorat savollari
1. Integral mikrosxema (IMS) nima ?
2. IMSlarning asosiy xususiyatlari nimada ?
3. IMS elementi va komponenti deb nimaga aytiladi ?
4. Pardali, gibrid va yarimo‘tkazgich IMSlar farqini tushuntiring.
5. Nima sababdan tranzistor tuzilmasi IMS turli elementlarini tayyorlash asosi bo‘lib xizmat qiladi ?
6. IMS elementlari qanday qilib bir – biridan izolyatsiyalanadi ?
7. Planar va planar – epitaksial usullari bilan tayyorlangan tranzistorlar nimasi bilan bir – biridan farqlanadi ?
8. Raqamli va analog IMSlar murakkablik darajasi qanday aniqlanadi ?
9. Analog va raqamli IMSlarda qanday signallar o‘zgartiriladi ?
10. IMSlar sinflanishini aytib bering.
3 – laboratoriya ishi

BTda yasalgan UE kuchaytirgich cxemasini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchash.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:

Ishda 2.1- rasmda ko‘rsatilgan, umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlari o‘lchanadi.

2.1-rasm. UE sxemasidagi BTda bajarilgan
sodda kuchaytirgich bosqichi sxemasi.

Tranzistor aktiv rejimda ishlaydi. R_B va R_K rezistorlar o‘zgarmas tok bo‘yicha ish rejimini ta’minlaydilar. Bu vaqtda R_B yordamida baza tokining o‘zgarmas tashkil etuvchisi o‘rantiladi.

, (2.1)
demak, kollektor toki ham


, (2.2)


R_K rezistor kollektor toki o‘zgaruvchan tashkil etuvchisini kuchlanish manbai orqali qisqa tutashuvdan himoya qiladi. R_K>>R_Yu bo‘lishi tavsiya etiladi. Bir vaqtning o‘zida R_K kattaligi kollektordagi kuchlanish o‘zgarmas tashkil etuvchisiga ta’sir ko‘rsatadi, chunki


. (2.3)

Berilgan E_K va R_K qiymatlarida o‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor ishchi nuqtasi ikkita parametr bilan emas, balki bitta parametr I_B (0) yoki I_K(0) yoki U_KE(0) orqali beriladi. O‘lchashda U_KE(0) dan foydalangan qulay.

Signal manbai u_G va yuklama o‘zgarmas tok rejimida tranzistorga ta’sir ko‘rsatmasligi uchun, U_BE(0) ishchi diapazonda kichik qarshiliklarga ega bo‘lgan bo‘luvchi kondensatorlar S_B va S_K ulanishi kerak.
Kuchaytirgich bosqichi asosiy parametrlarini hisoblash uchun quyidagi formulalardan foydalanish mumkin:


; (2.4)

Bu yerda ; .

Emitter zanjirida manfiy teskari aloqa yuzaga keltiruvchi R_E rezistor mavjud bo‘lganda

; (2.5)

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

2.1. O‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor rejimini o‘rnatish.

2.1.1. 2.2 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (bu 2.1 – rasmda keltirilgan kuchaytirgich bosqichi sxemasining tranzistor ishchi nuqtasini aniqlovchi qismi).

2.2-rasm. Kuchaytirgich ishchi rejimini o‘rnatish.

Ye₂ =10V

R_K =3,3k
R_B =10-56k o‘rnating.

O‘zgarmas , kuchlanishlarni o‘lchash uchun voltmetrlarni ulang.

2.1.2. Ye₁ kattalikni o‘zgartirib borib, (*) bo‘lgan hol uchun tranzistort ishchi nuqtasini tanlang.


kuchlanishni o‘lchang va o‘zgarmas tashkil etuvchilarini aniqlang.

Baza toki

(2.6)
kollektor toki (2.7)
va baza tokini statik uzatish koeffitsienti
(2.8)
---------------------------------------------------------------------------------------
(*) Real sxemalarda Ye₁ = Ye₂ qilib hamda mos R_B kattaliklari tanlanadi
2.1.3. 2.1.2- banddagi o‘lchash va hisoblarni boshqa ikkita ishchi nuqta uchun takrorlang ( = 0,25E₂ va = 0,75E₂).