"E va s 1" fanidan t o p shiriqlar

“E va S 1” fanidan

T O P Sh I R I Q L A R

Topshiriqlar varianti: N-guruh raqami va n-talabaning guruh jurnalidagi tartib raqami orqali belgilanadi.

1. 
   Kuchlanish generatori E=10+n V bilan ketma-ket ulangan R₁=n kOm va R₂=2n kOm rezistorlaridan o‘tayotgan tok va kuchlanish qiymatlarini hisoblang. Sxemani kuchlanish bo‘lgichi sifatida ishlating va bo‘lish koeffitsienti qiymatini aniqlang.
   

2. 
   Rezistorli attenyuator sxemasida (2.1-rasm), variantga muvofiq R₁=R₂=R₀=n kOM bo‘lsa, uning kirish qarshiligi va bo‘lish koeffitsientini hisoblang.
   

3. 
   Rezistorli simmetrik T va П-simon to‘rtqutblik kirish va chiqishlariga E ideal kuchlanish generatori ulangan. Agar E=10+n V, R₁=R₂=R₃=R=n kOm bo‘lsa, sxema elementlaridagi tok va kuchlanish qiymatlarini kontur toklar usuli(KTU) va tugun potensiallar usuli(KPU)da hisoblang.
   

4. 
   Y arimo‘tkazgich diod VD va R rezistordan tuzilgan to‘rtqutblik kirishiga E₀-o‘zgarmas va E_mSinωt o‘zgaruvchan kuchlanish generatorlari ketma-ket ulangan (4.1-rasm). Sxema parametrlarini variantga muvofiq hisoblang(4.1-jadval).
   

RD-zanjirning o‘zgarmas va o‘zgaruvchan tok bo‘yicha ekvivalent sxemalaridagi tok va kuchlanish qiymatlarini hisoblang va natijalarni 4.2-jadvalga to‘ldirib, ularning vaqt diagramma grafiklarini chizing.

4.1-jadval

f, Gs	E0, V	Em, V	R, kOm	Rst, Om	Rd, Om
25+ n	0,05 N	0,1 E0	n	0,76(R/E)	0,025(R/E)

4.2-jadval

ωt, grad	0	30	60	90	120	150	180	210	240	270	300	330	360
E(ωt), B
I(ωt), mA
UD (ωt), B
UR(ωt), B
HU(ωt)

5. Yuqorida bajarilgan 1÷4 topshiriqlardagi sxemalarni MultiSim dasturida tadqiq eting va qiyosiy taxlil asosida o‘z xulosalaringizni bayon qiling.