Navoiy Davlat konchilik instituti nukus filiali

Navoiy Davlat konchilik instituti nukus filiali Fan:Avtomatlashtirish va boshqarish asoslari Mustaqil ishi Mavzu:Bipolyar tranzistorlar.Tiristorlar Bajardi:1B-TJ Tursinboev Diyorbek Tekshirdi:Dotsent Kalandarov Ilyos NUKUS 2021

Reja: Kirish 1.Bipolyar tranzistorlar 2.Tiristorlar Xulosa

Bipolyartranzistor(ВТ)debo‘zarota’sirlashuvchiikkitap-n o‘tishdantashkiltopganvasignallarnitok,kuchlanishyokiquvvat bo‘yichakuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo‘tkazgich asbobga aytiladi. BT datokhosilbo'lishidaikkixil(bipolyar)zaryadtashuvchilar- elektronlar va kovaklarishtirok etadi. ВТ p - van - o‘tkazuvchanlik turi takrorlanuvchiuchta(emitter,baza va kollektor) yarimo‘tkazgich sohaga ega . Tranzistorning kuchli legirlangan chekka sohasi (n+- soha) emitter debataladi va u zaryad tashuvchilarni baza deb ataluvchi o’rta sohaga (r - soha)injeksiyalaydi. Keyingi chekka soha (n - soha) kollektor deb ataladi.U emiitterganisbatan kuchsizroq legirlangan bo’lib, zaryad tashuvchilarni baza sohasidanekstraktsiyalash uchun xizmat qiladi. Emitter va baza oralig’idagi o’tish emittero’tish, kollektor va baza oralig’idagi o’tish esa kollektor o’tish deb ataladi.2-rasm. n-p-n o’tish sxemasi

Agar emitter o’tish teskari yo’nalishda, kollektor o’tish esa to’g’riyo’nalishda siljigan bo’lsa, u holda bu tranzistor invers yoki teskari ulangan debataladi. Tranzistor raqamli sxemalarda qo’llanilganda u to’yinish rejimida (ikkalao’tish ham to’g’ri yo’nalishda siljigan), yoki berk rejimda (ikkala o’tish teskarisiljigan) ishlashimumkin

Tranzistor statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga yuklama qo‘yilmagan holda o‘rnatilgan kirish va chiqish toklari va kuchlanishlar orasidagi o‘zaro bog‘liqlikni ifodalaydi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi ma’lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo‘lib tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin.UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib UKB = const bo‘lgandagi IE= f (UEB) bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa UKE = const bo‘lgandagi IB=f(UBE) bog‘liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteris-tikalarining umumiy xarakteri odatda to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko‘rinishiga ko‘ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (25- rasm).

Rasmlardan ko‘rinib turibdiki, chiqish kuchlanishining o‘zgarishi kirish xarakteristiklarini siljishiga olib keladi. Xarakteristikaning siljishi Erli effekti (baza kengligining modulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. Buning ma’nosi shundaki, kollektor o‘tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda baza sohasidagi kengayish uning kengligining kichrayishi hisobiga sodir bo‘ladi. Baza kengligining kichrayishi ikkita effektga olib keladi: zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasining kamayishi hisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiya gradientining ortishi hisobiga emitter tokining ortishi.

Tiristor (yun. thyra — eshik, kirish va rezistor) — elektrik ventil xossasiga ega boʻlgan kremniy monokristall asosidagi yarimoʻtkazgich asbob. Yarimoʻtkazgich elementi kremniy (bir oz bor, alyuminiy va fosfor qoʻshilgan) monokristall disk (plastinka)dan tayyorlanadi. Ishlash prinsipi kremniy monokristallning elektronteshikli oʻtish (elektron p oʻtkazuvchanlikdan teshikli r oʻtkazuvchanlikka oʻtish) xossasiga asoslanadi. Bu xossa asbobning ventilli oʻtkazuvchanligini taʼminlaydi. T.ning triodli (trinistor; uchta tashqi chiqish — katod, anod, boshqaruvchi elektrod) va diodli (dinistor, boshkaruvchi elektrodsiz) turlari bor. Vazifasiga koʻra, bir tomonlama va ikki tomonlama oʻtkazuvchan, yuqori chastotali, impulsli, ikki operatsiyali va maxsus xillarga boʻlinadi. Fotorezistorlar, galliy arsenid asosidagi T.lar ham bor.

T. elektr oʻzgartirgichlarida ventil, avtomatik boshqarish tizimining ijrochi va kuchaytiruvchi elementlari, turli elektron qurilmalarda xotira kaliti hamda elementlari va boshqa sifatida ishlatiladi. Bundan tashqari, tranzistorlarning har qanday yo'nalishda o'tkazuvchanlikdagi har qanday o'zgarishi ko'chkiga o'xshash kuchayadi va chegara holatlaridan biri bilan tugaydi. Ular qulflangan yoki ochilmagan. Ushbu effekt trigger deb ataladi. Va mikroelektronikaning rivojlanishi bilan 1958 yilda ikkala tranzistor ham bitta substratda birlashtirilib, xuddi shu nomdagi o'tishni umumlashtirdi. Natijada tiristor deb nomlangan yangi yarimo'tkazgichli qurilma paydo bo'ldi. Ikki tranzistorning o'zaro ta'sirida tiristorning ishlash printsipi yotadi. O'tish joylarini birlashtirish natijasida u tranzistor (a) bilan bir xil chiqishga ega.