GaAs asosidagi lazer materiallarining tuzilmaviy xossalarini o’rganish

GaAs asosidagi lazer materiallarining tuzilmaviy xossalarini o’rganish

Sh.X. Yulchiyev, K.S. O’rinboyeva, M.I. O’rinboyev.

Andijon davlat universiteti
Annotatsiya: Sirtiy holatlarni eksperimental tekshirish uchun Ge_1-xGaAs_x qattiq qorishma asosidagi ZnSe KN li epitaksial qatlamlar tanlandi. Epitaksiyal qatlamlar suyuq fazali epitaksiya usuli yordamida, n − tur o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan GaAs tagliklariga o’stirildi. Sirtiy tadqiqotlar sirtiy releflarni va sirt bo’ylab potentsiallarni taqsimlanishlarini tekshirishga imkon beruvchi „Solver-NEXT“ atom-kuch mikroskopi (AKM) yordamida amalga oshirildi va 4K haroratdagi o’rganilayotgan qattiq qorishmaning fotolyuminestsentsiya spektri o’rganildi.