Bipolyar tranzistorlarning ishlash prinsipi

Bipolyar tranzistorlarning ishlash prinsipi
Tranzistorlar ikkita elektron - kavak o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob bo‘lib, elektron sxemalarda elektr signallarini kuchaytirish uchun, har xil chastotali elektr signallarini hosil qilish uchun va elektr signallarini bir shakldan ikkinchi shaklga aylantirish uchun ishlatiladi.
Hozirgi vaqtda tranzistorlarning har xil turlari mavjud, ular quvvatiga qarab, ishchi chastotasiga qarab, tayyorlanish texnologiyasiga qarab va ishlash prinsipiga qarab ajralib turadilar.
Quvvat bo‘yicha ular uch guruhga bo‘linadilar:
Kam quvvatli tranzistorlar - 0,3 Vt gacha;
O‘rta quvvatli tranzistorlar - 0,3 dan to 1,5 Vt gacha;
Quvvatli tranzistorlar - 1,5 Vt dan yuqori.
Ishchi chastotasi bo‘yicha:
Past chastotada ishlovchi tranzistorlar - (3 MGs gacha);
O‘rta chastotada ishlovchi tranzistorlar - (3 MGs dan to 30 MGs gacha);
Yuqori chastotada ishlovchi tranzistorlarga (300 MGs dan yuqori) bo‘linadilar.
Tranzistorlar elektron - kavak o‘tkazuvchanlikka qarab bir, ikki, uch va ko‘p o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan tranzistorlarga bo‘linadilar.
Texnologik ishlab chiqarish jarayoni bo‘yicha quyma tranzistorlar, diffuzion tranzistorlar, kristallarni o‘stirib hosil qilish orqali hosil qilinadigan tranzistorlarga bo‘linadilar.
Tokni hosil qiluvchi zaryadlarga qarab ular r-n-r tipli (asosiy zaryad tashuvchilar - kavaklar) va n-r-n tipli (asosiy zaryad tashuvchilar -elektronlar) tranzistorlarga bo‘linadilar. Quyidagi 1-rasmda r-n-r tipli tranzistorlarni ishlash prinsipi ko‘rsatilgan.
Tranzistorning kollektor zanjiriga - Ye_kb manba teskari ulanadi. Maydon kuchlanganligi kollektor o‘tkazuvchanligida kuchayadi, natijada asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarining harakati natijasida kichik miqdor teskari tok bazadan kollektorga qarab oqadi. Bu tokni issiqlik toki deyiladi, chunki bu tok issiqlikka bog‘liq bo‘ladi va Iko bilan belgilanadi. Agarda kirish zanjiriga, ya’ni emitter va baza oralig‘iga +Yeeb manbani to‘g‘ri ulansa maydon kuchlanganligi emitter o‘tkazuvchanligida pasayadi va natijada zaryadlarning harakati tezlashadi. Kavaklar emitter qatlamidan baza qatlamiga (asosiy zaryad tashuvchilar), elektronlar baza qatlamidan emitter qatlamiga (asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar) o‘tadilar va kavaklar Ier tokni elektronlar Iep tokini hosil qiladilar. Natijada emitter zanjirida to‘g‘ri tok hosil bo‘ladi, bu tokni emitter toki deyiladi Ie=Ier+Iep.
Bunda Ier>>Iep chunki emitterdagi asosiy zaryad tashuvchilarning konsentratsiyasi bazadagilarga nisbatan quyuqdir.