O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI YUQORI VA ORTA MAXSUS BILIMLANDIRISH VAZIRLIGI
TASHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NUKUS FILIALI
Telekommunikaciya va Ka’sbiy ta’lim fakulteti
“Axborot Xavfsizligi” bakalavr yo’nalishi 2-kurs kunduzgi bo’lim Shamshetdinov Muxamedali talabasining
“Elektronika va sxemalar 2” fanidan
‹‹ BT ga yasalgan UB kuchaytirgich sxemalarni tadqiq etish ›› mavzusi bo’yicha
3-laboratoriya ishi
Bajardi: Shamshetdinov M
Qabul qildi: Karimova A
3 - лаборатория иши
БТда ясалган УБ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: УБ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.
1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:
График кўринишда ифодаланган ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик транзистор статик характеристикалари деб аталади. Умумий база уланиш схемасида мустақил ўзгарувчилар сифатида эмиттер токи ва коллектор – база кучланиши танланади, шунда:
(3.1)
Икки ўзгарувчили функция график кўринишда характеристикалар оиласи каби тасвирланади.
БТ кириш характеристикалари оиласи 3.1 а- расмда, чиқиш характеристикалар оиласи 3.1 б-расмда келтирилган. Характеристикаларнинг ҳар бири қуйидаги боғлиқлик билан ифодаланади:
, бўлганда (3.2)
, бўлганда (3.3)
Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
1-topshiriq:
= 5 В ўзгармас кучланиш қийматларида транзисторнинг кириш ва бошқариш характеристикларини ўлчанг. Ўлчаш натижалари ва ҳисобларни 3.1 - жадвалга киритинг.
ЕЭ
|
9
|
9
|
9
|
9
|
9
|
UЭБ
|
5.829
|
5.761
|
5.675
|
5.628
|
5.535
|
IЭ
|
0.012
|
0.011
|
0.01
|
9.635
|
8.663
|
iK
|
0.015
|
0.014
|
0.014
|
0.13
|
0.12
| R1=270 Om R2= 510 Om
R1=300 Om R2= 550 Om
R1=330 Om R2= 580 Om
R1=350 Om R2= 600 Om
R1=400 Om R2= 650Om
2-topshiriq : Чиқиш характеристиклар оиласини ўлчанг:
Чиқиш характеристиклар оиласини эмиттер токининг iЭ = 0 мА қийматидан бошлаб ҳар 3 мА қийматлари учун ўлчанг. Коллектор токи бу вақтда кўрсатилган чегаравий қийматлардан ошмаслиги керак; кучланиш қийматининг ўзгариш оралиғи шундай танланиши керакки, актив ( >0) ва тўйиниш ( <0) режимларида 3-5 та нуқта олиш мумкин бўлсин.
iЭ [0;3]
iK (0;3)
>0
E1
|
E2
|
R1
|
R2
|
iЭ
|
iK
|
|
9
|
15
|
270
|
510
|
0.012
|
0.015
|
8.478
|
9
|
15
|
280
|
530
|
0.011
|
0.05
|
8.476
|
9
|
15
|
300
|
550
|
0.011
|
0.014
|
8.476
|
9
|
15
|
350
|
560
|
0.011
|
0.014
|
8.477
|
9
|
15
|
280
|
580
|
0.01
|
0.014
|
8.478
|
3-topshiriq : Кириш, бошқарув ва чиқиш характеристикалар оиласи графигини қуринг.
uКБ =5 В, iЭ = 8 мА нуқтада транзистор параметрларини аниқланг
, ,
R1=270 Om R2= 510 Om
E1=34 V E2=10 V
4-topshiriq : Эмиттер токи 8 мА бўлганда чиқиш характеристикасини қуринг. Чизиқли – бўлак аппроксимацияни амалга ошириб , , , ларни ҳисобланг.
iЭ = 8
UКБ =5.672 V
Ik = 9.498
R1=280 Om
R1=550Om
Do'stlaringiz bilan baham: |