Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги тошкент Давлат Техника университети

Yarim o’tkazgich tarkibidagi ko’shimchalar. Yarim o’tkazgich kristallarida qo’shimchalarning juda kam (10) miqdori ham uning elektr o’tkazuvchanligiga katta ta’sir ko’rsatadi. Qo’shimcha ta’qiq zonada yangi energetic sath ozod zonaga yakin joylashgan bo’lsa, bu sathdan electron ozod zonaga osonlikcha o’tib (kichik energiya ta’sirida), kristallda electron o’tkazuvchanlikni sodir etadi. Bunday yarim o’tkazgich n-turli bo’lib, tarkibiga kiritilgan qo’shimcha “donor” deyiladi.
Agar qo’shimchaning energetic sathi zonadan pastroq zonaga o’tishi natijasida “teshik” yoki “kovak” qoldiradi. Electron bir sathdan ikkinchi sathga ko’chishida uning o’rnida qolgan teshik ham siljiydi. Teshikning siljish yo’nalishi maydon vektori (E) yo’nalishiga yoki musbat zatyad yo’nalishiga mos tushadi. Bu turdagi yarim o’tkazgichlar teshikli (P-turli) yarimo’tkazgichlar deyilib, ularning qo’shimchalari “atseptor”lar deyiladi.
Elektr o’tkazuvchanlik tajribada osongina aniqlanib, bunda turli yarim o’tkazgichning bir tomoni qizdirilsa, u erda ozod elektronlar soni keskin ko’payib, bu qism manfiy zaryadga ega bo’ladi. Agar p-turli o’tkazgichning ham bir tomoni qizdirilsa, u erda teshiklar keskin kupayib, kristallning bu qismi musbat zaryadga ega bo’lib qoladi.
Yarim o’tkazgichlarda “p-n” o’tishini yuzaga keltirib, bu qismlarga mos ravishda musbat va manfiy potentsiallar berilsa, “n” qismidan elektronlar, “p” qismidan aks yo’nalishda teshiklar siljib, zanjirda tok oqimi hosil bo’ladi. Aksincha, potentsiallar teskari yo’nalishda berilsa, katta qarshilikka ega qatlam vujudga kelib, tok o’tishi keskin cheklanadi.
Yarim o’tkazgichlarning “n” turdagi asosiy zaryad eltuvchilar elektronlar, “p” turlisida esa teshiklar hisoblanadi. “p-n” o’tishda yarim o’tkazgich (germaniy, kremniy va hokazo) yuzasidan qo’shimcha (indiy, fosfor)larni eritish orqali hosil qilinadi. Bunda monokristal yupqa taxtacha shaklida kesib tekislanadi, saqlaniladi, tozalanadi va grafitli kassetaga o’rnatilib, pechda ma’lum vaqt issiqlik ta’sir ettiriladi. Bu usul elektronli yarim o’tkazgichda esa donor qo’shimchasini eritishga asoslangan.
“p-n” o’tishi elektr-kimyoviy, kristall olish (o’stirish mobaynida) va boshqa usullarda ham hosil qilinadi.


_{Dielektric Materials for Electrical Engineering. Juan Martinez-Vega 20 -боб, 3- бўлим, 477 бет.}
Agar yarim o’tkazgich kristallida p-n-p yoki (n-p-n) o’tishlar hosil qilinib, bu qismlar (emitter–1, kollektor–2, elektrod-3) ga simlar ulansa, tok kuchaytiruvchi

asbob-tranzistor vujudga keladi.

“p-n” o’tishli diodlarning belgilanishidagi birinchi harf: G-germaniy, K-kremniy, A-galiy, I-indiy; ikkinchi harf: D-to’g’irlagich, impuls, magnit va termodiod, Ts-to’g’irlagich ustuni (blok, V-varikan, I-tunelli, A-yuqori chastotali, C-stabilizatron, G-shovqin generatori, L-nurlantiruvchi asbob, N-diodli tiristor, U-triodli tristor; uchinchi harf asbob parametric, qo’llanilishi, ish printsipi; to’rtinchisi- asbob tayyorlanish turini; beshinchisi-asbob klassifikatsiyasini bildiradi.
Tranzistorlarning belgilanishidagi birinchi harf: G-germaniy, K-kremniy, G-galliy va hokazo: ikkinchisi: T-qo’sh qutbli transistor; uchinchisi: sarflanadigan energiya va chastotani, to’rtinchisi: asbob tartibi va guruhini bildiradi.
Tiristorda p-n qatlamlari ketma-ket qaytarilib, chekka qismlarida chiquv simlariga ega. O’rta qismida qo’shimcha chiquv simlariga ega tiristor trinistor deyiladi. Tashqi nur yordamida boshqariladigan tiristor-fototiristor, ichki nurli signalda boshqariladigani optotiristor deyiladi. Optoelektronli yarim o’tkazgichlarga nur tarqatuvchi diod (Al navli), infraqizil nurlatuvchi diod (IK diod) misol bo’la oladi.