Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги наманган муҳандислик – Қурилиш

Реализация.
1. Диод полупроводниковый прибор, имеющий два вывода для включения в 
электрическую цепь. Для реализации модели полупроводникового диода 
использовано уравнение Шокли, дополненное зависимостями, включающими 
различные физические эффекты [1]. 
Vt=k*T/q температурный потенциал перехода 
Где k=1.38e-23 Дж/град - постоянная Больцмана; 

---

270 
Т - температура (передаётся в функцию); 
q=1.6e-19 Кл - заряд электрона;
EGT=EG0-a*T^2/(b+T) температурная зависимость ширины запрещённой 
зоны 
Где EG0=1,16 эВ; 
а=0,000702; 
b=1108;
IST=IS*exp(EGT/(N*Vt)*(T/T0-1))*(T/T0)^XTI/N температурная 
зависимость тока насыщения 
Где IS - ток насыщения при температуре 27°С (по умолчанию 10-14 А); 
N - коэффициент неидеальности (1); 
Т0 - номинальная температура (27°С); 
XTI - температурный коэффициент тока насыщения (3 для диодов с p-n 
переходом и 2 для диодов с барьером Шотки);
ISRT=ISR*exp(EGT/(N*Vt)*(T/T0-1))*(T/T0)^XTI/N температурная 
зависимость тока рекомбинации 
Где ISR параметр тока рекомбинации (0 А);
IKFT=IKF*(1+TIKF*(T-T0)) температурная зависимость тока перегиба при 
высоком уровне инжекции 
Где IKF - тока перегиба при высоком уровне инжекции (inf А); 
TIKF - линейный температурный коэффициент IKF (0 °С-1);
BVT=BV*(1+TBV1*(T-T0)+TBV2*(T-T0)^2) температурная 
зависимость 
напряжения обратного пробоя 
Где BV - напряжение обратного пробоя (inf В); 
TBV1 - линейный температурный коэффициент BV (0 °С-1); 
TBV2 - квадратичный температурный коэффициент BV (0 °С-2);
Система уравнений, описывающая токи в диоде.
In=IST*(exp(sym(u/(N*Vt),'d'))-1) нормальная составляющая тока 
Где u - напряжения В;
Irec=ISRT*(exp(sym(u/(NR*Vt),'d'))-1) ток рекомбинации 
Где NR - коэффициент неидеальности для тока ISR (2);