Zbekiston respublikasi yuqori va orta maxsus bilimlandirish vazirligi tashkent axborot texnologiyalari universiteti nukus filiali

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI YUQORI VA ORTA MAXSUS BILIMLANDIRISH VAZIRLIGI
TASHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NUKUS FILIALI
Telekommunikaciya va Ka’sbiy ta’lim fakulteti
“Axborot Xavfsizligi” bakalavr yo’nalishi 2-kurs kunduzgi bo’lim Shamshetdinov Muxamedali talabasining
“Elektronika va sxemalar 2” fanidan
‹‹ BT ga yasalgan UB kuchaytirgich sxemalarni tadqiq etish ›› mavzusi bo’yicha
3-laboratoriya ishi

Bajardi: Shamshetdinov M

Qabul qildi: Karimova A


3 - лаборатория иши
БТда ясалган УБ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: УБ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.

1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:

График кўринишда ифодаланган ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик транзистор статик характеристикалари деб аталади. Умумий база уланиш схемасида мустақил ўзгарувчилар сифатида эмиттер токи ва коллектор – база кучланиши танланади, шунда:

(3.1)

Икки ўзгарувчили функция график кўринишда характеристикалар оиласи каби тасвирланади.

БТ кириш характеристикалари оиласи 3.1 а- расмда, чиқиш характеристикалар оиласи 3.1 б-расмда келтирилган. Характеристикаларнинг ҳар бири қуйидаги боғлиқлик билан ифодаланади:


, бўлганда (3.2)
, бўлганда (3.3)

Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

1-topshiriq:
= 5 В ўзгармас кучланиш қийматларида транзисторнинг кириш ва бошқариш характеристикларини ўлчанг. Ўлчаш натижалари ва ҳисобларни 3.1 - жадвалга киритинг.

1. 
   

   ЕЭ	9	9	9	9	9
   UЭБ	5.829	5.761	5.675	5.628	5.535
   IЭ	0.012	0.011	0.01	9.635	8.663
   iK	0.015	0.014	0.014	0.13	0.12

   R₁=270 Om R₂= 510 Om
   
2. 
   R₁=300 Om R₂= 550 Om
   
3. 
   R₁=330 Om R₂= 580 Om
   
4. 
   R₁=350 Om R₂= 600 Om
   
5. 
   R₁=400 Om R₂= 650Om
   

2-topshiriq : Чиқиш характеристиклар оиласини ўлчанг:

Чиқиш характеристиклар оиласини эмиттер токининг i_Э = 0 мА қийматидан бошлаб ҳар 3 мА қийматлари учун ўлчанг. Коллектор токи бу вақтда кўрсатилган чегаравий қийматлардан ошмаслиги керак; кучланиш қийматининг ўзгариш оралиғи шундай танланиши керакки, актив ( >0) ва тўйиниш ( <0) режимларида 3-5 та нуқта олиш мумкин бўлсин.
i_Э [0;3]
i_K (0;3)
>0

E1	E2	R1	R2	iЭ	iK
9	15	270	510	0.012	0.015	8.478
9	15	280	530	0.011	0.05	8.476
9	15	300	550	0.011	0.014	8.476
9	15	350	560	0.011	0.014	8.477
9	15	280	580	0.01	0.014	8.478

3-topshiriq : Кириш, бошқарув ва чиқиш характеристикалар оиласи графигини қуринг.

u_КБ =5 В, i_Э = 8 мА нуқтада транзистор параметрларини аниқланг


, ,

R₁=270 Om R₂= 510 Om

E₁=34 V E₂=10 V





4-topshiriq : Эмиттер токи 8 мА бўлганда чиқиш характеристикасини қуринг. Чизиқли – бўлак аппроксимацияни амалга ошириб , , , ларни ҳисобланг.

i_Э = 8
U_КБ =5.672 V
I_k = 9.498
R₁=280 Om
R₁=550Om