Ⅰ-Bob. Yarimo'tkazgichli moddalarni suyuk fazadan epitaksial o'stirish usullari



Download 8,92 Kb.
Sana03.03.2022
Hajmi8,92 Kb.
#480988
Bog'liq
Qodirjon diplom ishi o\'zbekcha
Oila haqida donishmandlarning qarashlari, gbj evro4 gaz, Laziz, Mahkamov A, катталар обективка, 9-O'ZBEK YANGI TESTI, Maqola, basketbalda musobaqa bayonnomasi va hisobotini to'ldirish usullari , MARJONA, MARJONA, Умида, basketbalda musobaqa bayonnomasi va hisobotini to'ldirish usullari , basketbalda musobaqa bayonnomasi va hisobotini to'ldirish usullari , basketbalda musobaqa bayonnomasi va hisobotini to'ldirish usullari , AMALIY MASHG

Mundarija:
Kirish. ..............................................................
-Bob.
Yarimo'tkazgichli moddalarni suyuk fazadan epitaksial o'stirish usullari.
1- §. Epitaksial katlamlar o'stirish to'g'risida ma'lumotlar.
2- §. §. Suyuk fazadan epitaksial katlamlar o'stirishning o'ziga xos tomonlari.
3- §. guruh yarimo'tkazgichlari va guruh yarimo'tkazgich birikmalari o'rtasida qattiq qorishma xosil bo'lish nazariyasi va shartlari.
II Bob.
Suyuk fazadan qattiq qorishma qatlamini germaniy taglikka o'stirish texnologiyasining asosiy bosqichlari
1 -§. kattik korishma katlamini kremniy taglikka ustirish kurilmasini ishga tayyorlash.
2- §. Suyuk fazadan kattik korishma katlamini ustirish uchun kremniy tagliklarni tayyorlash.
3- §. Suyuk fazadan kattik korishma katlamini ustirish kurilmasida ustirish jaraenlarini amalga oshirish
III Bob.
Suyuq fazadan o'stirilgan (Si2)1-x(GaP)x kattik korishma qatlamlarining kimyoviy tarkibi, marfologik va elektrofizik xususiyatlarini urganish
1 §. Ustirilgan epitaksial kattik korishma qatlamlarining kimyoviy tarkibini urganish
2 §. Ustirilgan epitaksial kattik korishma qatlamlarining morfologiyasini urganish.
3§. Ustirilgan epitaksial kattik korishma qatlamlarining elektrofizik xususiyatlarini urganish .........................
XULOSA ………….

KIRISH.
Mavzuning dolzarbligi. Yarimo'tkazgich moddalar o'zining tuzilishi jihatdan qattiq jismlar guruhiga kiradi. Lekin ular o'zining qator xossalari bilan boshqa qattiq jismlarga nisbatan fan, texnika va turmushda tobora keng ko'lamda qo'llanilib bormoqda. Buning asosiy sabablari yarimo'tkazgich moddalarning o'lchamlari, hajmi kichik, ishlash muddati katta va ishonchli, tashqi ta'sirlarga chidamli va bajaradigan xizmatlari doirasi juda keng. Hozir yarimo'tkazgichlar qo'llanilmaydigan soha topilmaydi. Yarimo'tkazgichlardan tayyorlangan asboblar endilikda avtomatika, radioelektronika, televideniya, komp`yuter texnikasi kabi turmushimizning ravnaqi va muhtashamligini belgilab berayotgan sohalardagi ishlab chiqarishning asosini tashkil etadi. Yarimo'tkazgich asboblar ishlatilgan va qishloq xo'jaligida temperaturani aniq o'lchashda, tuproqning namligini aniqlashda, o'simlik va hayvonlarning eng muhim xususiyatlarini baholashda va boshqa ishlarni bajarishga yaroqli qurilmalardan foydalanish ko'lami kengayib bormoqda. Yarimo'tkazgichlardan tayyorlangan fotoelementlar (quyosh batereyalari) quyoshdan kelayotgan yorug'lik energiyasini bevosita elektr energiyasiga aylantirib borishiga imkon tug'dirgan bo'lsa, termoelementlar (termogeneratorlar) quyoshning issiqlik energiyasi hisobiga elektr energiyasi olishga yordam bermoqda. Ular atrof-muhitni ifloslantirmay, zahiralari tugab borayotgan qazilma boyliklardan olinayotgan yonilg'ilardan foydalanmasdan, tuzilishi jihatidan sodda bo'lgan elektr energiyasi
manbalari hisoblanadi.
BMIning maqsadi. Ushbu BMI da yarimo'tkazgichlik epitaksial katlamlarni ustirish usullarini xakida umumiy ma`lumotlarni va suyuk fazadan epitaksial (SI2)1-X(GaP)X katlamlar ustirish usulini urganish, ustirish uchun kerak buladigan
moddalarni tayerlash, ustirilgan epitaksial katlamlarning tarkibini, morfologik va elektrofizik xususiyatlarini urganish maqsad qilib qo'yilgan.
Mavzuning ilmiy yangiligi shundaki, xozirgi paytda komp`yuter va boshka kurilmalarda ishlatilaetgan integral mikrosxemalarning (IMS) tezligini oshirish uchun., xozirgi kunda kunda kullanilaetgan kremniy urniga unga karaganda ancha yaxshi
elektrofizik xususiyatlarga ega belgan boshka yarimutkazgichlardan , masalan arsenid galliy ( GaAs) , kremniy karbidi (SiC) , galliy nitrid (GaN), almaz ( C) va boshkalardan IMS larni yasash kerak buladi. Xozirgi kunda ok yoruglik beradigan
yoruglik diodi fakat galliy nitrid (GaN) asosida tayyorlanadi. Lekin galliy nitridi juda xam kimmat. Ikkinchi tamondan yoruglik diod iva boshka kurilmalarni tayyorlash uchun 5-8 mkm. kalinlikdagi galliy nitrid katlami yetarli . Shuning uchun
kimmat yarimutkazgizlarni kremniy tagliklarga ustirib, ular asosida yarimutkazgich asboblar yaratish maksadga muvofikdir.
Malakaviy bitiruv ishi kirish, uchta bob, xulosa va foydalanilgan adabiyotlar ro'yxatidan iborat.
Download 8,92 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2023
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
axborot texnologiyalari
ta’lim vazirligi
zbekiston respublikasi
maxsus ta’lim
guruh talabasi
nomidagi toshkent
O’zbekiston respublikasi
toshkent axborot
texnologiyalari universiteti
xorazmiy nomidagi
o’rta maxsus
davlat pedagogika
rivojlantirish vazirligi
pedagogika instituti
Ўзбекистон республикаси
tashkil etish
vazirligi muhammad
haqida tushuncha
respublikasi axborot
toshkent davlat
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
таълим вазирлиги
O'zbekiston respublikasi
махсус таълим
vazirligi toshkent
fanidan tayyorlagan
bilan ishlash
saqlash vazirligi
Ishdan maqsad
Toshkent davlat
fanidan mustaqil
sog'liqni saqlash
uzbekistan coronavirus
haqida umumiy
respublikasi sog'liqni
coronavirus covid
vazirligi koronavirus
koronavirus covid
covid vaccination
qarshi emlanganlik
risida sertifikat
vaccination certificate
sertifikat ministry
o’rta ta’lim
pedagogika universiteti
matematika fakulteti
ishlab chiqarish
fanlar fakulteti
moliya instituti
fanining predmeti